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ディスクリート半導体製品（DigiKey）

検索結果 293,948件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【BY269TR】DIODE AVAL 1600V 800MA SOD57

    【BY269TR】DIODE AVAL 1600V 800MA SOD57
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1600 V・電流 - 平均整流（Io）：800mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.25 V @ 400 mA・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：400 ns・電流 - Vr印加時の逆方向
    ￥184.29 税込￥202.71
  • 2

    【NXH010P120MNF1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥23,313.64 税込￥25,645.00
  • 3

    【NXH010P120MNF1PG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥23,313.64 税込￥25,645.00
  • 4

    【MRF448】RF TRANS NPN 50V 211-11

    【MRF448】RF TRANS NPN 50V 211-11
    メーカー名：
    MACOM Technology Solutions
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・周波数 - トランジション：-・雑音指数（fあたりの標準dB）：-・ゲイン：14dB・電力 - 最大：250W・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 5A、10V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：16A・動作温
    ￥43,879.79 税込￥48,267.76
  • 5

    【IAUMN10S5N017GAUMA1】MOSFET_(75V 120V(

    【IAUMN10S5N017GAUMA1】MOSFET_(75V 120V(
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7ミリオーム @
    ￥950.00 税込￥1,045.00
  • 6

    【TW045N120C,S1F】G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO

    【TW045N120C,S1F】G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：59ミリオーム @ 20A、18V・Id印加時のVgs（t
    ￥5,316.10 税込￥5,847.71
  • 7

    【RJK005N03T146】MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3

    【RJK005N03T146】MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：580ミリオーム @ 500mA
    ￥20.10 税込￥22.11
  • 8

    【TIP102G】TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220

    【TIP102G】TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：2.5V @ 80mA、8A・電流 - コレクタ遮断（最大）：50µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1000
    ￥491.43 税込￥540.57
  • 9

    【DSEI2X101-06A】DIODE MODULE GP 600V 96A SOT227B

    【DSEI2X101-06A】DIODE MODULE GP 600V 96A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：96A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.25 V @ 100 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：50 ns・電流 - Vr
    ￥6,571.27 税込￥7,228.39
  • 10

    【TPH1R403NL,L1Q】MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP

    【TPH1R403NL,L1Q】MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.4ミリオーム
    ￥491.43 税込￥540.57
  • 11

    【GB01SLT12-214】DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB

    【GB01SLT12-214】DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
    メーカー名：
    Navitas Semiconductor Inc.
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SiC Schottky MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1200 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.8 V @ 1 A・速度：-・逆回復時間（trr）：0 ns・電流 - Vr印
    ￥993.16 税込￥1,092.47
  • 12

    【MBRA340T3G】DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA

    【MBRA340T3G】DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：450 mV @ 3 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：300 µA @
    ￥194.29 税込￥213.71
  • 13

    【VS-25TTS08STRL-M3】SCR 800V 25A TO-263AB (D2PAK)

    【VS-25TTS08STRL-M3】SCR 800V 25A TO-263AB (D2PAK)
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - オフ状態：800 V・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：2 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：45 mA・電圧 - オン状態（Vtm）（最大）：1.25 V・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：16 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：25 A・電流 - ホ
    ￥1,098.64 税込￥1,208.50
  • 14

    【NZX5V6B,133】DIODE ZENER 5.45V 500MW ALF2

    【NZX5V6B,133】DIODE ZENER 5.45V 500MW ALF2
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NZX・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：5.45 V・許容誤差：±2%・電力 - 最大：500 mW・インピーダンス（最大）（Zzt）：40 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 2 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.5 V @ 200 mA・動作温度：-55°C～17
    ￥40.00 税込￥44.00
  • 15

    【NJVMJD243T4G】TRANS NPN 100V 4A DPAK

    【NJVMJD243T4G】TRANS NPN 100V 4A DPAK
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：4 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小
    ￥282.86 税込￥311.14
  • 16

    【DMN1017UCP3-7】MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3

    【DMN1017UCP3-7】MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、3.3V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 5A、3.3V
    ￥202.86 税込￥223.14
  • 17

    【2N2219 PBFREE】TRANS NPN 30V 0.8A TO-39

    【2N2219 PBFREE】TRANS NPN 30V 0.8A TO-39
    メーカー名：
    Central Semiconductor Corp
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.6V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：10nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100
    ￥722.23 税込￥794.45
  • 18

    【NZX30B,133】DIODE ZENER 29.9V 500MW ALF2

    【NZX30B,133】DIODE ZENER 29.9V 500MW ALF2
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NZX・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：29.9 V・許容誤差：±2%・電力 - 最大：500 mW・インピーダンス（最大）（Zzt）：100 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：50 nA @ 21 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.5 V @ 200 mA・動作温度：-55°C
    ￥41.43 税込￥45.57
  • 19

    【NJVMJD253T4G】TRANS PNP 100V 4A DPAK

    【NJVMJD253T4G】TRANS PNP 100V 4A DPAK
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：4 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：
    ￥294.29 税込￥323.71
  • 20

    【IKCM30F60GDXKMA1】IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD

    【IKCM30F60GDXKMA1】IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CIPOS™・タイプ：IGBT・構成：3相・電流：30 A・電圧：600 V・電圧 - 絶縁：2000Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：24-PowerDIPモジュール（1.028インチ、26.10mm）
    ￥3,895.30 税込￥4,284.83
  • 21

    【1N5626-TR】DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

    【1N5626-TR】DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 3 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：7.5 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @
    ￥775.00 税込￥852.50
  • 22

    【UMH11N-TP】TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363

    【UMH11N-TP】TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
    メーカー名：
    MCC (Micro Commercial Components)
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：2 NPN - プリバイアス（デュアル）・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：50mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・抵抗 - ベース（R1）：10キロオーム・抵抗 - エミッタベース（R2）：10キロオーム・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）
    ￥84.29 税込￥92.71
  • 23

    【V10P10-M3/86A】DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A

    【V10P10-M3/86A】DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：eSMP®, TMBS®・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：10A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：680 mV @ 10 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆
    ￥201.43 税込￥221.57
  • 24

    【BSS138BWAHZGT106】NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI

    【BSS138BWAHZGT106】NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：380mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：680ミリオーム @ 380mA、
    ￥121.43 税込￥133.57
  • 25

    【RD3L07BATTL1】PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3

    【RD3L07BATTL1】PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：70A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12.7ミリオーム @ 70A、10V
    ￥704.17 税込￥774.58
  • 26

    【LSK389C SOIC 8L】LOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH

    【LSK389C SOIC 8L】LOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    メーカー名：
    Linear Integrated Systems
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：LSK389・FETタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：10 mA @ 10 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ
    ￥1,925.89 税込￥2,118.47
  • 27

    【1SS355TE-17】DIODE STANDARD 80V 100MA UMD2

    【1SS355TE-17】DIODE STANDARD 80V 100MA UMD2
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：80 V・電流 - 平均整流（Io）：100mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 100 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：4 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 nA
    ￥48.58 税込￥53.43
  • 28

    【SQA600CEJW-T1_GE3】AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

    【SQA600CEJW-T1_GE3】AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：54.6ミリオーム @
    ￥198.58 税込￥218.43
  • 29

    【IMW65R057M1HXKSA1】SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

    【IMW65R057M1HXKSA1】SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：74ミリオーム @ 16.7A、18V・Id印
    ￥1,584.15 税込￥1,742.56
  • 30

    【SSM6J808R,LF】SSM6J808R PチャンネルMOSFET(digi-reel品) DigiReel商品

    【SSM6J808R,LF】SSM6J808R PチャンネルMOSFET(digi-reel品)
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：35ミリオーム @ 2.5A、10V・Id印加
    ￥215.72 税込￥237.29
  • 31

    【SQ3418EV-T1_GE3】MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP

    【SQ3418EV-T1_GE3】MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 5
    ￥247.15 税込￥271.86
  • 32

    【RF071L4STFTE25】DIODE STANDARD 400V 1A PMDS

    【RF071L4STFTE25】DIODE STANDARD 400V 1A PMDS
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.25 V @ 700 mA・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：25 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA
    ￥157.15 税込￥172.86
  • 33

    【SI4103DY-T1-GE3】MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO

    【SI4103DY-T1-GE3】MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen III・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Ta）、16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds O
    ￥304.29 税込￥334.71
  • 34

    【ADS12B3-ASARH】DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF

    【ADS12B3-ASARH】DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
    メーカー名：
    Sanan Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：Sanan SMBF・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1200 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.35 V @ 1 A・速度：-・逆回復時間（trr）：0 ns・電流 - Vr印加時の逆方向
    ￥260.00 税込￥286.00
  • 35

    【TIP35CW】TRANS NPN 100V 25A TO-247-3

    【TIP35CW】TRANS NPN 100V 25A TO-247-3
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：25 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：4V @ 5A、25A・電流 - コレクタ遮断（最大）：1mA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 15A、4V・電力 -
    ￥606.95 税込￥667.64
  • 36

    【FDT86106LZ】MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4

    【FDT86106LZ】MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：108ミリオ
    ￥458.58 税込￥504.43
  • 37

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥190.00 税込￥209.00
  • 38

    【ISL9V3040P3】Nチャンネルイグニッション用IGBT

    【ISL9V3040P3】Nチャンネルイグニッション用IGBT
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EcoSPARK®・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：430 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：21 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.6V @ 4V、6A・電力 - 最大：150 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイプ：論
    ￥986.31 税込￥1,084.94
  • 39

    【SZMMSZ5233BT1G】DIODE ZENER 6V 500MW SOD123 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SZMMSZ5233BT1G】DIODE ZENER 6V 500MW SOD123 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SZMMSZ52xxxT1G・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：6 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：500 mW・インピーダンス（最大）（Zzt）：7 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 3.5 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：900 mV @ 10 mA・動作温度：
    ￥32.86 税込￥36.14
  • 40

    【SSM3K361R,LF】MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F

    【SSM3K361R,LF】MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：69ミリオーム
    ￥177.15 税込￥194.86
  • 41

    【BAT41】DIODE SCHOTTKY 100V 100MA DO35

    【BAT41】DIODE SCHOTTKY 100V 100MA DO35
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：100mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：450 mV @ 1 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 n
    ￥7.73 税込￥8.50
  • 42

    【DTH3006D】DIODE STANDARD 600V 30A TO220AC

    【DTH3006D】DIODE STANDARD 600V 30A TO220AC
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：30A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：2.4 V @ 30 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：45 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 µA @ 600 V
    ￥374.29 税込￥411.71
  • 43

    【UJ3N065025K3S】JFET N-CH 650V 85A TO247-3

    【UJ3N065025K3S】JFET N-CH 650V 85A TO247-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：650 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：85 A・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）
    ￥3,943.53 税込￥4,337.88
  • 44

    【1N5404RLG】DIODE STANDARD 400V 3A AXIAL

    【1N5404RLG】DIODE STANDARD 400V 3A AXIAL
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 3 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 400 V・V
    ￥88.58 税込￥97.43
  • 45

    【1N4148W】DIODE STANDARD 75V 150MA SOD123F

    【1N4148W】DIODE STANDARD 75V 150MA SOD123F
    メーカー名：
    Diotec Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：75 V・電流 - 平均整流（Io）：150mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.25 V @ 150 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：4 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA
    ￥4.00 税込￥4.40
  • 46

    【BZT03C15-TAP】DIODE ZENER 15V 1.3W SOD57

    【BZT03C15-TAP】DIODE ZENER 15V 1.3W SOD57
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：BZT03・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：15 V・許容誤差：±6%・電力 - 最大：1.3 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：10 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 11 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 500 mA・動作温度：175°C（TJ
    ￥161.43 税込￥177.57
  • 47

    【20SQ045-1】DIODE SCHOTTKY 45V 20A R6

    【20SQ045-1】DIODE SCHOTTKY 45V 20A R6
    メーカー名：
    SMC Diode Solutions
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：45 V・電流 - 平均整流（Io）：20A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：550 mV @ 20 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 µA
    ￥194.29 税込￥213.71
  • 48

    【BZX79C3V6】DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

    【BZX79C3V6】DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：3.6 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：500 mW・インピーダンス（最大）（Zzt）：90 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：15 µA @ 1 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.5 V @ 100 mA・動作温度：-65°C～200°C・グレード：-
    ￥48.58 税込￥53.43
  • 49

    【TIP107G】TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220

    【TIP107G】TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP - ダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：2.5V @ 80mA、8A・電流 - コレクタ遮断（最大）：50µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1000
    ￥385.72 税込￥424.29
  • 50

    【RQ5L030ATTCL】PCH -60V -3.0A, SOT-346T, SMALL

    【RQ5L030ATTCL】PCH -60V -3.0A, SOT-346T, SMALL
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：99ミリオーム @ 3A、10V・Id印
    ￥198.58 税込￥218.43
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