トランジスタアレイ

●特長・PNPダーリントントランジスタを3素子とNPNダーリントントランジスタを3素子内蔵・高hFE・3相モータドライブ用●仕様回路数6極性NPN、PNPクランプダイオードなしVCEO/VDSS/VCES(＋)60VIC/ID(＋)8.0AhFE2000(min)

8回路入りシンクタイプDMOSトランジスタアレイDMOS(Double-Diffused MOS) FETを用いたドライブ回路を一つのICパッケージに複数配列(アレイ)した製品です。誘導性負荷駆動時に発生する逆起電力をクランプする出力クランプダイオードが内蔵されています。使用に当たっては、熱的条件にご注意ください。●特長・8回路入り・出力耐圧が高い：Vout＝50V(

8回路入りソースタイプDMOSトランジスタアレイDMOS(Double-Diffused MOS) FETを用いたドライブ回路を一つのICパッケージに複数配列(アレイ)した製品です。誘導性負荷駆動時に発生する逆起電力をクランプする出力クランプダイオードが内蔵されています。使用に当たっては、熱的条件にご注意ください。●特長・8回路入り・出力耐圧が高い：Vout＝50V(

提携先在庫数：1900個（2023/11/22 9:00 現在)

提携先在庫数：1400個（2023/11/22 9:00 現在)

提携先在庫数：393個（2023/11/22 9:00 現在)

提携先在庫数：796個（2023/11/22 9:00 現在)

4ch 大電流シンクタイプDMOSトランジスタアレイTBD62064APG/FGは、4回路入りのDMOSトランジスタアレイです。誘導性負荷駆動時に発生する逆起電力をクランプする出力ダイオードが内蔵されています。使用にあたっては熱的条件にご注意ください。●特長・4回路入り・出力耐圧が高い：VOUT = 50 V(max)・出力電流が大きい： IOUT = 1.5 A/c

提携先在庫数：6260個（2024/04/22 9:00 現在）　【仕様】電源スイッチトポロジ = ハイサイドチャンネル数 = 8動作供給電圧 Max = 0.6 V (オフ), 25 V (オン)最大動作電流 = 0.1 (ON) mA, 1 (OFF) μA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 18動作温度 Max = +85 °C動作温

提携先在庫数：1180個（2024/04/22 9:00 現在）　【仕様】電源スイッチトポロジ = ハイサイドチャンネル数 = 8動作供給電圧 Max = 0.6 V (オフ), 25 V (オン)最大動作電流 = 0.1 (ON) mA, 1 (OFF) μA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 18動作温度 Max = +85 °C動作温

提携先在庫数：1140個（2024/04/22 9:00 現在）　【仕様】スイッチオン抵抗 = 3.25Ωチャンネル数 = 8動作供給電圧 Max = 25 V最大動作電流 = 0.1mAパワーレーティング = 1.47W実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 18動作温度 Max = +85 °C動作温度 Min = -40 °C寸法 =

4chソースドライバ TD62M4601FG 東芝製を販売します。【仕様】・VCC：-20V・VCBO：-20V・VCEO：-20V・VEBO：-20V

7回路入りのシンクタイプDMOSトランジスタアレイ 　TBD62003APGは、7回路入りのシンクタイプDMOSトランジスタアレイです。誘導性負荷の駆動時に発生する逆起電力をクランプする出力クランプダイオードが内蔵されています。使用に当たっては、熱的条件に注意してください。TD62003APGの代替品です。●主な仕様・7回路入り・出力耐圧が大きい：Vout＝50V(m

7回路入りのシンクタイプDMOSトランジスタアレイ　TBD62004Aシリーズは、7回路入りのDMOSトランジスタアレイです。誘導性負荷駆動時に発生する逆起電力をクランプする出力クランプダイオードが内蔵されています。使用に当たっては熱的条件にご注意ください。TD62004APGの代替品です。●主な仕様・7回路入り・出力耐圧が高い：Vout＝50V(max)・出力電流が

7回路入りのシンクタイプDMOSトランジスタアレイ 　TBD62503Aシリーズは、7回路入りのDMOSトランジスタアレイです。使用に当たっては、熱的条件に注意してください。TD62503PGの代替品です。●主な仕様・7回路入り・出力耐圧が高い：Vout＝50V(max)・出力電流が大きい：Iout＝300mA/ch(max)・入力電圧(出力オン)：2.5V(min)

【仕様】絶対最大定格出力電流(Max)IOUT1500mA動作温度Topr-40 ～ 85℃保存温度(max)Tstg150℃保存温度(min)Tstg-55℃電源電圧(Typ.)VCC4.5 ～ 5.5V出力耐圧VCE(SUS)50V電気的特性推奨入力電圧(Max)VIN(recommended)25V推奨入力電圧(Min)VIN(recommended)0V

VCEO・VDSS・VCES±60VIC・ID±4AIC・ID(pulse)hFE(min)2000RDS(ON)maxVCE（sat）max

VCEO・VDSS・VCES60±10VIC・ID1AIC・ID(pulse)hFE(min)2000RDS(ON)maxVCE（sat）max

VCEO・VDSS・VCES200VIC・ID3AIC・ID(pulse)hFE(min)1000RDS(ON)maxVCE（sat）max

VCEO・VDSS・VCES-60VIC・ID-3AIC・ID(pulse)hFE(min)2000RDS(ON)maxVCE（sat）max

VCEO・VDSS・VCES±100VIC・ID±5AIC・ID(pulse)hFE(min)2000RDS(ON)maxVCE（sat）max

VCEO・VDSS・VCES±60VIC・ID±10AIC・ID(pulse)hFE(min)2000RDS(ON)maxVCE（sat）max

VCEO・VDSS・VCES±80VIC・ID±5AIC・ID(pulse)hFE(min)2000RDS(ON)maxVCE（sat）max

VCEO・VDSS・VCES±60VIC・ID±4AIC・ID(pulse)hFE(min)1000RDS(ON)maxVCE（sat）max

VCEO・VDSS・VCES±60VIC・ID±3AIC・ID(pulse)hFE(min)40RDS(ON)maxVCE（sat）max

VCEO・VDSS・VCES100VIC・ID3AIC・ID(pulse)hFE(min)2000RDS(ON)maxVCE（sat）max

・パッケージ：SIP12 with Fin (SLA12Pin)・回路数：4・VCEO (V)/ VDSS (V)：±100・IC (A)/ ID (A)：±5・hFE (min)：1000・RDS(ON)max (?)：　・Equivalent Circuit：9

提携先在庫数：1個（2023/11/22 9:00 現在)　7回路入りのNPNトランジスタアレイです。　ベース電流を制御する入力抵抗などが内蔵されていますので、TTL、C-MOS、P=MOSなどの接続が容易であり、使用の際取り付ける部品が少なくてすみます。使用にあたっては熱的条件にご注意ください。【特長】7回路入りPタイプ標準　DIP16ピンFタイプ標準　SOP16ピ

提携先在庫数：1個（2024/4/23 9:00 現在)

提携先在庫数：1個（2024/4/23 9:00 現在)　製品概要回路数8入力抵抗10.5kΩパッケージ東芝パッケージ名SOP18-P-375-1.27ピン数18絶対最大定格項目記号値単位出力電流(Max)IOUT500mA動作温度Topr-40to85℃保存温度(max)Tstg150℃保存温度(min)Tstg-55℃出力耐圧VCE(SUS)50V

【仕様】・パッケージ：DIP-16・回路数：7回路・出力電流：500mA・出力耐圧：20V・入力アクティブ：H・出力電流形式：Sink・構造：NPNダーリントン・クランプダイオード：○・レベルシフトダイオード：・入力抵抗：10.5KΩ・備考：●スイッチング速度が速いので、高速度スイッチング用として使用できます。●TD62003APGと姉妹品です。●微小入力電流で大電流

【仕様】・パッケージ：DIP-18・回路数：8回路・出力電流：500mA・出力耐圧：50V・入力アクティブ：H・出力電流形式：Source・構造：NPN・クランプダイオード：○・レベルシフトダイオード：・入力抵抗：10KΩ・備考：・ロジック回路：TTLや５VのCMOS回路に適しています。・入力抵抗内蔵：ベース電流を制御する入力抵抗を内蔵。

【仕様】・パッケージ：DIP-16・回路数：7回路・出力電流：200mA・出力耐圧：50V・入力アクティブ：H・出力電流形式：Sink・構造：NPN・クランプダイオード：・レベルシフトダイオード：・入力抵抗：2.7KΩ・備考：●飽和電圧が低いのでスイッチング用として使用できます。●TD62502PGと姉妹品です。●入力抵抗を内蔵しているので、TTLやCMOS、PMOS

【仕様】・パッケージ：DIP-18・回路数：8回路・出力電流：500mA・出力耐圧：最大50V・入力アクティブ：H・出力電流形式：Sink・構造：NPNダーリントン・クランプダイオード：○・レベルシフトダイオード：・入力抵抗：2.7KΩ・備考：●TD62084APGと姉妹品です。●飽和電圧が低く、スイッチング速度が速いので高速度スイッチング回路に使用できます。●ポート

【仕様】・パッケージ：SLA(12pin)・回路数：3セット・出力電流：5000mA・出力耐圧：60±10V・入力アクティブ：・出力電流形式：・構造：ダーリントン・クランプダイオード：・レベルシフトダイオード：・入力抵抗：・備考：3相モータ用●トランジション周波数が大きく、出力電流が大きいので3相モータのドライブ用に使用できます。●飽和電圧が低いのでスイッチング用とし

【仕様】・パッケージ：STA(8pin)・回路数：3回路・出力電流：4000mA・出力耐圧：50V・入力アクティブ：H・出力電流形式：Sink・構造：NPNダーリントン・クランプダイオード：・レベルシフトダイオード：・入力抵抗：・備考：アバランシェダイオード内蔵●飽和電圧が低く、スイッチング速度が速いので高速度スイッチング用として使用できます。●アバランシェダイオード

【仕様】・パッケージ：STA(8pin)・回路数：3回路・出力電流：4000mA・出力耐圧：100V・入力アクティブ：L・出力電流形式：Source・構造：PNPダーリントン・クランプダイオード：・レベルシフトダイオード：・入力抵抗：・備考：●飽和電圧が低く、スイッチング速度が速いので高速度スイッチング用として使用できます。●トランジション周波数が大きく、出力電力が大

【仕様】・パッケージ：STA(10pin)・回路数：4回路・出力電流：4000mA・出力耐圧：-50V・入力アクティブ：H・出力電流形式：Sink・構造：NPNダーリントン・クランプダイオード：・レベルシフトダイオード：・入力抵抗：・備考：アバランシェダイオード内蔵●飽和電圧が低く、スイッチング速度が速いので高速度スイッチング用として使用できます。●アバランシェダイオ

【仕様】・パッケージ：STA(10pin)・回路数：4回路・出力電流：3000mA・出力耐圧：-60V・入力アクティブ：H・出力電流形式：Sink・構造：NPN・クランプダイオード：・レベルシフトダイオード：・入力抵抗：・備考：●飽和電圧が低く、スイッチング速度が速いので高速度スイッチング用として使用できます。●素子を保護するダイオードやダイオードなどが内蔵されていま

【仕様】・パッケージ：SLA(12pin)・回路数：4回路・出力電流：5000mA・出力耐圧：100V・入力アクティブ：H・出力電流形式：Sink・構造：NPNダーリントン・クランプダイオード：・レベルシフトダイオード：・入力抵抗：・備考：●飽和電圧が低く、スイッチング速度が速いのでスイッチング用として使用できます。●トランジション周波数が大きいので電力の増幅に適して

【仕様】・パッケージ：SLA(12pin)・回路数：3セット・出力電流：4000mA・出力耐圧：100V・入力アクティブ：・出力電流形式：・構造：ダーリントン・クランプダイオード：・レベルシフトダイオード：・入力抵抗：・備考：3相モータ用●トランジション周波数が大きく、出力電流が大きいので3相モータのドライブ用に使用できます。●飽和電圧が低いのでスイッチング用として使