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すべてのジャンル 　[ メーカー:GeneSiC Semiconductor ]の検索結果

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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 2,265件
  • 1

    【KBPC5010T】BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-T

    【KBPC5010T】BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-T
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：1 kV・電流 - 平均整流（Io）：50 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 25 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 1000 V・動作温度：-55°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタ
    ￥919.45 税込￥1,011.39
  • 2

    【1N1190AR】DIODE STANDARD REV 600V 40A DO5

    【1N1190AR】DIODE STANDARD REV 600V 40A DO5
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：標準、 逆極性・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：40A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 40 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 50 V・V
    ￥1,882.36 税込￥2,070.59
  • 3

    【1N2138A】DIODE STANDARD 600V 60A DO5

    【1N2138A】DIODE STANDARD 600V 60A DO5
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小200個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：60A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 60 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 50 V・Vr、F印加
    ￥1,321.09 税込￥1,453.19
  • 4

    【MBR7545】DIODE SCHOTTKY 45V 75A DO5

    【MBR7545】DIODE SCHOTTKY 45V 75A DO5
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小200個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：45 V・電流 - 平均整流（Io）：75A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：650 mV @ 75 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 mA @ 45 V・Vr、
    ￥2,872.24 税込￥3,159.46
  • 5

    【1N1190A】DIODE STANDARD 600V 40A DO5

    【1N1190A】DIODE STANDARD 600V 40A DO5
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：40A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 40 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 50 V・Vr、F印加
    ￥1,882.36 税込￥2,070.59
  • 6

    【MBRT400100】DIODE MOD SCHOT 100V 200A 3TOWER

    【MBRT400100】DIODE MOD SCHOT 100V 200A 3TOWER
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオード構成：1組共通カソード・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：200A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：880 mV @ 200 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流
    ￥21,678.17 税込￥23,845.98
  • 7

    【1N2138AR】DIODE STANDARD REV 600V 60A DO5

    【1N2138AR】DIODE STANDARD REV 600V 60A DO5
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：標準、 逆極性・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：60A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 60 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 50 V・V
    ￥2,140.00 税込￥2,354.00
  • 8

    【BR610】BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A BR-6

    【BR610】BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A BR-6
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：1 kV・電流 - 平均整流（Io）：6 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 3 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 1000 V・動作温度：-65°C～125°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：
    ￥116.12 税込￥127.73
  • 9

    【MBR2X100A120】DIODE MOD SCHOT 120V 100A SOT227

    【MBR2X100A120】DIODE MOD SCHOT 120V 100A SOT227
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小52個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：120 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：100A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：880 mV @ 100 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr
    ￥7,208.88 税込￥7,929.76
  • 10

    【MBR40045CTS】DIODE MOD SCHOTT 45V 400A SOT227

    【MBR40045CTS】DIODE MOD SCHOTT 45V 400A SOT227
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小26個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：45 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：400A（DC）・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 200 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 -
    ￥10,978.28 税込￥12,076.10
  • 11

    【MBR2X100A150】DIODE MOD SCHOT 150V 100A SOT227

    【MBR2X100A150】DIODE MOD SCHOT 150V 100A SOT227
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小52個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：150 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：100A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：880 mV @ 100 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr
    ￥7,208.88 税込￥7,929.76
  • 12

    【MBRTA800100】DIODE MOD SCHOT 100V 400A 3TOWER

    【MBRTA800100】DIODE MOD SCHOT 100V 400A 3TOWER
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオード構成：1組共通カソード・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：400A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：840 mV @ 400 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流
  • 13

    【BR32】BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A BR-3

    【BR32】BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A BR-3
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：200 V・電流 - 平均整流（Io）：3 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 1.5 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 200 V・動作温度：-65°C～125°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタイ
    ￥90.39 税込￥99.42
  • 14

    【BR62】BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6

    【BR62】BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：200 V・電流 - 平均整流（Io）：6 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 3 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 200 V・動作温度：-65°C～125°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：
    ￥402.86 税込￥443.14
  • 15

    【DB154G】BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A DB

    【DB154G】BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A DB
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）：1.5 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 1.5 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 400 V・動作温度：-55°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付
    ￥277.15 税込￥304.86
  • 16

    【GA035XCP12-247】IGBT SIC 1200V TO-247

    【GA035XCP12-247】IGBT SIC 1200V TO-247
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    IGBT SIC 1200V TO-247DC Collector Current:35ACollector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kVPower Dissipation Pd:-Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-Transistor Case Style:TO-247No.
    ￥19,640.00 税込￥21,604.00
  • 17

    【G3F09MT12G3T-T】1200V 9M 3L-T-NPC SICPAK G SIC M

    【G3F09MT12G3T-T】1200V 9M 3L-T-NPC SICPAK G SIC M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥41,144.09 税込￥45,258.49
  • 18

    【G3F05MT12GB2-T】1200V 5M HALF-BRIDGE SICPAK G SI

    【G3F05MT12GB2-T】1200V 5M HALF-BRIDGE SICPAK G SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥41,102.16 税込￥45,212.37
  • 19

    【G3F09MT12GB4-T】1200V 9M FULL-BRIDGE SICPAK G SI

    【G3F09MT12GB4-T】1200V 9M FULL-BRIDGE SICPAK G SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥41,080.65 税込￥45,188.71
  • 20

    【G3F09MT12G3T】1200V 9M 3L-T-NPC SICPAK G SIC M

    【G3F09MT12G3T】1200V 9M 3L-T-NPC SICPAK G SIC M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥39,281.73 税込￥43,209.90
  • 21

    【G3F05MT12GB2】1200V 5M HALF-BRIDGE SICPAK G SI

    【G3F05MT12GB2】1200V 5M HALF-BRIDGE SICPAK G SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥39,241.94 税込￥43,166.13
  • 22

    【G3F09MT12GB4】1200V 9M FULL-BRIDGE SICPAK G SI

    【G3F09MT12GB4】1200V 9M FULL-BRIDGE SICPAK G SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥39,221.51 税込￥43,143.66
  • 23

    【G3F09MT12FB2-T】1200V 9M HALF-BRIDGE SICPAK F SI

    【G3F09MT12FB2-T】1200V 9M HALF-BRIDGE SICPAK F SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥24,012.50 税込￥26,413.75
  • 24

    【G3F18MT12FB4-T】1200V 18M FULL-BRIDGE SICPAK F S

    【G3F18MT12FB4-T】1200V 18M FULL-BRIDGE SICPAK F S
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥24,002.28 税込￥26,402.50
  • 25

    【G3F09MT12FB2】1200V 9M HALF-BRIDGE SICPAK F SI

    【G3F09MT12FB2】1200V 9M HALF-BRIDGE SICPAK F SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥22,950.00 税込￥25,245.00
  • 26

    【G3F18MT12FB4】1200V 18M FULL-BRIDGE SICPAK F S

    【G3F18MT12FB4】1200V 18M FULL-BRIDGE SICPAK F S
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥22,939.78 税込￥25,233.75
  • 27

    【G3F17MT12FB2】1200V 17M HALF-BRIDGE SICPAK F S

    【G3F17MT12FB2】1200V 17M HALF-BRIDGE SICPAK F S
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥17,482.76 税込￥19,231.03
  • 28

    【G3F17MT12FB2-T】1200V 17M HALF-BRIDGE SICPAK F S

    【G3F17MT12FB2-T】1200V 17M HALF-BRIDGE SICPAK F S
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥18,282.76 税込￥20,111.03
  • 29

    【GE06MPS06Q-TR】650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

    【GE06MPS06Q-TR】650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥216.96 税込￥238.65
  • 30

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥641.67 税込￥705.83
  • 31

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥641.67 税込￥705.83
  • 32

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥260.11 税込￥286.12
  • 33

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥880.56 税込￥968.61
  • 34

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥880.56 税込￥968.61
  • 35

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥366.04 税込￥402.64
  • 36

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥645.84 税込￥710.42
  • 37

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥645.84 税込￥710.42
  • 38

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥261.09 税込￥287.19
  • 39

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522 [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522 [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：650 V・電流 - 平均整流（Io）：12A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.35 V @ 4 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流 -
    ￥447.15 税込￥491.86
  • 40

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：650 V・電流 - 平均整流（Io）：12A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.35 V @ 4 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流
    ￥447.15 税込￥491.86
  • 41

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：650 V・電流 - 平均整流（Io）：12A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.35 V @ 4 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流
    ￥170.14 税込￥187.15
  • 42

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：MPS™・ダイオードタイプ：ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：650V・電流 - 最大：10 A・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：8-VDFN露出パッド・サプライヤデバイスパッケージ：8
    ￥725.00 税込￥797.50
  • 43

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：MPS™・ダイオードタイプ：ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：650V・電流 - 最大：10 A・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：8-VDFN露出パッド・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥725.00 税込￥797.50
  • 44

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：MPS™・ダイオードタイプ：ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：650V・電流 - 最大：10 A・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：8-VDFN露出パッド・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥296.29 税込￥325.91
  • 45

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥491.43 税込￥540.57
  • 46

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥491.43 税込￥540.57
  • 47

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥187.53 税込￥206.28
  • 48

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥560.00 税込￥616.00
  • 49

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥560.00 税込￥616.00
  • 50

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥217.11 税込￥238.82
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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