[8デュアルNチャンネル8]の検索結果: 3,909件

【仕様】・パッケージ：TO-220Full-Pak5PIN・構造：・VDSS：55V・ID：11A・Pc(Tc=25℃)：14W・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：60mΩ(Vgc=10V Id=7.7A)・Qg：8.9nC　(標準)・Tr：5.9ns　(標準)　（Vdd=28V　Id=7.7A　Rg=2.5Ω)・コンプリ：・用途：・入数：1個

在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。【仕様】・パッケージ：TO-220 Full-Pak 5-Pin・構造：・VDSS：150V・ID：8.7A・Pc(Tc=25℃)：・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：95mΩ・Qg：13nC　(標準)・Tr：7ns　(標準)　（Vdd=75V　Id=5.

在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。【仕様】・パッケージ：TO-220 Full-Pak 5-Pin ?・構造：・VDSS：100V・ID：11A・Pc(Tc=25℃)：・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：72.5mΩ・コンプリ：・用途：・入数：1個・備考：

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：-・定格電流（A）：-・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：-・定格電流（A）：-・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・チャンネル（ICあたり）：1 - シングル、2 - デュアル、4 - クワッド・アンプタイプ：汎用・出力タイプ：-・スルーレート：-・帯域幅-3db：-・電流 - 出力/チャンネル：-・電流 - 供給（メインIC）：-・電圧 - 供給、シングル/デュアル（±）：-・ボードタイプ：ベア（未実装）・供給内容：ボード・使用IC/部

●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-563実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 0.3V最大パワー消費 = 150 mWトラン

【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・チャンネル（ICあたり）：1 - シングル・アンプタイプ：計器・出力タイプ：シングルエンド、レールツーレール・スルーレート：-・帯域幅-3db：-・電流 - 出力/チャンネル：10 mA・電流 - 供給（メインIC）：1.1 mA・電圧 - 供給、シングル/デュアル（±）：1.8V～5.5V・ボードタイプ：完備・供給内容：ボード

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SAB™・トランジスタタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・用途：スーパーキャパシタ、自動バランス・電圧 - 定格：10.6V・定格電流（A）：80mA・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：DE・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・周波数：-・ゲイン：-・電圧 - テスト：-・定格電流（A）：8A・雑音指数：-・電流 - テスト：-・電源 - 出力：1180W・電圧 - 定格：1000 V・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ/ケース：8-SMD、フラットリード

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・周波数：100MHz～500MHz・ゲイン：8dB・電圧 - テスト：28 V・定格電流（A）：16A・雑音指数：-・電流 - テスト：400 mA・電源 - 出力：150W・電圧 - 定格：65 V・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：DE・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・周波数：-・ゲイン：-・電圧 - テスト：-・定格電流（A）：16A・雑音指数：-・電流 - テスト：-・電源 - 出力：1180W・電圧 - 定格：500 V・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ/ケース：8-SMD、フラットリード

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Z-MOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・周波数：70MHz・ゲイン：17dB・電圧 - テスト：100 V・定格電流（A）：10A・雑音指数：-・電流 - テスト：-・電源 - 出力：270W・電圧 - 定格：500 V・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ/ケース

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・周波数：123MHz・ゲイン：26.8dB・電圧 - テスト：100 V・定格電流（A）：20A・雑音指数：-・電流 - テスト：250 mA・電源 - 出力：425W・電圧 - 定格：250 V・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ/ケ

●仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ, 28 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 Wトランジ

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：21ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（t

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：21ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：21ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（t

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：21ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（t

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）、27A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20.3ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（th）

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）、27A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20.3ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（th）

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）、27A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20.3ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（th）（

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）、27A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20.3ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（th）

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）、27A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20.3ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（th）

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）、27A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20.3ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（th）（