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半導体  [ メーカー:インフィニオン ]の検索結果

検索結果 50,721件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:GL-T・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:フラッシュ・技術:FLASH - NOR・メモリサイズ:512Mビット・メモリ構成:64M x 8・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:60ns・アクセス時間:1
    1,767.06 税込¥1,943.76
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®, StrongIRFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):240A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):
    738.89 税込¥812.77
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・技術:静電容量カップリング・チャンネル数:2・電圧 - 絶縁:5700Vrms・コモンモード過渡耐性(最小):200kV/µs・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):40ns、40ns・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):20ns、20ns(最大)・電流 - 出力高
    470.00 税込¥517.00
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・タイプ:トランシーバ・プロトコル:CANbus・ドライバ/レシーバ数:1/1・デュプレックス:-・受信機ヒステリシス:-・データレート:-・電圧 - 供給:4.5V~5.5V・動作温度:-40°C~150°C(TJ)・グレード:自動車・認定:AEC-Q100・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:8-S
    365.72 税込¥402.29
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EZ-USB FX2LP™・DigiKeyプログラマブル:未検証・用途:USBマイクロコントローラ・コアプロセッサ:8051・プログラムメモリタイプ:ROMなし・コントローラシリーズ:CY7C680xx・RAMサイズ:16K x 8・インターフェース:I2C、USB、USART・I/O数:24・電圧 - 供給:3
    3,234.12 税込¥3,557.53
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    インフィニオン
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    130個
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    低ドロップアウト電圧トラッキングレギュレータOPTIREGリニアシリーズのTLE4250-2Gは、優れた耐熱性を備えた小型SMDパッケージ(PG-SCT595-5)に収められたモノリシック統合型低ドロップアウト電圧レギュレータです。車載環境でオフボード負荷に電力を供給するように設計されています。このIC には、過負荷、過熱、逆極性、バッテリーとグランドへの出力短絡が発
    137.00 税込¥150.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・技術:静電容量カップリング・チャンネル数:2・電圧 - 絶縁:5700Vrms・コモンモード過渡耐性(最小):200kV/µs・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):40ns、40ns・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):20ns、20ns(最大)・電流 - 出力高
    470.00 税込¥517.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):210mA、360mA・入力タイプ:非反転・ハイ
    702.78 税込¥773.05
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハイサイドとローサイド・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:8V~17V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):3A、5A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 -
    248.58 税込¥273.43
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    290.00 税込¥319.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):290mA、600mA・入力タ
    232.86 税込¥256.14
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):62A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8.7ミリオーム @ 31A、10V・I
    341.43 税込¥375.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    箱番号:
    2552-11
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    出荷予定日:
    自社在庫数:
    14個
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    【仕様】・パッケージ:TO-220AB・構造:・VDSS:200V・ID:38A・Pc(Tc=25℃):・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):54mΩ・Ciss:2900pF(標準) (Vds=25V f=1MHz)・Ton:16ns(標準) (Vgs=10V Id=26A)・Gfs:17S(最小) (Vds=50V Id=26A)・コンプリ:・
    584.00 税込¥642.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 6・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):60A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3ミリオーム @ 30A、10V・Id印
    240.00 税込¥264.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:F-RAM™・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:FRAM・技術:FRAM(強誘電体RAM)・メモリサイズ:128Kビット・メモリ構成:16K x 8・メモリインターフェース:I2C・クロック周波数:3.4 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-・アクセ
    590.28 税込¥649.30
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:6V、9.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):3A、3A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧
    895.84 税込¥985.42
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolMOS™ P6・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):380ミリオーム @
    420.00 税込¥462.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):80A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15ミリオーム @ 45A、10V・Id印加時の
    307.15 税込¥337.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OPTIGA™ TPM・DigiKeyプログラマブル:未検証・用途:トラステッドプラットフォームモジュール(TPM)・コアプロセッサ:16ビット・プログラムメモリタイプ:NVM(7.04kB)・コントローラシリーズ:-・RAMサイズ:-・インターフェース:LPC・I/O数:1・電圧 - 供給:3V~3.6V・動作
    856.95 税込¥942.64
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):62A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.5ミリオーム @ 37A、10V・Id印加
    290.00 税込¥319.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    2552-10
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    出荷予定日:
    自社在庫数:
    48個
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:TO-220AB・構造:・VDSS:100V・ID:80A・Pc(Tc=25℃):・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):15mΩ・Ciss:3830pF(標準) (Vds=25V f=1MHz)・Ton:15ns(標準) (Vgs=10V Id=80A)・コンプリ:・用途:・入数:1個・備考:●スイッチング時間が速いので高速
    394.00 税込¥433.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    自社在庫数:
    636個
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    高性能CMOS非同期SRAM●仕様メモリタイプ揮発性メモリフォーマットSRAMメモリサイズ256kBメモリインターフェースパラレル動作電源電圧4.5V~5.5Vアクセス時間15ns書き込みサイクル時間15nsパッケージ/ピン28-DIP動作温度0℃~70℃
    370.00 税込¥407.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・DigiKeyプログラマブル:-・駆動構成:ハイサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:8V~125V・論理電圧 - VIL、VIH:1V、1.15V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-、1A・入力タイプ:非反
    335.72 税込¥369.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):120A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時のV
    723.62 税込¥795.98
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、2.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):160ミリオーム @
    50.00 税込¥55.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.2ミリオーム @ 40A、10V・I
    132.86 税込¥146.14
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 5.
    80.00 税込¥88.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    箱番号:
    2552-10
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    1,597個
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:TO-220Full-Pak・構造:・VDSS:55V・ID:14A・Pc(Tc=25℃):29W・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):70mΩ(Vgs=10V Id=7.8A)・Qg:20nC (最大)・Td(on):4.9ns (標準) (Vdd=28V Id=10A Rg=24Ω)・コンプリ:・用途:・入数:1個・備考
    274.00 税込¥301.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):115ミリオーム @ 10A、10
    198.58 税込¥218.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    225個
    商品説明
    HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
    41.00 税込¥45.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・周波数:50MHz~3.5GHz・P1dB:-6.5dBm・ゲイン:19.5dB・雑音指数:1dB・RFタイプ:セルラー、RKE、WiFi・電圧 - 供給:1.8V~4V・電流 - 供給:30mA・テスト周波数:1.5GHz・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:6-XFDFN露
    217.15 税込¥238.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:WICED・DigiKeyプログラマブル:未検証・RFファミリ/標準:Bluetooth、WiFi・プロトコル:802.11a/b/g/n/ac、Bluetooth v5.0・変調:256-QAM・周波数:2.4GHz、5GHz・データレート:78Mbps・電源 - 出力:-・感度:-・シリアルインターフェース:I2S、PCM、
    1,960.00 税込¥2,156.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):950 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13.3A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):450ミリオーム @ 7.2
    738.89 税込¥812.77
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:12.7V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:1.2V、1.7V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):800mA、1.75A・入力タイプ:CMOS、TTL・ハ
    235.72 税込¥259.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolMOS™ C7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):35A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 15.
    1,362.83 税込¥1,499.11
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:1・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:1.1V、1.7V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):2.5A、2.5A・入力タイプ
    175.90 税込¥193.49
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.7V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):1A、1A・入力タイプ:反転・ハイサイド
    520.00 税込¥572.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・技術:静電容量カップリング・チャンネル数:2・電圧 - 絶縁:5700Vrms・コモンモード過渡耐性(最小):200kV/µs・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):40ns、40ns・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):20ns、20ns(最大)・電流 - 出力高
    470.00 税込¥517.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・タイプ:シンプルリセット/パワーオンリセット・モニタ電圧数:1・電圧 - 閾値:4.2V・出力:CMOS反転・リセット:アクティブLow・タイムアウトリセット:80ms最小・動作温度:-40°C~85°C(TA)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):90ミリオーム @ 14A、10V・Id印加時の
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.9A(Ta)、7.9A(Tc)、5.8A(Ta)、7.8A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25ミリオー
    195.72 税込¥215.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:GL-S・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:フラッシュ・技術:FLASH - NOR・メモリサイズ:1Gビット・メモリ構成:64M x 16・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:60ns・アクセス時間:100 ns・電圧
    2,403.53 税込¥2,643.88
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSET™・出力絶縁:非絶縁型・内部スイッチ:あり・電圧 - ブレークダウン:800V・トポロジ:降圧、フライバック・電圧 - スタートアップ:16 V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):10V~27V・デューティサイクル:75%・周波数 - スイッチング:65kHz・電力(ワット):40 W・フォールト保護:電流制限、
    370.00 税込¥407.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):70A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):11.8ミリオーム @
    772.23 税込¥849.45
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:磁気抵抗・軸:シングル・出力タイプ:アナログ電圧、ホイートストンブリッジ・センシング範囲:±5mT・電圧 - 供給:1V~5.5V・電流 - 供給(最大):-・電流 - 出力(最大):-・分解能:-・帯域幅:5kHz・動作温度:-40°C~125°C・グレード:-・認定:-・特長:-・サプライヤデバイスパ
    464.29 税込¥510.71
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):70A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):37ミリオーム @ 27A、10
    1,237.34 税込¥1,361.07
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):4V・電流 - 最大:110 mA・Vr、F印加時の静電容量:0.23pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗:10オーム @ 50mA、1MHz・電力散逸(最大):100 mW・動作温度:150°C(TJ)・グレード:-・認定
    175.72 税込¥193.29
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):99ミリオーム @ 10.1A、
    819.45 税込¥901.39
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):37A(Ta)、100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.0
    287.15 税込¥315.86
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ハーフブリッジ・用途:DCモータ、汎用・インターフェース:PWM・負荷タイプ:誘導性・技術:パワーMOSFET・Rds On(標準):4.7ミリオームLS、5.3ミリオームHS・電流 - 出力/チャンネル:55A・電流 - ピーク出力:-・電圧 - 供給:8V~40V・電圧 - 負荷:8V~40V・
    733.34 税込¥806.67
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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DigiReelの説明
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