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ディスクリート半導体製品(DigiKey)

検索結果 339,645件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):5.1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 255mA、5.1A・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io):100mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):450 mV @ 1 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:100 n
    5.41 税込¥5.95
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TRENCHSTOP™・IGBTタイプ:トレンチ型フィールドストップ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):80 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):300 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.65V @ 15V、75A・電力 - 最大:338 W
    1,445.68 税込¥1,590.24
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:BIMOSFET™・IGBTタイプ:-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):3000 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):80 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):280 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:3.2V @ 15V、32A・電力 - 最大:400 W・スイッチングエネルギー:-・
    13,128.74 税込¥14,441.61
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):35A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):120ミリオーム @ 20A、15V・Id印加時の
    1,808.24 税込¥1,989.06
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io):150mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):450 mV @ 10 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA
    4.85 税込¥5.33
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):260A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.9ミリオーム @
    1,197.27 税込¥1,316.99
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:2.5V @ 80mA、8A・電流 - コレクタ遮断(最大):50µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):1000
    481.43 税込¥529.57
  • メーカー名:
    Taiwan Semiconductor
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):90 V・電流 - 平均整流(Io):150mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 150 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):4 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):620 mV @ 1 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @
    151.43 税込¥166.57
  • メーカー名:
    Wolfspeed
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:C3M™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):90ミリオーム @ 20A、15V・Id印加時のVg
    2,590.59 税込¥2,849.64
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET® Gen IV・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):48.7A(Ta)、218A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds
    961.65 税込¥1,057.81
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):150 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):875 mV @ 1 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):25 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 µA @ 150 V・Vr、
    3,361.18 税込¥3,697.29
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):435A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.15ミリオーム @ 200A、10V・Id印加時のVg
    4,707.06 税込¥5,177.76
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):56A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.3ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時のV
    488.58 税込¥537.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™ Gen 2・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):103A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.2ミリオーム @
    3,142.36 税込¥3,456.59
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:1組共通カソード・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):200 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):10A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):860 mV @ 10 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流
    442.86 税込¥487.14
  • メーカー名:
    MACOM Technology Solutions
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):3V・電流 - 最大:20 mA・Vr、F印加時の静電容量:0.3pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗:-・電力散逸(最大):-・動作温度:-65°C~125°C(TJ)・グレード:-・認定:-・パッケージ/ケース:SC-
    411.43 税込¥452.57
  • メーカー名:
    Central Semiconductor Corp
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):180 V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.1 V @ 200 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 nA @
    165.72 税込¥182.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):40ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時の
    1,075.35 税込¥1,182.88
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eSMP®・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):480 mV @ 1 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:200 µ
    80.00 税込¥88.00
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:2独立・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):45 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):120A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):670 mV @ 120 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr
    4,810.59 税込¥5,291.64
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):400 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.1 V @ 1 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 400 V・
    95.72 税込¥105.29
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル・周波数:150MHz・ゲイン:11dB・電圧 - テスト:50 V・定格電流(A):1mA・雑音指数:-・電流 - テスト:250 mA・電源 - 出力:150W・電圧 - 定格:170 V・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:M174・サプライヤ
    12,642.53 税込¥13,906.78
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:2独立・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):200 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):65A(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.13 V @ 60 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):42 ns・電流 -
    4,897.65 税込¥5,387.41
  • メーカー名:
    SEMITEC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:S・アノード/カソード間電圧 (Vak)(最大):100V・レギュレータ電流(最大):1.3mA・電圧 - 制限(最大):1.7V・電力 - 最大:500mW・用途:電池充電器・動作温度:-40°C~150°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:2-SMD、フラットリード・サプラ
    491.43 税込¥540.57
  • メーカー名:
    SEMITEC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:S・アノード/カソード間電圧 (Vak)(最大):100V・レギュレータ電流(最大):2.3mA・電圧 - 制限(最大):2.3V・電力 - 最大:500mW・用途:電池充電器・動作温度:-40°C~150°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:2-SMD、フラットリード・サプラ
    491.43 税込¥540.57
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):40 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:170mV @ 200mA、2A・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
    140.00 税込¥154.00
  • メーカー名:
    Wolfspeed
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:C3M™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28.8ミリオーム @ 50A、15V・Id印加時
    5,375.87 税込¥5,913.45
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11A(Ta)、20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):10ミリ
    371.43 税込¥408.57
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:KDZV・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):38 V・許容誤差:-・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 27 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・動作温度:150°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パ
    94.29 税込¥103.71
  • メーカー名:
    UMW
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:UMW・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1.5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):25 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 80mA、800mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
    44.29 税込¥48.71
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):30 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):15 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA @ 22.8 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~150°
    78.58 税込¥86.43
  • メーカー名:
    MACOM Technology Solutions
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー - 1ペア直列接続・電圧 - ピーク逆方向(最大):1.5V・電流 - 最大:-・Vr、F印加時の静電容量:-・If、F印加時の抵抗:-・電力散逸(最大):-・動作温度:-65°C~125°C(TJ)・グレード:-・認定:-・パッケージ/ケース:TO-236-3、SC-59、S
    337.15 税込¥370.86
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):90 V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):490 mV @ 200 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:900
    68.58 税込¥75.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:1SMA59xxBT3G・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):39 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1.5 W・インピーダンス(最大)(Zzt):45 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA @ 29.7 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作
    84.29 税込¥92.71
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.8ミリオーム @ 11
    277.15 税込¥304.86
  • メーカー名:
    Diotec Semiconductor
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):16000 V・電流 - 平均整流(Io):5mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):60 V @ 10 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):80 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:2 µA @
    174.29 税込¥191.71
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TMBS®・ダイオード構成:1組共通カソード・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):30A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):790 mV @ 30 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-
    392.86 税込¥432.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):6.2 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:3 W・インピーダンス(最大)(Zzt):2 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 4 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~200°C・グレー
    90.00 税込¥99.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PDZVTF・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):28.9 V・許容誤差:±7.04%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):16 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 21 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・動作温度:150°C(TJ)・グレード:自動
    98.58 税込¥108.43
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):50nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):100 @ 150mA、
    5,693.11 税込¥6,262.42
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トライアックタイプ:標準・電圧 - オフ状態:800 V・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):40 A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):1.3 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz(Itsm):400A、420A・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):50 mA・電流 - ホールド(Ih)(
    1,978.83 税込¥2,176.71
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):9.1 V・許容誤差:±2%・電力 - 最大:400 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):15 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA @ 6 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):900 mV @ 10 mA・動作温度:-65°C~200
    45.72 税込¥50.29
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):60A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.7ミリオーム @ 30
    442.86 税込¥487.14
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io):700mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):850 mV @ 700 mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:15
    95.72 税込¥105.29
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):48A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.8ミリオーム @ 25A、5V・Id印加時
    1,120.55 税込¥1,232.60
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):34 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):12A(Ta)、44A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.2ミ
    201.43 税込¥221.57
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):31A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):104ミリオーム @ 10A、18V・Id印加時のVgs(
    4,164.71 税込¥4,581.18
  • メーカー名:
    Taiwan Semiconductor
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:GBPC15・ダイオードタイプ:単相・技術:標準・電圧 - ピーク逆方向(最大):400 V・電流 - 平均整流(Io):15 A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.1 V @ 7.5 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 400 V・動作温度:-55°C~150°C(TJ)・グレード:-・認定:-
    983.57 税込¥1,081.92
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