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すべてのジャンル 　[ メーカー:GeneSiC Semiconductor ]の検索結果

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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 2,255件
  • 1

    【GB01SLT12-214】DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB

    【GB01SLT12-214】DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SiC Schottky MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1200 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.8 V @ 1 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（t
    ￥565.72 税込￥622.29
  • 2

    【G2R1000MT33J】MOSFET SIC N-CH 3.3KV 4A 74W

    【G2R1000MT33J】MOSFET SIC N-CH 3.3KV 4A 74W
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    MOSFET SIC N-CH 3.3KV 4A 74W
    ￥4,435.00 税込￥4,878.00
  • 3

    【G3F25MT06K】650V 20M TO-247-4 G3F SIC MOSFET

    【G3F25MT06K】650V 20M TO-247-4 G3F SIC MOSFET
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27.5ミリオーム @ 35A
    ￥3,118.83 税込￥3,430.71
  • 4

    【W02M】BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A WOM

    【W02M】BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A WOM
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：200 V・電流 - 平均整流（Io）：1.5 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 1 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 200 V・動作温度：-65°C～125°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタイ
    ￥29.44 税込￥32.38
  • 5

    【MBRT400100】DIODE MOD SCHOT 100V 200A 3TOWER

    【MBRT400100】DIODE MOD SCHOT 100V 200A 3TOWER
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオード構成：1組共通カソード・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：200A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：880 mV @ 200 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流
    ￥21,551.73 税込￥23,706.90
  • 6

    【KBPC5010T】BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-T

    【KBPC5010T】BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-T
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：1 kV・電流 - 平均整流（Io）：50 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 25 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 1000 V・動作温度：-55°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタ
    ￥913.89 税込￥1,005.27
  • 7

    【BR610】BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A BR-6

    【BR610】BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A BR-6
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：1 kV・電流 - 平均整流（Io）：6 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 3 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 1000 V・動作温度：-65°C～125°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：
    ￥115.44 税込￥126.98
  • 8

    【MBR2X100A150】DIODE MOD SCHOT 150V 100A SOT227

    【MBR2X100A150】DIODE MOD SCHOT 150V 100A SOT227
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小52個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：150 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：100A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：880 mV @ 100 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr
    ￥7,166.90 税込￥7,883.59
  • 9

    【MBR2X100A120】DIODE MOD SCHOT 120V 100A SOT227

    【MBR2X100A120】DIODE MOD SCHOT 120V 100A SOT227
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小52個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：120 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：100A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：880 mV @ 100 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr
    ￥7,166.90 税込￥7,883.59
  • 10

    【BR32】BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A BR-3

    【BR32】BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A BR-3
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：200 V・電流 - 平均整流（Io）：3 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 1.5 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 200 V・動作温度：-65°C～125°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタイ
    ￥89.86 税込￥98.84
  • 11

    【DB154G】BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A DB

    【DB154G】BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A DB
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）：1.5 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 1.5 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 400 V・動作温度：-55°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付
    ￥275.72 税込￥303.29
  • 12

    【KBU8J】BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU

    【KBU8J】BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：8 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 8 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 600 V・動作温度：-55°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：
    ￥401.43 税込￥441.57
  • 13

    【GA035XCP12-247】IGBT SIC 1200V TO-247

    【GA035XCP12-247】IGBT SIC 1200V TO-247
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    IGBT SIC 1200V TO-247DC Collector Current:35ACollector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kVPower Dissipation Pd:-Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-Transistor Case Style:TO-247No.
    ￥19,776.00 税込￥21,753.00
  • 14

    【G3F09MT12G3T-T】1200V 9M 3L-T-NPC SICPAK G SIC M

    【G3F09MT12G3T-T】1200V 9M 3L-T-NPC SICPAK G SIC M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥40,904.31 税込￥44,994.74
  • 15

    【G3F05MT12GB2-T】1200V 5M HALF-BRIDGE SICPAK G SI

    【G3F05MT12GB2-T】1200V 5M HALF-BRIDGE SICPAK G SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥40,862.37 税込￥44,948.60
  • 16

    【G3F09MT12GB4-T】1200V 9M FULL-BRIDGE SICPAK G SI

    【G3F09MT12GB4-T】1200V 9M FULL-BRIDGE SICPAK G SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥40,840.87 税込￥44,924.95
  • 17

    【G3F09MT12G3T】1200V 9M 3L-T-NPC SICPAK G SIC M

    【G3F09MT12G3T】1200V 9M 3L-T-NPC SICPAK G SIC M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥39,052.69 税込￥42,957.95
  • 18

    【G3F05MT12GB2】1200V 5M HALF-BRIDGE SICPAK G SI

    【G3F05MT12GB2】1200V 5M HALF-BRIDGE SICPAK G SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥39,012.91 税込￥42,914.20
  • 19

    【G3F09MT12GB4】1200V 9M FULL-BRIDGE SICPAK G SI

    【G3F09MT12GB4】1200V 9M FULL-BRIDGE SICPAK G SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥38,993.55 税込￥42,892.90
  • 20

    【G3F09MT12FB2-T】1200V 9M HALF-BRIDGE SICPAK F SI

    【G3F09MT12FB2-T】1200V 9M HALF-BRIDGE SICPAK F SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥23,872.73 税込￥26,260.00
  • 21

    【G3F18MT12FB4-T】1200V 18M FULL-BRIDGE SICPAK F S

    【G3F18MT12FB4-T】1200V 18M FULL-BRIDGE SICPAK F S
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥23,862.50 税込￥26,248.75
  • 22

    【G3F09MT12FB2】1200V 9M HALF-BRIDGE SICPAK F SI

    【G3F09MT12FB2】1200V 9M HALF-BRIDGE SICPAK F SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥22,815.91 税込￥25,097.50
  • 23

    【G3F18MT12FB4】1200V 18M FULL-BRIDGE SICPAK F S

    【G3F18MT12FB4】1200V 18M FULL-BRIDGE SICPAK F S
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥22,805.69 税込￥25,086.25
  • 24

    【G3F17MT12FB2】1200V 17M HALF-BRIDGE SICPAK F S

    【G3F17MT12FB2】1200V 17M HALF-BRIDGE SICPAK F S
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥17,381.61 税込￥19,119.77
  • 25

    【G3F17MT12FB2-T】1200V 17M HALF-BRIDGE SICPAK F S

    【G3F17MT12FB2-T】1200V 17M HALF-BRIDGE SICPAK F S
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥18,177.02 税込￥19,994.72
  • 26

    【GE06MPS06Q-TR】650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

    【GE06MPS06Q-TR】650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥215.70 税込￥237.27
  • 27

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥637.50 税込￥701.25
  • 28

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥637.50 税込￥701.25
  • 29

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥258.59 税込￥284.44
  • 30

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥875.00 税込￥962.50
  • 31

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥875.00 税込￥962.50
  • 32

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥363.91 税込￥400.30
  • 33

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥641.67 税込￥705.83
  • 34

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥641.67 税込￥705.83
  • 35

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥259.56 税込￥285.51
  • 36

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522 [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522 [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：650 V・電流 - 平均整流（Io）：12A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.35 V @ 4 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流 -
    ￥444.29 税込￥488.71
  • 37

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：650 V・電流 - 平均整流（Io）：12A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.35 V @ 4 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流
    ￥444.29 税込￥488.71
  • 38

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：650 V・電流 - 平均整流（Io）：12A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.35 V @ 4 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流
    ￥169.15 税込￥186.06
  • 39

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：MPS™・ダイオードタイプ：ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：650V・電流 - 最大：10 A・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：8-VDFN露出パッド・サプライヤデバイスパッケージ：8
    ￥720.84 税込￥792.92
  • 40

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：MPS™・ダイオードタイプ：ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：650V・電流 - 最大：10 A・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：8-VDFN露出パッド・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥720.84 税込￥792.92
  • 41

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：MPS™・ダイオードタイプ：ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：650V・電流 - 最大：10 A・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：8-VDFN露出パッド・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥294.56 税込￥324.01
  • 42

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥488.58 税込￥537.43
  • 43

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥488.58 税込￥537.43
  • 44

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥186.44 税込￥205.08
  • 45

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥557.15 税込￥612.86
  • 46

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥557.15 税込￥612.86
  • 47

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥215.84 税込￥237.42
  • 48

    【GE12MPS06E-TR】650V 12A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE12MPS06E-TR】650V 12A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥845.84 税込￥930.42
  • 49

    【GE12MPS06E-TR】650V 12A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M

    【GE12MPS06E-TR】650V 12A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥845.84 税込￥930.42
  • 50

    【GE12MPS06E-TR】650V 12A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M

    【GE12MPS06E-TR】650V 12A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥352.03 税込￥387.23
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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