ダイオード逆回復特性測定回路基板【MEB-SEMI-TRR】

ダイオード逆回復特性測定回路基板【MEB-SEMI-TRR】

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MEB-SEMI-TRR
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ダイオード逆回復特性測定回路基板【MEB-SEMI-TRR】の概要

IFIR法によるダイオードの逆回復特性の測定用回路基板


本基板は、IFIR法によるダイオードの逆回復時間(trr)を測定するための回路基板です。ダイオードのIF側とIR側の電源とオシロスコープを準備することで、trrの波形を取得することができます。
近年は、SPICEの普及もあり、trrはダイオードのデバイスモデリングに必須の抽出項目です。trrの波形を把握することにより、損失を考慮した回路設計ができます。trrはtrj+trbの要素で構成されていますが、データシートにはtrrの数値の記載しかなく、trjやtrbの波形からの考察ができません。本基板により、ダイオードの逆回復特性による損失を考慮した回路設計ができます。
逆回復特性は、高温時ではスイッチング損失に大きく影響します。高温時のtrrの値はデータシートには記載されていないので、高温での測定を行って逆回復特性を把握する必要性があります。本基板はそのような測定にも有効です。
一般ダイオードとショットキーバリアダイオード(SiCを含む)を対象にしていますが、ダイオードの要素があるLEDやフォトカプラの入力ダイオードなどにも応用できます。

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