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すべてのジャンル  [ メーカー:インフィニオン ]の検索結果

検索結果 59,081件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
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    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・プロトコル:USB・機能:ブリッジ、USB~UART・インターフェース:UART・標準:USB 2.0・電圧 - 供給:1.71V~5.5V・電流 - 供給:20mA・動作温度:-40°C~85°C・パッケージ/ケース:28-SSOP(幅0.209インチ、5.30mm)・サ
    747.23 税込¥821.95
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    インフィニオン
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    箱番号:
    2363-00
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    13個
    商品説明
    【仕様】・内容:HIGH AND LOW SIDE DRIVER・パッケージ:DIP14・動作電圧:・機能1:Voffset 600V(max)・機能2:Gate drive supply range 10 ~ 20V・機能3:logic supply range3.3V ~ 20V・動作温度:-40℃~+125℃
    1,659.00 税込¥1,824.00
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    インフィニオン
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    最小100個から購入可能
    100個単位で購入可能
    商品説明
    MOSFET DUAL N-CH 20V 8.9A SOIC-8Transistor Polarity:Dual N ChannelContinuous Drain Current Id:8.9ADrain Source Voltage Vds:20VOn Resistance Rds(on):0.0146ohmRds(on) Test Voltage Vgs:10V
    153.00 税込¥168.00
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・タイプ:デバッガ、プログラマ(インサーキット/インシステム)・内訳:ボード・使用IC/部品:MCU
    18,165.52 税込¥19,982.07
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・用途:ボード取り付け・圧力タイプ:絶対・作動圧力:8.7PSI~23.93PSI(60kPa~165kPa)・出力タイプ:アナログ電圧・出力:0.1V~4.85V・精度:±0.29PSI(±2kPa)・電圧 - 供給:4.5V~5.5V・ポートサイズ:-・ポートスタイル:ポートなし・特長:増幅出力、温度補償済み
    1,072.61 税込¥1,179.87
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®, StrongIRFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):240A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):
    687.50 税込¥756.25
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:GL-T・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:フラッシュ・技術:FLASH - NOR・メモリサイズ:512Mビット・メモリ構成:64M x 8・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:60ns・アクセス時間:1
    1,785.89 税込¥1,964.47
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:12V~18V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.2V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):1.6A、3.3A・入力タイプ:非反転・ハイ
    700.00 税込¥770.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・タイプ:トランシーバ・プロトコル:CANbus・ドライバ/レシーバ数:1/1・デュプレックス:-・受信機ヒステリシス:-・データレート:-・電圧 - 供給:4.5V~5.5V・動作温度:-40°C~150°C(TJ)・グレード:自動車・認定:AEC-Q100・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:8-S
    370.00 税込¥407.00
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):65A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 46A、10V・Id印加時の
    652.78 税込¥718.05
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・技術:静電容量カップリング・チャンネル数:2・電圧 - 絶縁:5700Vrms・コモンモード過渡耐性(最小):200kV/µs・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):40ns、40ns・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):20ns、20ns(最大)・電流 - 出力高
    488.58 税込¥537.43
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):290mA、600mA・入力タ
    184.29 税込¥202.71
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EZ-PD™ CCG5・DigiKeyプログラマブル:未検証・用途:USB Type C・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M0・プログラムメモリタイプ:フラッシュ(128kB)・コントローラシリーズ:-・RAMサイズ:12K x 8・インターフェース:I2C、SPI、UART/USART、USB・I/O
    1,131.51 税込¥1,244.66
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    MOSFET N CH 71A 100V PG-TDSON-8Transistor Polarity:N ChannelContinuous Drain Current Id:71ADrain Source Voltage Vds:100VOn Resistance Rds(on):0.01ohmRds(on) Test Voltage Vgs:10VThre
    506.00 税込¥556.00
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:EZ-USB FX3™・タイプ:インタフェース・機能:USB 3.0ホスト/コントローラ・組み込み製品:-・使用IC/部品:CYUSB301x・主要属性:-・副次属性:-・内訳:ボード、ケーブル、アクセサリ
    13,916.10 税込¥15,307.71
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・技術:静電容量カップリング・チャンネル数:2・電圧 - 絶縁:5700Vrms・コモンモード過渡耐性(最小):200kV/µs・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):40ns、40ns・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):20ns、20ns(最大)・電流 - 出力高
    488.58 税込¥537.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:5V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.9V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):200mA、350mA・入力タイ
    304.29 税込¥334.71
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    MOSFET N 55V 41A TO-220 Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:41A Drain Source Voltage Vds:55V On Resistance Rds(on):0.0175ohm Rds(on) Test Voltage Vgs:10V Thres
    419.00 税込¥460.00
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    インフィニオン
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    130個
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    低ドロップアウト電圧トラッキングレギュレータOPTIREGリニアシリーズのTLE4250-2Gは、優れた耐熱性を備えた小型SMDパッケージ(PG-SCT595-5)に収められたモノリシック統合型低ドロップアウト電圧レギュレータです。車載環境でオフボード負荷に電力を供給するように設計されています。このIC には、過負荷、過熱、逆極性、バッテリーとグランドへの出力短絡が発
    144.00 税込¥158.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:F-RAM™・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:FRAM・技術:FRAM(強誘電体RAM)・メモリサイズ:128Kビット・メモリ構成:16K x 8・メモリインターフェース:I2C・クロック周波数:3.4 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-・アクセ
    597.23 税込¥656.95
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):62A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8.7ミリオーム @ 31A、10V・I
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):36A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):26.5ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    170.00 税込¥187.00
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolMOS™ P6・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):380ミリオーム @
    424.29 税込¥466.71
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大
    247.15 税込¥271.86
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):80A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15ミリオーム @ 45A、10V・Id印加時の
    362.86 税込¥399.14
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハイサイドとローサイド・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:8V~17V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):3A、5A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 -
    215.72 税込¥237.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 10A
    151.43 税込¥166.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.4A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs(
    385.72 税込¥424.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):40V・電圧 - 出力(最小/固定):5V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):0.5V @ 250mA・電流 - 出力:400mA・電流 - 静止(Iq):75 µA・電流 - 供給(最大):80 µA・
    305.72 税込¥336.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    1,967個
    商品説明
    High Precision Hall-Effect Switch TLE4906L infineon製を販売します。【仕様】・機能:ユニポーラスイッチ・技術:ホール効果・分極:南極・センシング範囲:13.5mTリリース、5mTリリース・電圧 - 供給:2.7V~18V・動作温度:-40°C~150°C(TJ)・パッケージ:3-SIP、SSO-3-02
    120.00 税込¥132.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TRENCHSTOP™・IGBTタイプ:トレンチ型フィールドストップ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1200 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):60 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):90 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.85V @ 15V、30A・電力 - 最大:330 W
    795.84 税込¥875.42
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・DigiKeyプログラマブル:-・駆動構成:ハイサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:8V~125V・論理電圧 - VIL、VIH:1V、1.15V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-、1A・入力タイプ:非反
    338.58 税込¥372.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    337.15 税込¥370.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    箱番号:
    2552-10
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    28個
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:TO-220AB・構造:・VDSS:100V・ID:80A・Pc(Tc=25℃):・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):15mΩ・Ciss:3830pF(標準) (Vds=25V f=1MHz)・Ton:15ns(標準) (Vgs=10V Id=80A)・コンプリ:・用途:・入数:1個・備考:●スイッチング時間が速いので高速
    394.00 税込¥433.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    箱番号:
    2552-11
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    12個
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:TO-220AB・構造:・VDSS:200V・ID:38A・Pc(Tc=25℃):・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):54mΩ・Ciss:2900pF(標準) (Vds=25V f=1MHz)・Ton:16ns(標準) (Vgs=10V Id=26A)・Gfs:17S(最小) (Vds=50V Id=26A)・コンプリ:・
    584.00 税込¥642.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    箱番号:
    2552-10
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    1,557個
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:TO-220Full-Pak・構造:・VDSS:55V・ID:14A・Pc(Tc=25℃):29W・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):70mΩ(Vgs=10V Id=7.8A)・Qg:20nC (最大)・Td(on):4.9ns (標準) (Vdd=28V Id=10A Rg=24Ω)・コンプリ:・用途:・入数:1個・備考
    289.00 税込¥317.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):62A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.5ミリオーム @ 37A、10V・Id印加
    292.86 税込¥322.14
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    636個
    商品説明
    高性能CMOS非同期SRAM●仕様メモリタイプ揮発性メモリフォーマットSRAMメモリサイズ256kBメモリインターフェースパラレル動作電源電圧4.5V~5.5Vアクセス時間15ns書き込みサイクル時間15nsパッケージ/ピン28-DIP動作温度0℃~70℃
    370.00 税込¥407.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    119個
    商品説明
    HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
    41.00 税込¥45.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    MOSFET N-CH 75V 350A TO-247AC;
    1,693.00 税込¥1,862.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    RF TRANSCEIVER 24.25GHZ -40 TO 85DEG C;
    3,592.00 税込¥3,951.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):21ミリオーム @ 6
    94.29 税込¥103.71
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    MOSFET N CHAN 20V 4.2A SOT-23 Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:4.2A Drain Source Voltage Vds:20V On Resistance Rds(on):45mohm Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
    100.00 税込¥110.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:EiceDRIVER™・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:1.1V、1.7V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイ
    261.43 税込¥287.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®, StrongIRFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):195A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2ミリオーム
    936.12 税込¥1,029.73
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・RFタイプ:GSM、LTE、W-CDMA・トポロジ:-・回路:SPDT・周波数範囲:50MHz~6GHz・絶縁:27dB・挿入損失:0.51dB・テスト周波数:5.925GHz・P1dB:-・IIP3:74dBm・特長:-・インピーダンス:50オーム・電圧 - 供給:1.65V~3.4V・動作温度:-40°C
    81.43 税込¥89.57
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    インフィニオン
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    I2S INTERFACE BOARD
    8,523.00 税込¥9,375.00
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    インフィニオン
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    最小350個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:6V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.7V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):2.3A、3.3A・入力タイプ:反転、非反転・ハイ
    197.46 税込¥217.20
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):27ミリオーム @ 5.
    98.58 税込¥108.43
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・タイプ:インタフェース・機能:MOSFET・組み込み製品:-・使用IC/部品:1ED44173N01B・主要属性:-・副次属性:-・内訳:ボード
    5,188.51 税込¥5,707.36
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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