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新規掲載品  [ メーカー:インフィニオン ]の検索結果

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検索結果: 150 件 / 全 205
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    インフィニオン
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    6個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):92ミリオーム @ 2.
    25.00 税込¥27.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    50個
    商品説明
    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズ-・DigiKeyプログラマブル未検証・駆動構成ハーフブリッジ・チャンネルタイプ独立・ドライバ数2・ゲートタイプIGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH0.8V、3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク)210mA、360mA・入力タイプ非反転・ハイサイド電圧
    67.00 税込¥73.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    3個
    商品説明
    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズSIPMOSR・FETタイプPチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)330mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)2オーム @ 330mA、10V・Id印
    20.00 税込¥22.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    7個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:3.3V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:6V、9.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):2A、2A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):500V
    200.00 税込¥220.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    3個
    商品説明
    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズHEXFETR・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)10.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)14ミリオーム @ 15A、4.5V・Id印加時
    10.00 税込¥11.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    8個
    10.00 税込¥11.00
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    即納在庫数:
    3個
    商品説明
    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズHITFETR・スイッチタイプ汎用・出力数1・レシオ - 入力:出力1:1・出力構成ローサイド・出力タイプNチャンネル・インターフェースオン/オフ・電圧 - 負荷60V(最大)・電圧 - 電源(Vcc/Vdd)不要・電流 - 出力(最大)5A・Rds On(標準)28ミリオーム・入力タイプ非反転・特長-・フォールト保護
    122.00 税込¥134.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    1個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズPVN, HEXFETR・取り付けタイプ面実装・回路SPST-NO(1フォームA)・出力タイプAC、DC・電圧 - 入力1.2VDC・電圧 - 負荷0 V ~ 20 V・負荷電流2.5 A・オン状態抵抗値(最大)100 mOhms・終端スタイルガルウィング・動作温度-40°C~85°C・パッケージ/ケース6-SMD(0.300インチ
    100.00 税込¥110.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    即納在庫数:
    13個
    商品説明
    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズOptiMOS?・FETタイプPチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)25.4A(Ta)、100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)3ミリオーム @ 50A
    100.00 税込¥110.00
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    3個
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    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズ-・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)35A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)39ミリオーム @ 21A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大)5V @
    96.00 税込¥105.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    1個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):75V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):170A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.5ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時
    170.00 税込¥187.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    9個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズHEXFETR・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)120A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)4.2ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時のVgs(th)(
    82.00 税込¥90.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    1個
    商品説明
    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズHEXFETR・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)4.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)45ミリオーム @ 4.2A、4.5V・
    22.00 税込¥24.00
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    インフィニオン
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    10個
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    ●仕様・極性・Vdss[V]・Id[A]650V・Ron[Ohm]31.2A(Tc)・Vth[V]110ミリオーム @ 12.7A、10V・Qg[C]4.5V @ 1.3mA・パッケージ118nC @ 10V
    216.00 税込¥237.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    1個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズHEXFETR・FETタイプPチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)42A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)20ミリオーム @ 42A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大
    123.00 税込¥135.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    8個
    商品説明
    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズHEXFETR・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)110A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)8ミリオーム @ 62A、10V・Id印加時のVgs
    116.00 税込¥127.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    即納在庫数:
    3個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 10A、1
    50.00 税込¥55.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    即納在庫数:
    2個
    商品説明
    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズHEXFETR・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)28A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)40ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時の
    45.00 税込¥49.00
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    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    3個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズ-・DigiKeyプログラマブル未検証・駆動構成ハーフブリッジ・チャンネルタイプ同期・ドライバ数2・ゲートタイプIGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH0.8V、3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク)210mA、360mA・入力タイプ非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブ
    111.00 税込¥122.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズHEXFETR・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)140A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)4.5ミリオーム @ 15A、10V・Id印加時のVgs
    96.00 税込¥105.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    3個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズHEXFETR・FETタイプPチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)31A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)65ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大
    10.00 税込¥11.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2個
    商品説明
    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズHEXFETR・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)1.9A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)160ミリオーム @ 1.9A、10V・Id印加時の
    35.00 税込¥38.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    4個
    商品説明
    ●仕様・パッケージバルク・シリーズ-・タイプオーディオ・機能MEMS無指向性マイクロフォン・組み込み製品-・使用IC/部品IM69D120V01XTSA1・主要属性-・副次属性デジタル出力・内訳ボード
    1,000.00 税込¥1,100.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    4個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):63ミリオーム @ 3
    20.00 税込¥22.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    箱番号:
    2418-12
    箱番号の使い方
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    513個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。【仕様】・パッケージ:SOIC 8ピン・機能:・電源電圧範囲VDD:10V~20V・ロジック入力レベルVIH:2.5V(min)・ロジック入力レベルVIL:0.8V(max)・出力抵抗(max):・出力抵抗条件:・Rise Time(max):130ns・Fall Time(ma
    100.00 税込¥110.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    10個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。Arm Cortex-M3コアを搭載した3相モータードライバTLE9872QXA40は、Armマイコンにより高度なモーター制御アルゴリズムの実装を可能にする3相モータードライバICです。6つの外部NchパワーMOSFETを使用して3相モーターを駆動するための6つのMOSFETドラ
    465.00 税込¥511.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    箱番号:
    2418-12
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    549個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。【仕様】・パッケージ:SOIC 8ピン・機能:・電源電圧範囲VDD:10V~20V・ロジック入力レベルVIH:2.5V(min)・ロジック入力レベルVIL:0.8V(max)・出力抵抗(max):・出力抵抗条件:・Rise Time(max):130nS・Fall Time(ma
    100.00 税込¥110.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):25A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):72.5ミリオーム @ 15A、10V・Id印加時のVgs(
    100.00 税込¥110.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    8個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・タイプ:ツエナー・一方向チャンネル:2・双方向チャンネル:-・電圧 - 逆スタンドオフ(標準):5.3V(最大)・電圧 - ブレークダウン(最小):6V・電圧 - クランピング(最大)@ Ipp:15V・電流 - ピークパルス(1/1μs):3A(8/20μs)・電力 - ピークパルス:-・パワーライン保護
    25.00 税込¥27.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    8個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):21ミリオーム @ 6
    20.00 税込¥22.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2個
    商品説明
    ●仕様・パッケージトレイ・シリーズ-・IGBTタイプトレンチ型フィールドストップ・構成ハーフブリッジ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)1200 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大)50 A・電力 - 最大285 W・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic2.15V @ 15V、50A・電流 - コレクタ遮断(最大)1 mA・入力静電容量(Cies)
    3,000.00 税込¥3,300.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    6個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズCoolMOS?・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)60A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)45ミリオーム @ 44A、10V・Id印加時のVgs(th)(
    730.00 税込¥803.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    3個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズCoolMOS? C3・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)800 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)54.9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)85ミリオーム @ 32.6A、10V・Id印加時のV
    690.00 税込¥759.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    10個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズCoolMOS?・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)68.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)41ミリオーム @ 33.1A、10V・Id印加時のVgs(
    600.00 税込¥660.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    3個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズCoolMOS? P6・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)77.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)41ミリオーム @ 35.5A、10V・Id印加時のV
    470.00 税込¥517.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    12個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:3.3V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:6V、9.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):2A、2A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラッ
    100.00 税込¥110.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    1個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズCoolMOS?・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)43.3A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)80ミリオーム @ 17.6A、10V・Id印加時のVgs(
    500.00 税込¥550.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズCoolMOS?・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)31A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)99ミリオーム @ 18A、10V・Id印加時のVgs(th)(
    380.00 税込¥418.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    10個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズCoolMOS? C7・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)46A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)45ミリオーム @ 24.9A、10V・Id印加時のVgs
    460.00 税込¥506.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズCoolMOS? P6・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)53.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)70ミリオーム @ 20.6A、10V・Id印加時のV
    310.00 税込¥341.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    10個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS?・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Ta)、100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.6ミリ
    190.00 税込¥209.00
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    3個
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    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズTrenchStop?・IGBTタイプトレンチ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大)80 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm)300 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic1.75V @ 15V、75A・電力 - 最大395 W・スイッチングエネルギー2.4mJ(オ
    310.00 税込¥341.00
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    10個
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    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズOptiMOS?・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)88A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)11ミリオーム @ 88A、10V・Id印加時のVgs(th)(
    240.00 税込¥264.00
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    3個
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    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズTrenchStopR・IGBTタイプトレンチ型フィールドストップ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)1200 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大)50 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm)100 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic2.4V @ 15V、25A・電力 - 最大326 W・スイッチングエネ
    280.00 税込¥308.00
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    14個
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    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):150ミリオーム @ 11A、10
    90.00 税込¥99.00
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    2個
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    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズOptiMOS?・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)64A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)20ミリオーム @ 64A、10V・Id印加時のV
    360.00 税込¥396.00
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    10個
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    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズOptiMOS?・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)300A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)1.2ミリオーム @ 150A、10V・Id
    270.00 税込¥297.00
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    3個
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    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズCoolMOS?・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)31A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)99ミリオーム @ 18A、10V・Id印加時のVgs(th)(
    340.00 税込¥374.00
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    4個
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    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズOptiMOS?・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)120 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)180A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)3.6ミリオーム @ 100A、10V・Id印加
    320.00 税込¥352.00
DigiReelの説明
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