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すべてのジャンル 　[ メーカー:GeneSiC Semiconductor ]の検索結果

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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 2,262件
  • 1

    【GB01SLT12-214】DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB

    【GB01SLT12-214】DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SiC Schottky MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1200 V・電流 - 平均整流（Io）：2.5A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.8 V @ 1 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間
    ￥550.00 税込￥605.00
  • 2

    【GB02SLT12-214】DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA

    【GB02SLT12-214】DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SiC Schottky MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1200 V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.8 V @ 1 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（t
    ￥666.67 税込￥733.33
  • 3

    【GC50MPS33H】DIODE SIL CARB 3300V 50A TO2472

    【GC50MPS33H】DIODE SIL CARB 3300V 50A TO2472
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SiC Schottky MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：3300 V・電流 - 平均整流（Io）：50A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：-・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流 - Vr
    ￥39,470.97 税込￥43,418.06
  • 4

    【KBPC3510W】BRIDGE RECT 1P 1KV 35A KBPC-W

    【KBPC3510W】BRIDGE RECT 1P 1KV 35A KBPC-W
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：1 kV・電流 - 平均整流（Io）：35 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 17.5 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 1000 V・動作温度：-55°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付
    ￥329.19 税込￥362.10
  • 5

    【G3F25MT06J-TR】650V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFET [digi-reel品] DigiReel商品

    【G3F25MT06J-TR】650V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFET [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：108A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27.5ミリオーム
    ￥2,857.65 税込￥3,143.41
  • 6

    【GB01SLT12-214】DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB [digi-reel品] DigiReel商品

    【GB01SLT12-214】DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SiC Schottky MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1200 V・電流 - 平均整流（Io）：2.5A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.8 V @ 1 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（
    ￥550.00 税込￥605.00
  • 7

    【G3R160MT17D】SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3

    【G3R160MT17D】SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：G3R™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：21A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：208ミリオーム @ 12A、15V・Id印加時のV
    ￥2,158.83 税込￥2,374.71
  • 8

    【GBU15M】BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBU

    【GBU15M】BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBU
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小7,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：1 kV・電流 - 平均整流（Io）：15 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 15 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 1000 V・動作温度：-55°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタ
    ￥81.50 税込￥89.65
  • 9

    【BR62】BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6

    【BR62】BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：200 V・電流 - 平均整流（Io）：6 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 3 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 200 V・動作温度：-65°C～125°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：
    ￥390.00 税込￥429.00
  • 10

    【GA035XCP12-247】IGBT SIC 1200V TO-247

    【GA035XCP12-247】IGBT SIC 1200V TO-247
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    IGBT SIC 1200V TO-247DC Collector Current:35ACollector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kVPower Dissipation Pd:-Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-Transistor Case Style:TO-247No.
    ￥19,167.00 税込￥21,083.00
  • 11

    【G3F09MT12G3T-T】1200V 9M 3L-T-NPC SICPAK G SIC M

    【G3F09MT12G3T-T】1200V 9M 3L-T-NPC SICPAK G SIC M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥39,787.10 税込￥43,765.81
  • 12

    【G3F05MT12GB2-T】1200V 5M HALF-BRIDGE SICPAK G SI

    【G3F05MT12GB2-T】1200V 5M HALF-BRIDGE SICPAK G SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥39,746.24 税込￥43,720.86
  • 13

    【G3F09MT12GB4-T】1200V 9M FULL-BRIDGE SICPAK G SI

    【G3F09MT12GB4-T】1200V 9M FULL-BRIDGE SICPAK G SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥39,725.81 税込￥43,698.39
  • 14

    【G3F09MT12G3T】1200V 9M 3L-T-NPC SICPAK G SIC M

    【G3F09MT12G3T】1200V 9M 3L-T-NPC SICPAK G SIC M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥37,986.03 税込￥41,784.63
  • 15

    【G3F05MT12GB2】1200V 5M HALF-BRIDGE SICPAK G SI

    【G3F05MT12GB2】1200V 5M HALF-BRIDGE SICPAK G SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥37,947.32 税込￥41,742.05
  • 16

    【G3F09MT12GB4】1200V 9M FULL-BRIDGE SICPAK G SI

    【G3F09MT12GB4】1200V 9M FULL-BRIDGE SICPAK G SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥37,927.96 税込￥41,720.75
  • 17

    【G3F09MT12FB2-T】1200V 9M HALF-BRIDGE SICPAK F SI

    【G3F09MT12FB2-T】1200V 9M HALF-BRIDGE SICPAK F SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥23,220.46 税込￥25,542.50
  • 18

    【G3F18MT12FB4-T】1200V 18M FULL-BRIDGE SICPAK F S

    【G3F18MT12FB4-T】1200V 18M FULL-BRIDGE SICPAK F S
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥23,210.23 税込￥25,531.25
  • 19

    【G3F09MT12FB2】1200V 9M HALF-BRIDGE SICPAK F SI

    【G3F09MT12FB2】1200V 9M HALF-BRIDGE SICPAK F SI
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥22,448.28 税込￥24,693.10
  • 20

    【G3F18MT12FB4】1200V 18M FULL-BRIDGE SICPAK F S

    【G3F18MT12FB4】1200V 18M FULL-BRIDGE SICPAK F S
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥22,437.94 税込￥24,681.73
  • 21

    【G3F17MT12FB2】1200V 17M HALF-BRIDGE SICPAK F S

    【G3F17MT12FB2】1200V 17M HALF-BRIDGE SICPAK F S
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥16,906.90 税込￥18,597.59
  • 22

    【G3F17MT12FB2-T】1200V 17M HALF-BRIDGE SICPAK F S

    【G3F17MT12FB2-T】1200V 17M HALF-BRIDGE SICPAK F S
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥17,680.46 税込￥19,448.50
  • 23

    【GE06MPS06Q-TR】650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

    【GE06MPS06Q-TR】650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥209.81 税込￥230.79
  • 24

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥620.84 税込￥682.92
  • 25

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥620.84 税込￥682.92
  • 26

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP

    【GE08MPS06E-TR】650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥251.53 税込￥276.68
  • 27

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥851.39 税込￥936.52
  • 28

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥851.39 税込￥936.52
  • 29

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M

    【GE12MPS06Q-TR】650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥353.97 税込￥389.36
  • 30

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥625.00 税込￥687.50
  • 31

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥625.00 税込￥687.50
  • 32

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

    【GE08MPS06Q-TR】650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥252.47 税込￥277.71
  • 33

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522 [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522 [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：650 V・電流 - 平均整流（Io）：12A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.35 V @ 4 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流 -
    ￥432.86 税込￥476.14
  • 34

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：650 V・電流 - 平均整流（Io）：12A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.35 V @ 4 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流
    ￥432.86 税込￥476.14
  • 35

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522

    【GE04MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：650 V・電流 - 平均整流（Io）：12A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.35 V @ 4 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流
    ￥164.53 税込￥180.98
  • 36

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：MPS™・ダイオードタイプ：ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：650V・電流 - 最大：10 A・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：8-VDFN露出パッド・サプライヤデバイスパッケージ：8
    ￥701.39 税込￥771.52
  • 37

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：MPS™・ダイオードタイプ：ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：650V・電流 - 最大：10 A・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：8-VDFN露出パッド・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥701.39 税込￥771.52
  • 38

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN

    【GE10MPS06Q-TR】RF DIODE SCHOTTKY 650V 8DFN
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：MPS™・ダイオードタイプ：ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：650V・電流 - 最大：10 A・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：8-VDFN露出パッド・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥286.51 税込￥315.16
  • 39

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥475.72 税込￥523.29
  • 40

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥475.72 税込￥523.29
  • 41

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

    【GE04MPS06Q-TR】650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥181.35 税込￥199.48
  • 42

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥541.43 税込￥595.57
  • 43

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥541.43 税込￥595.57
  • 44

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP

    【GE06MPS06E-TR】650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥209.94 税込￥230.93
  • 45

    【GE12MPS06E-TR】650V 12A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE12MPS06E-TR】650V 12A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥822.23 税込￥904.45
  • 46

    【GE12MPS06E-TR】650V 12A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M

    【GE12MPS06E-TR】650V 12A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥822.23 税込￥904.45
  • 47

    【GE12MPS06E-TR】650V 12A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M

    【GE12MPS06E-TR】650V 12A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：-・電圧 - ピーク逆方向（最大）：-・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥342.42 税込￥376.66
  • 48

    【GE10MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 26A TO2522 [digi-reel品] DigiReel商品

    【GE10MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 26A TO2522 [digi-reel品]
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：650 V・電流 - 平均整流（Io）：26A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.35 V @ 10 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流
    ￥712.50 税込￥783.75
  • 49

    【GE10MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 26A TO2522

    【GE10MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 26A TO2522
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：650 V・電流 - 平均整流（Io）：26A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.35 V @ 10 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流
    ￥712.50 税込￥783.75
  • 50

    【GE10MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 26A TO2522

    【GE10MPS06E-TR】DIODE SIL CARB 650V 26A TO2522
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：650 V・電流 - 平均整流（Io）：26A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.35 V @ 10 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流
    ￥292.34 税込￥321.57
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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