デバイスモデリング教材 パワーMOSFET編【DM-004】

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商品説明

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【概要】
パワー・エレクトロニクスにおいて主役でもあるパワーMOSFETのデバイスモデリングの教材です。
パワーMOSFETは、本体のMOSFETとボディ・ダイオードで構成されております。
それぞれのデバイスモデリングのポイント、注意点、最適なモデリングのプロセスについて解説しています。
パワーMOSFETのご理解に是非、ご活用下さい。

【目次】
1. デバイスモデリングについて
2. パワー MOSFET のデバイスモデリング
パワー MOSFET
2.1 L、W、TOX の定数決定方法
2.2 KP の抽出方法
2.3 VTO の抽出方法
2.4 RD の抽出方法
2.5 RDS の抽出方法
2.6 CGSO、CGDO の抽出方法
2.7 MJ、PB の抽出方法
2.8 RG の抽出方法
ボディ・ダイオード
2.9 IS、N、RS、IKF の抽出方法
2.10 TT(trj) の抽出方法
2.11 サブサーキットの記述方法
3. デバイスモデルの評価方法
パワー MOSFET
3.1 Vgs-ld 特性の評価解析シミュレーション
3.2 Rds(on) Resistance の評価解析シミュレーション
3.3 ゲート・チャージ特性の評価解析シミュレーション
3.4 容量特性(VdS vs. Cbd)の評価解析シミュレーション
3.5 td(on) の評価解析シミュレーション
ボディ・ダイオード
3.6 Vsd vs. ls 特性の評価解析シミュレーション
3.7 逆回復特性の評価解析シミュレーション
4. モデルの弱点について(ゲート・チャージ特性)
5. サーマル・デバイスモデルについて
6. 質疑応答
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