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新規掲載品  [ メーカー:インフィニオン ]の検索結果

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検索結果: 150 件 / 全 138
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    インフィニオン
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    2個
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    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズXENSIV?・タイプMEMS(シリコン)・出力タイプアナログ・方向ノイズ消去・周波数範囲20 Hz ~ 20 kHz・感度-38dB・S/N比73dB・インピーダンス-・電圧 - 定格2.75 V・電圧範囲1.52 V ~ 3 V・電流 - 供給170 μA・ポート位置上・定格値-・終端はんだパッド・サイズ/寸法長さ
    100.00 税込¥110.00
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    インフィニオン
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    即納在庫数:
    2個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズOptiMOS?・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)80A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)5.7ミリオーム @ 80A、10V・Id印加時のVgs(t
    115.00 税込¥126.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    即納在庫数:
    3個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズ-・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)35A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)39ミリオーム @ 21A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大)5V @
    96.00 税込¥105.00
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    インフィニオン
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    1個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズHEXFETR・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)42A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)36ミリオーム @ 22A、10V・Id印加時のVgs(th)(最
    116.00 税込¥127.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    即納在庫数:
    10個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズHEXFETR・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)120A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)4.2ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時のVgs(th)(
    82.00 税込¥90.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    8個
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    ●特長・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):75A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6.5ミリオーム @ 66A、10V・Id印加時の
    100.00 税込¥110.00
  • メーカー名:
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    即納在庫数:
    3個
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    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズHEXFETR・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)30A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)28ミリオーム @ 23A、10V・Id印加
    75.00 税込¥82.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    即納在庫数:
    3個
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    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズOptiMOS?・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)13A(Ta)、49A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)9.3ミリオーム @ 40
    35.00 税込¥38.00
  • メーカー名:
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    20個
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    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズHEXFETR・FETタイプPチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)3.6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)64ミリオーム @ 3.6A、10V・Id
    18.00 税込¥19.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    1個
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    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズHEXFETR・FETタイプPチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)42A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)20ミリオーム @ 42A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大
    123.00 税込¥135.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    1個
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    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズ-・IGBTタイプトレンチ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)600 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大)96 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm)144 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic2.14V @ 15V、48A・電力 - 最大330 W・スイッチングエネルギー625μJ(電源投入時)、1.28
    10.00 税込¥11.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    5個
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    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):175ミリオーム @ 6.6A、10
    60.00 税込¥66.00
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    10個
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    ●仕様・極性・Vdss[V]・Id[A]650V・Ron[Ohm]31.2A(Tc)・Vth[V]110ミリオーム @ 12.7A、10V・Qg[C]4.5V @ 1.3mA・パッケージ118nC @ 10V
    216.00 税込¥237.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    8個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズHEXFETR・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)600ミリオーム @ 2.9A、10V・Id印加時のVgs(th)(
    60.00 税込¥66.00
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    最小2,500個から購入可能
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    【仕様】
    244.59 税込¥269.04
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    最小5,000個から購入可能
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    【仕様】
    197.90 税込¥217.69
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    最小5,000個から購入可能
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    【仕様】
    205.51 税込¥226.06
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    最小2,500個から購入可能
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    【仕様】
    267.69 税込¥294.45
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    最小6,000個から購入可能
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    【仕様】
    189.35 税込¥208.28
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    最小6,000個から購入可能
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    【仕様】
    181.77 税込¥199.94
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    【仕様】
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    【仕様】
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    【仕様】
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    インフィニオン
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    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】
    523.64 税込¥576.00
  • メーカー名:
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    7個
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    ●特長・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:3.3V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:6V、9.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):2A、2A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):500V
    200.00 税込¥220.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    12個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:3.3V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:6V、9.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):2A、2A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラッ
    100.00 税込¥110.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    10個
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    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS?・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Ta)、100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.6ミリ
    190.00 税込¥209.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    14個
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    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):150ミリオーム @ 11A、10
    90.00 税込¥99.00
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    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    3個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:NおよびPチャンネル・FET機能:標準・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A、3A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):50ミリオーム @ 2.4A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):1V @ 250μA・Vg
    60.00 税込¥66.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    4個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):600ミリオーム @ 2.9A、10
    60.00 税込¥66.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・周波数:0Hz~3GHz・P1dB:-・ゲイン:18.5dB・雑音指数:2.2dB・RFタイプ:汎用・電圧 - 供給:2V~5V・電流 - 供給:25mA・テスト周波数:1.8GHz・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:SC-82A、SOT-343・サプライヤデバイスパッケージ:PG-SOT343-
    40.00 税込¥44.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    5個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):90ミリオーム @ 9A、10V・
    85.00 税込¥93.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    1個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):75V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):170A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.5ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時
    170.00 税込¥187.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    10個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):92ミリオーム @ 2.
    25.00 税込¥27.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    13個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・周波数:1.55GHz~1.615GHz・P1dB:-16dBm・ゲイン:20dB・雑音指数:0.65dB・RFタイプ:GPS/GNSS・電圧 - 供給:1.5V~3.6V・電流 - 供給:3.6mA・テスト周波数:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:6-XFDFN・サプライヤデバイスパッケージ
    20.00 税込¥22.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    7個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:Automotive, AEC-Q101・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):10V・電流 - 平均整流(Io):3A(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):370mV @ 1A・速度:高速回復 = 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印
    20.00 税込¥22.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    4個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):63ミリオーム @ 3
    20.00 税込¥22.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    3個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS?・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11A(Ta)、55A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):12.3ミリ
    90.00 税込¥99.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    3個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 10A、1
    50.00 税込¥55.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS?・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):190mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6オーム @ 19
    10.00 税込¥11.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    1個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):115ミリオーム @ 10A、10
    75.00 税込¥82.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    3個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS?・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):190mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6オーム @ 19
    15.00 税込¥16.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    3個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40V・電流 - 平均整流(Io):120mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1V @ 40mA・速度:小信号 =・逆回復時間(trr):100ps・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1μA @ 30V・Vr、F印
    15.00 税込¥16.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    5個
    商品説明
    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズ-・タイプツエナー・一方向チャンネル2・双方向チャンネル-・電圧 - 逆スタンドオフ(標準)24V(最大)・電圧 - ブレークダウン(最小)26V・電圧 - クランピング(最大)@ Ipp41V・電流 - ピークパルス(10/1000μs)5A(8/20μs)・電力 - ピークパルス230W・パワーライン保護なし・用途
    20.00 税込¥22.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズPVG, HEXFETR・取り付けタイプ面実装・回路SPST-NO(1フォームA)・出力タイプAC、DC・電圧 - 入力1.2VDC・電圧 - 負荷0 V ~ 60 V・負荷電流2 A・オン状態抵抗値(最大)100 mOhms・終端スタイルガルウィング・動作温度-40°C~85°C・パッケージ/ケース6-SMD(0.300インチ、7
    453.00 税込¥498.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    1個
    商品説明
    ●仕様・パッケージチューブ・シリーズPVN, HEXFETR・取り付けタイプ面実装・回路SPST-NO(1フォームA)・出力タイプAC、DC・電圧 - 入力1.2VDC・電圧 - 負荷0 V ~ 20 V・負荷電流2.5 A・オン状態抵抗値(最大)100 mOhms・終端スタイルガルウィング・動作温度-40°C~85°C・パッケージ/ケース6-SMD(0.300インチ
    100.00 税込¥110.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    3個
    商品説明
    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズ-・トランジスタタイプNPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)5.5V・周波数 - トランジション25GHz・雑音指数(fあたりの標準dB)1.1dB @ 1.8GHz・ゲイン19.5dB・電力 - 最大160mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)60 @ 5mA、4V・電流 - コ
    10.00 税込¥11.00
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    3個
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    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズ-・トランジスタタイプNPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)4.7V・周波数 - トランジション45GHz・雑音指数(fあたりの標準dB)0.55dB~1.8dB @ 150MHz~10GHz・ゲイン8.5dB ~30.5dB・電力 - 最大160mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最
    25.00 税込¥27.00
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    3個
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    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズSIPMOSR・FETタイプPチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)330mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)2オーム @ 330mA、10V・Id印
    20.00 税込¥22.00
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    5個
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    ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズSIPMOSR・FETタイプPチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)170mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)8オーム @ 170mA、10V・Id印
    10.00 税込¥11.00
DigiReelの説明
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