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すべてのジャンル  [ メーカー:インフィニオン ]の検索結果

検索結果 46,459件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CIPOS™・タイプ:IGBT・構成:3相・電流:30 A・電圧:600 V・電圧 - 絶縁:2000Vrms・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:スルーホール・パッケージ/ケース:24-PowerDIPモジュール(1.028インチ、26.10mm)
    3,524.71 税込¥3,877.18
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TRENCHSTOP™・IGBTタイプ:トレンチ型フィールドストップ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):80 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):300 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.65V @ 15V、75A・電力 - 最大:338 W
    1,466.73 税込¥1,613.40
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:12V~18V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.2V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):1.6A、3.3A・入力タイプ:非反転・ハイ
    740.28 税込¥814.30
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・技術:静電容量カップリング・チャンネル数:2・電圧 - 絶縁:5700Vrms・コモンモード過渡耐性(最小):200kV/µs・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):40ns、40ns・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):20ns、20ns(最大)・電流 - 出力高
    517.15 税込¥568.86
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):35A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):39ミリオーム @ 21A、10V・Id印加時の
    485.72 税込¥534.29
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・DigiKeyプログラマブル:-・駆動構成:ハイサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:8V~125V・論理電圧 - VIL、VIH:1V、1.15V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-、1A・入力タイプ:非反
    358.58 税込¥394.43
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:F-RAM™・DigiKeyプログラマブル:検証済み・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:FRAM・技術:FRAM(強誘電体RAM)・メモリサイズ:16Kビット・メモリ構成:2K x 8・メモリインターフェース:I2C・クロック周波数:1 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-・アクセス時間
    391.43 税込¥430.57
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:5V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.9V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):200mA、350mA・入力タイプ
    321.43 税込¥353.57
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11A(Ta)、20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):10ミリ
    377.15 税込¥414.86
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PROFET®・スイッチタイプ:汎用・出力数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・出力構成:ハイサイド・出力タイプ:Nチャンネル・インターフェース:オン/オフ・電圧 - 負荷:5.5V~38V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):不要・電流 - 出力(最大):33A・Rds On(標準):10ミリオーム・入力タイプ
    644.45 税込¥708.89
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    浜松物流センター在庫数:2個
    (2026/02/02 9:00現在) 本製品は、自社在庫限りの製品となっております。 在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。Description:This Evaluation Kit is a compact and
    5,220.00 税込¥5,742.00
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PROFET®・スイッチタイプ:汎用・出力数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・出力構成:ハイサイド・出力タイプ:Nチャンネル・インターフェース:オン/オフ・電圧 - 負荷:5.5V~20V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):不要・電流 - 出力(最大):6A・Rds On(標準):12ミリオーム・入力タイプ:
    618.06 税込¥679.86
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):34 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):12A(Ta)、44A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.2ミ
    204.29 税込¥224.71
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハイサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:6V、9.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):250mA、500mA・入力タイプ:非反転・ハイ
    461.43 税込¥507.57
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:PSOC™ 6・タイプ:トランシーバ;Bluetooth® 5.x(BLE)・周波数:2.4GHz・内訳:ボード、ケーブル・アンテナタイプ:-・使用IC/部品:CYBLE-416045-02
    3,783.53 税込¥4,161.88
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給:20V・論理電圧 - VIL、VIH:-、1.65V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):4A、8A・入力タイプ:非反転
    694.45 税込¥763.89
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:XENSIV™・タイプ:二酸化炭素(CO2)・酸素域:0 mbar ~ 800 bar・精度:±5%・出力:I2C、PWM、UART・動作温度:0°C~50°C・電圧 - 供給:4.45V~5.5V・電流 - 供給:
    3,400.00 税込¥3,740.00
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー - 1ペア直列接続・電圧 - ピーク逆方向(最大):4V・電流 - 最大:110 mA・Vr、F印加時の静電容量:0.35pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗:5.8オーム @ 50mA、1MHz・電力散逸(最大):100 mW・動作温度:150°C(TJ)・グレード
    118.58 税込¥130.43
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 3
    97.15 税込¥106.86
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):290mA、600mA・入力タイプ:非反転・
    398.58 税込¥438.43
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):19A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):100ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時の
    314.29 税込¥345.71
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):290mA、600mA・入力タイプ:非反
    195.72 税込¥215.29
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    浜松物流センター在庫数:2個
    (2026/02/02 9:00現在) 本製品は、自社在庫限りの製品となっております。 在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。【仕様】シリーズiMOTIONタイプ電源管理機能モータコントローラ/ドライバ使用IC/パーツIRM
    2,280.00 税込¥2,508.00
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~15.6V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:RC入力回路・ハイサイド電圧 - 最
    417.15 税込¥458.86
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:MOBL™・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:揮発性・メモリフォーマット:SRAM・技術:SRAM - 非同期・メモリサイズ:2Mビット・メモリ構成:256K x 8・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:45ns・アクセス時間:45 n
    913.89 税込¥1,005.27
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PROFET™・スイッチタイプ:汎用・出力数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・出力構成:ハイサイド・出力タイプ:Nチャンネル・インターフェース:オン/オフ・電圧 - 負荷:18V~28V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):18V~28V・電流 - 出力(最大):15A・Rds On(標準):4.4ミリオーム・
    535.72 税込¥589.29
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    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    MOSFET N CHAN 20V 4.2A SOT-23 Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:4.2A Drain Source Voltage Vds:20V On Resistance Rds(on):45mohm Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
    96.00 税込¥105.00
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~15.6V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:RC入力回路・ハイサイド電圧 - 最大(ブートスト
    751.39 税込¥826.52
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    MOSFET P MICRO3Transistor Polarity:P ChannelContinuous Drain Current Id:-4.3ADrain Source Voltage Vds:-12VOn Resistance Rds(on):0.05ohmRds(on) Test Voltage Vgs:-4.5VThreshold Voltage
    139.00 税込¥152.00
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    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):150ミリオーム @ 11A、10V・Id印加時
    391.43 税込¥430.57
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    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    626個
    商品説明
    高性能CMOS非同期SRAM●仕様メモリタイプ揮発性メモリフォーマットSRAMメモリサイズ256kBメモリインターフェースパラレル動作電源電圧4.5V~5.5Vアクセス時間15ns書き込みサイクル時間15nsパッケージ/ピン28-DIP動作温度0℃~70℃
    370.00 税込¥407.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    414.29 税込¥455.71
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):161A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.3ミリオーム @ 1
    392.86 税込¥432.14
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    インフィニオン
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    409個
    商品説明
    HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
    45.00 税込¥49.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):70ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のV
    241.43 税込¥265.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
    商品説明
    提携先在庫数:1個(2026/02/02 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートし
    312.00 税込¥343.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:XENSIV™・タイプ:MEMS(シリコン)・出力タイプ:アナログ・方向:無指向性・周波数範囲:10 Hz ~ 10 kHz・感度:-38dB ±1dB @ 94dB SPL・S/N比:64dB・インピーダンス:400 Ohms・電圧 - 定格:2.6 V・電圧範囲:2.4 V ~ 3.6 V・電流 - 供給:1
    365.72 税込¥402.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    箱番号:
    2552-10
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    18個
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:TO-220AB・構造:・VDSS:100V・ID:80A・Pc(Tc=25℃):・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):15mΩ・Ciss:3830pF(標準) (Vds=25V f=1MHz)・Ton:15ns(標準) (Vgs=10V Id=80A)・コンプリ:・用途:・入数:1個・備考:●スイッチング時間が速いので高速
    394.00 税込¥433.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    提携先在庫数:1158個(2026/02/02 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低
    382.00 税込¥420.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    提携先在庫数:546個(2026/2/5 9:00 現在)
    129.00 税込¥141.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 6・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Ta)、26A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V、15V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4
    576.39 税込¥634.02
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OPTIREG™・用途:システムベースチップ・電流 - 供給:3.5mA・電圧 - 供給:3V~28V・動作温度:-40°C~150°C(TJ)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:48-VFQFN露出パッド・サプライヤデバイスパッケージ:PG-VQFN-48-79
    347.40 税込¥382.14
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:EiceDRIVER™・技術:静電容量カップリング・チャンネル数:1・電圧 - 絶縁:8000Vpk・コモンモード過渡耐性(最小):150kV/µs・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):120ns、120ns・パルス幅歪み(最大):20ns・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):35ns、45ns(最大)・電流 -
    1,274.67 税込¥1,402.13
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TRENCHSTOP™・IGBTタイプ:トレンチ型フィールドストップ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):76 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):120 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.65V @ 15V、40A・電力 - 最大:230.8
    963.89 税込¥1,060.27
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    SENSE2GOL DEV KIT RF TRANSCEIVER
    30,268.00 税込¥33,294.00
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    インフィニオン
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    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™+・技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):650 V・電流 - 平均整流(Io):12A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.7 V @ 12 A・速度:回復時間なし > 500mA(Io)・逆回復時間(trr):0 ns・電流 -
    1,095.90 税込¥1,205.49
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:CoolGaN™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大
    1,916.48 税込¥2,108.12
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):800 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):290ミリオーム @ 11A、10V・Id印加
    1,095.90 税込¥1,205.49
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):380ミリオーム @ 3.2A、10V・I
    572.23 税込¥629.45
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・タイプ:MEMS(シリコン)・出力タイプ:デジタル、PDM・方向:無指向性・周波数範囲:20 Hz ~ 20 kHz・感度:-36dB ±1dB @ 94dB SPL・S/N比:69dB・インピーダンス:-・電圧 - 定格:-・電圧範囲:1.62 V ~ 3.6 V・電流 - 供給:1.3 mA・ポート位置:
    470.00 税込¥517.00
DigiReelの説明
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