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検索結果 39,536件中150件目
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:EZ-USB FX2LP™・DigiKeyプログラマブル:未検証・用途:USBマイクロコントローラ・コアプロセッサ:8051・プログラムメモリタイプ:ROMなし・コントローラシリーズ:CY7C680xx・RAMサイズ:16K x 8・インターフェース:I2C、USB、USART・I/O数:24・電圧 - 供給:3V~3.6V・動
    2,081.02 税込¥2,289.12
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.5ミリオーム
    745.84 税込¥820.42
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:MOBL™・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:揮発性・メモリフォーマット:SRAM・技術:SRAM - 非同期・メモリサイズ:8Mビット・メモリ構成:512K x 16・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:45ns・アクセス時間:45
    2,348.24 税込¥2,583.06
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:PSOC™ 4 CY8C42xx・DigiKeyプログラマブル:未検証・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M0・コアサイズ:32ビット・速度:48MHz・接続性:I2C、IrDA、LINbus、Microwire、スマートカード、SPI、SSP、UART/USART・ペリフェラル:ブラウンアウト検出/リセット、CapS
    1,387.18 税込¥1,525.89
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・技術:磁気性カップリング・チャンネル数:1・電圧 - 絶縁:5000Vrms・コモンモード過渡耐性(最小):-・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):-・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):-・電流 - 出力高、低:-・電流 - ピーク出力:-・電圧 - 順方向(V
    1,573.50 税込¥1,730.85
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:PSOC™ 4・タイプ:MCU 32ビット・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M0+・プラットフォーム:-・使用IC/部品:-・取り付けタイプ:固定・内訳:ボード
    4,838.83 税込¥5,322.71
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:HYPERRAM™・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:揮発性・メモリフォーマット:PSRAM・技術:PSRAM(擬似SRAM)・メモリサイズ:256Mビット・メモリ構成:32M x 8・メモリインターフェース:HyperBus・クロック周波数:200 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:35ns・
    1,835.30 税込¥2,018.83
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolMOS™ C7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):33A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 17.
    1,994.12 税込¥2,193.53
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EZ-PD™ CCG5・DigiKeyプログラマブル:未検証・用途:USB Type C・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M0・プログラムメモリタイプ:フラッシュ(128kB)・コントローラシリーズ:-・RAMサイズ:12K x 8・インターフェース:I2C、SPI、UART/USART、USB・I/O
    1,383.34 税込¥1,521.67
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    MOSFET N 40V 280A TO-220 Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:280A Drain Source Voltage Vds:40V On Resistance Rds(on):0.0023ohm Rds(on) Test Voltage Vgs:10V Thr
    932.00 税込¥1,025.00
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):290mA、600mA・入力タ
    305.72 税込¥336.29
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:5V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.9V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):200mA、350mA・入力タイ
    398.58 税込¥438.43
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SIPMOS®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.9A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):300ミリオーム @ 1.9A、1
    337.15 税込¥370.86
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):117ミリオーム @ 13A、10V・Id印加時
    1,017.81 税込¥1,119.59
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):80A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8.6ミリオーム @ 73A、10V・I
    652.78 税込¥718.05
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:HL-T・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:フラッシュ・技術:FLASH - NOR・メモリサイズ:512Mビット・メモリ構成:64M x 8・メモリインターフェース:SPI - クワッドI/O・クロック周波数:166 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-・アクセス
    1,984.71 税込¥2,183.18
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):45ミリオーム @ 4
    157.15 税込¥172.86
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):35A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):74ミリオーム @ 16.7A、18V・Id印
    2,072.95 税込¥2,280.24
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハイサイド、ローサイド・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):4A、4A・入力タイプ:
    560.00 税込¥616.00
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):11ミリオーム @ 1
    1,225.34 税込¥1,347.87
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:PSOC™ 6・タイプ:トランシーバ;Bluetooth® 5.x(BLE)・周波数:2.4GHz・内訳:ボード、ケーブル・アンテナタイプ:-・使用IC/部品:CYBLE-416045-02
    4,552.95 税込¥5,008.24
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:PIN - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):150V・電流 - 最大:100 mA・Vr、F印加時の静電容量:0.35pF @ 20V、1MHz・If、F印加時の抵抗:1.35オーム @ 100mA、100MHz・電力散逸(最大):250 mW・動作温度:150°C(TJ)・グレー
    35.72 税込¥39.29
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    17個
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    高速アクセスを備えた高密度6Mビットパラレルフラッシュメモリ70nsの高速アクセスと高度なデータ保護機能、効率的な省電力機能を備えた、3.0V専用の16Mビットフラッシュメモリです。標準EPROMプログラマとの互換性を備え、さまざまなアプリケーションで信頼性と柔軟性に優れたパフォーマンスを提供します。●特長・単一電源動作・110nmプロセス技術・セキュアドシリコンセク
    634.00 税込¥697.00
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:F-RAM™・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:FRAM・技術:FRAM(強誘電体RAM)・メモリサイズ:256Kビット・メモリ構成:32K x 8・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:130ns・アクセス時間:-・電圧
    3,583.53 税込¥3,941.88
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):210mA、360mA・入力タイプ:非反転・ハイ
    1,063.02 税込¥1,169.32
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):100ミリオーム @ 2
    115.72 税込¥127.29
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):650 V・電流 - 平均整流(Io):150A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.7 V @ 75 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):108 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:40 µA @ 650
    1,094.53 税込¥1,203.98
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:3層・ドライバ数:6・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.2V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):250mA、500mA・入力タ
    1,691.67 税込¥1,860.83
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):45 V・電流 - 平均整流(Io):750mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):600 mV @ 200 mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10
    151.43 税込¥166.57
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    2026/06/01 9:00 現在 ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V
    320.00 税込¥352.00
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    2026/06/01 9:00 現在 ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V
    383.00 税込¥421.00
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolMOS™ P7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):360ミリオーム @ 2.7A、10V・I
    498.58 税込¥548.43
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):161A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.3ミリオーム @ 1
    355.72 税込¥391.29
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    544.29 税込¥598.71
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):180mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.5オーム @ 1
    74.29 税込¥81.71
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    2552-11
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    商品説明
    【ご注意事項】本商品は、当社在庫品の一部を数量限定の特別価格にてご提供しております。販売数量には限りがあり、当社規定数に達し次第、予告なく特別価格での販売を終了させていただきます。自社在庫以上のお取り寄せについては特別価格は適用できませんので、あらかじめご了承ください。【仕様】・パッケージ:TO-220AB・構造:・VDSS:200V・ID:18A・Pc(Tc=25℃
    182.00 税込¥200.00
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    即納在庫数:
    14個
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:14Lead PDIP・機能:HIGH AND LOW SIDE DRIVER・動作電圧:10V〜20V
    684.00 税込¥752.00
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    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・周波数:0Hz~3GHz・P1dB:-2.5dBm・ゲイン:13dB・雑音指数:2.3dB・RFタイプ:汎用・電圧 - 供給:3V~6V・電流 - 供給:6.7mA・テスト周波数:1GHz・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:SC-82A、SOT-343・サプライヤデバイスパッ
    247.15 税込¥271.86
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):63ミリオーム @ 3
    130.00 税込¥143.00
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    即納在庫数:
    324個
    商品説明
    HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
    45.00 税込¥49.00
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    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):320mA(Ta)、550mA(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.7オーム
    92.86 税込¥102.14
  • メーカー名:
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    商品説明
    AUDIO POWER AMPLIFIER CLASS D NSOIC-16 Output Power:500W Amplifier Class:D No. of Channels:1 Channel Supply Voltage Range:10V to 18V Amplifier Case Style:NSOIC No. of Pins:16Pins Load I
    636.00 税込¥699.00
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    即納在庫数:
    6個
    商品説明
    ●特長・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFETR・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):92ミリオーム @ 2.
    25.00 税込¥27.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・周波数:0Hz~2.7GHz・P1dB:18dBm・ゲイン:19dB・雑音指数:2.5dB・RFタイプ:CDMA、GSM、PCS・電圧 - 供給:-・電流 - 供給:-・テスト周波数:1GHz・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:SC-82A、SOT-343・サプライヤデバイス
    377.15 税込¥414.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    即納在庫数:
    417個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。極めて低いオン抵抗を実現した55V/19AのPチャネルパワーMOSFETです。約50Wまでのアプリケーションに適した低熱抵抗でコストパフォーマンスのよいパッケージで提供されます。●特長・100kHz以下のスイッチングアプリケーションに最適化・大電流に対応したパッケージ・ウェーブは
    93.00 税込¥102.00
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・タイプ:リニア・トポロジ:定電流・内部スイッチ:なし・出力数:1・電圧 - 供給(最小):6V・電圧 - 供給(最大):42V・電圧 - 出力:42V・電流 - 出力/チャンネル:100mA・周波数:-・調光:PWM・用途:LED照明・動作温度:-40°C~150°C(TJ)・グレード:-・認定:-・取り付けタ
    92.86 税込¥102.14
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    インフィニオン
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    最小1,175個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:PSOC™ 4 CY8C42xx・DigiKeyプログラマブル:未検証・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M0・コアサイズ:32ビット・速度:48MHz・接続性:I2C、IrDA、LINbus、Microwire、スマートカード、SPI、SSP、UART/USART・ペリフェラル:ブラウンアウト検出/リセット、CapS
    500.97 税込¥551.06
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・IGBTタイプ:-・構成:3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1200 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):75 A・電力 - 最大:280 W・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2.15V @ 15V、50A・電流 - コレクタ遮断(最大):5 mA・入力静電容量(Cies) @
    18,402.30 税込¥20,242.53
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:PSOC™ 4 CY8C42xx - M・DigiKeyプログラマブル:未検証・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M0・コアサイズ:32ビット・速度:48MHz・接続性:I2C、IrDA、LINbus、Microwire、スマートカード、SPI、SSP、UART/USART・ペリフェラル:ブラウンアウト検出/リセット、C
    1,163.02 税込¥1,279.32
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:PSOC™ 4 CY8C4100・DigiKeyプログラマブル:未検証・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M0・コアサイズ:32ビット・速度:24MHz・接続性:I2C、IrDA、LINbus、Microwire、スマートカード、SPI、SSP、UART/USART・ペリフェラル:ブラウンアウト検出/リセット、CapSe
    1,049.32 税込¥1,154.25
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