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すべてのジャンル  [ メーカー:インフィニオン ]の検索結果

検索結果 42,774件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・構造:直列接続 - 全SCR・SCR、ダイオードの数:1 SCR・電圧 - オフ状態:1.6 kV・電流 - オン状態(It(AV))(最大):669 A・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):1050 A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):2.2 V・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):250 mA・
    40,223.66 税込¥44,246.02
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):260A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.9ミリオーム @
    1,284.62 税込¥1,413.08
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:揮発性・メモリフォーマット:SRAM・技術:SRAM - 非同期・メモリサイズ:16Mビット・メモリ構成:512K x 32・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:10ns・アクセス時間:10 ns・電圧 - 供給:
    14,658.63 税込¥16,124.49
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:PSOC™ 6・DigiKeyプログラマブル:未検証・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M4・コアサイズ:32ビット・速度:150MHz・接続性:I2C、LINbus、QSPI、SPI、UART/USART、USB・ペリフェラル:ブラウンアウト検出/リセット、Cap Sense、DMA、I2S、POR、PWM、WDT・I
    1,796.48 税込¥1,976.12
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    MOSFET N 55V 56A TO-220FP Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:64A Drain Source Voltage Vds:55V On Resistance Rds(on):0.008ohm Rds(on) Test Voltage Vgs:10V Thre
    834.00 税込¥917.00
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    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:AURIX™・タイプ:MCU 32ビット・コアプロセッサ:TriCore™・プラットフォーム:AURIX TC375 Lite・使用IC/部品:TC375・取り付けタイプ:固定・内訳:ボード
    22,487.36 税込¥24,736.09
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・IGBTタイプ:-・構成:3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1200 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):75 A・電力 - 最大:280 W・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2.15V @ 15V、50A・電流 - コレクタ遮断(最大):5 mA・入力静電容量(Cies) @
    18,991.96 税込¥20,891.15
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):36A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):32ミリオーム @ 36A、10V
    841.67 税込¥925.83
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    HALF BRIDGE DRIVER SELF-OSC DIP8 Driver Configuration:High Side Peak Output Current:260mA Supply Voltage Min:10.1V Supply Voltage Max:16.8V Driver Case Style:DIP No. of Pins:8Pins Inpu
    1,122.00 税込¥1,234.00
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:*・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgsでのゲートチャージ(Q
    802.78 税込¥883.05
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:FL-L・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:フラッシュ・技術:FLASH - NOR・メモリサイズ:128Mビット・メモリ構成:16M x 8・メモリインターフェース:SPI - クワッドI/O、QPI・クロック周波数:133 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-・
    691.67 税込¥760.83
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolGaN™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):21A(Ta)、76A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.3ミリオーム
    1,069.87 税込¥1,176.85
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:PSOC™ 4・タイプ:MCU 32ビット・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M0+・プラットフォーム:PSOC 4100PS試作キット・使用IC/部品:CY8C4145・取り付けタイプ:固定・内訳:ボード
    4,947.06 税込¥5,441.76
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TRENCHSTOP™・IGBTタイプ:トレンチ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):55 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):90 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2.1V @ 15V、30A・電力 - 最大:188 W・スイッチングエネルギー
    975.35 税込¥1,072.88
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:MOBL™・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:揮発性・メモリフォーマット:SRAM・技術:SRAM - 非同期・メモリサイズ:8Mビット・メモリ構成:512K x 16・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:45ns・アクセス時間:45
    2,096.48 税込¥2,306.12
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    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
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    DIODE VARICAP 20PF 0.02A SOD-323Capacitance Cd Max @ Vr F:20pFForward Current If(AV):20mARepetitive Reverse Voltage Vrrm Max:30VOperating Temperature Max:150℃Diode Case Style:SOD-32
    71.00 税込¥78.00
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:PSOC™ 4 CY8C42xx・DigiKeyプログラマブル:未検証・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M0・コアサイズ:32ビット・速度:48MHz・接続性:I2C、IrDA、LINbus、Microwire、スマートカード、SPI、SSP、UART/USART・ペリフェラル:ブラウンアウト検出/リセット、CapS
    1,257.34 税込¥1,383.07
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチタイプ:汎用・出力数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・出力構成:ハイサイド・出力タイプ:Nチャンネル・インターフェース:オン/オフ・電圧 - 負荷:8V~18V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):不要・電流 - 出力(最大):33A・Rds On(標準):-・入力タイプ:非反転・特長:-・フォール
    1,287.18 税込¥1,415.89
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):450A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):7V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.64ミリオーム @ 1
    1,209.34 税込¥1,330.27
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:PSOC™ 4 CY8C4000・DigiKeyプログラマブル:未検証・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M0・コアサイズ:32ビット・速度:16MHz・接続性:I2C・ペリフェラル:ブラウンアウト検出/リセット、POR、PWM、WDT・I/O数:20・プログラムメモリサイズ:16KB(16K x 8)・プログラムメモ
    654.17 税込¥719.58
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:5V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.9V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):200mA、350mA・入力タイ
    375.72 税込¥413.29
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    最小20個から購入可能
    20個単位で購入可能
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    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流33 A最大ドレイン-ソース間電圧100 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗44 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧4V最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費130 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V動
    238.80 税込¥261.80
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):74A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7ミリオーム @ 2
    695.84 税込¥765.42
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.5ミリオーム
    854.17 税込¥939.58
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    9個
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    パラレルインターフェースを備えた産業グレードの8MビットSRAM超低アクティブ電流と自動パワーダウン機能を備えているため、携帯電話などに最適なSRAMです。デバイスの選択を解除すると、最小限の電力消費と入力/出力ピンの高インピーダンス状態が保証され、ポータブルアプリケーションにおけるパフォーマンスが最適化されます。●特長・CY62157DV30とピン互換・標準スタンバ
    2,530.00 税込¥2,783.00
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    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流50 A最大ドレイン-ソース間電圧200 VパッケージタイプTO-247AC実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗40 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧4V最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費300 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V動
    1,254.00 税込¥1,379.00
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    2418-12
    箱番号の使い方
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    404個
    商品説明
    デジタルアンプのFETをコントロールするゲートドライバーです。 アナログ入力をPWM周波数モジューレーションしてFETのGateを駆動します。過電圧、減電圧、過電流など各種プロテクションが内蔵されています。  【主な仕様】 Voffset ±100V、GateDriver Io+ 1.0A Io- 1.2A 、PWM周波数:MAX800KHz【仕様】・パッケージ:PD
    689.00 税込¥757.00
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    MOSFET DRIVER -40 TO 150DEG C Driver Configuration:Low Side Peak Output Current:8A Supply Voltage Min:4.5V Supply Voltage Max:20V Driver Case Style:SOT-23 No. of Pins:6Pins Input Delay
    148.00 税込¥162.00
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):650 V・電流 - 平均整流(Io):150A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.7 V @ 75 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):108 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:40 µA @ 650
    1,032.88 税込¥1,136.16
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):180A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.7ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時
    524.29 税込¥576.71
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・タイプ:ファンアウト分配、周波数乗算器、ゼロディレイバッファ・PLL:あり・入力:LVCMOS、LVTTL・出力:LVCMOS・回路数:1・レシオ - 入力:出力:1:2・差動 - 入力:出力:なし/なし・周波数 - 最大:133MHz・分割器/乗算器:あり/あり・電圧
    1,984.71 税込¥2,183.18
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):80A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.2ミリオーム @ 80A、10V・I
    658.34 税込¥724.17
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハイサイド、ローサイド・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):4A、4A・入力タイプ:
    531.43 税込¥584.57
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 10A、1
    245.72 税込¥270.29
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    MOSFET N 55V 41A TO-220Transistor Polarity:N ChannelContinuous Drain Current Id:41ADrain Source Voltage Vds:55VOn Resistance Rds(on):22mohmRds(on) Test Voltage Vgs:10VThreshold Volt
    746.00 税込¥820.00
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):290mA、600mA・入力タ
    291.43 税込¥320.57
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SIPMOS®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.9A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):300ミリオーム @ 1.9A、1
    305.72 税込¥336.29
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):11ミリオーム @ 1
    1,252.00 税込¥1,377.20
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:CoolGaN™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Ta)、23A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):11ミリオーム @
    568.06 税込¥624.86
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:単相・技術:ショットキー・電圧 - ピーク逆方向(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):900 mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):700 mV @ 900 mA・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:350 µA @ 30 V・動作温度:150°C(TJ)・グレード:自
    260.00 税込¥286.00
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):4V・電流 - 最大:130 mA・Vr、F印加時の静電容量:0.75pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗:15オーム @ 5mA、10kHz・電力散逸(最大):150 mW・動作温度:150°C(TJ)・グレード:-・認
    31.43 税込¥34.57
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):210mA、360mA・入力タイプ:非反転・ハイ
    938.89 税込¥1,032.77
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    インフィニオン
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    ●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 74 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジス
    656.00 税込¥721.00
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    インフィニオン
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    ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 70 Wトランジス
    349.00 税込¥383.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    440個
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    高性能CMOS非同期SRAM●仕様メモリタイプ揮発性メモリフォーマットSRAMメモリサイズ256kBメモリインターフェースパラレル動作電源電圧4.5V~5.5Vアクセス時間15ns書き込みサイクル時間15nsパッケージ/ピン28-DIP動作温度0℃~70℃
    370.00 税込¥407.00
  • メーカー名:
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    出荷予定日:
    即納在庫数:
    412個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。極めて低いオン抵抗を実現した55V/19AのPチャネルパワーMOSFETです。約50Wまでのアプリケーションに適した低熱抵抗でコストパフォーマンスのよいパッケージで提供されます。●特長・100kHz以下のスイッチングアプリケーションに最適化・大電流に対応したパッケージ・ウェーブは
    93.00 税込¥102.00
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    169個
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    HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
    45.00 税込¥49.00
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    437.15 税込¥480.86
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    本製品は、自社在庫限りの製品となっております。 超低静止電流の50mAアジャスタブルリニア電圧レギュレータの評価ボード  在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。IFX30081SJVは入力電圧が2.75V~42Vと広く、低ドロップアウト電圧で、わずか5μAという超低静止電流のリニア電圧レギュレータです。IFX300
    500.00 税込¥550.00
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    本製品は、自社在庫限りの製品となっております。 在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。Description:This E valuation Kit is a compact and flexible 3-phase motor drivesystem solution platform with controll
    1,000.00 税込¥1,100.00
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