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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7ミリオーム @
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：74ミリオーム @ 16.7A、18V・Id印
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CIPOS™・タイプ：IGBT・構成：3相・電流：30 A・電圧：600 V・電圧 - 絶縁：2000Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：24-PowerDIPモジュール（1.028インチ、26.10mm）
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：XENSIV™・タイプ：水素（H2）・酸素域：-・精度：±10%・出力：デジタル・動作温度：-40°C～105°C・電圧 - 供給：3.135V～3.465V・電流 - 供給：5mA
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：12V～18V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.2V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：1.6A、3.3A・入力タイプ：非反転・ハイ
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商品説明
【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EZ-PD™ CCG2・DigiKeyプログラマブル：未検証・用途：USB Type C・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M0・プログラムメモリタイプ：フラッシュ（32KB）・コントローラシリーズ：-・RAMサイズ：4K x 8・インターフェース：I2C、SPI、UART/USART、USB・I/O数：14・電圧 -
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39ミリオーム @ 21A、10V・Id印加時の
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 25A、10V・Id印加時
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：F-RAM™・DigiKeyプログラマブル：検証済み・メモリタイプ：不揮発性・メモリフォーマット：FRAM・技術：FRAM（強誘電体RAM）・メモリサイズ：16Kビット・メモリ構成：2K x 8・メモリインターフェース：I2C・クロック周波数：1 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：-・アクセス時間
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商品説明
【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：5V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.9V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：200mA、350mA・入力タイプ
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：EiceDRIVER™・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給：20V・論理電圧 - VIL、VIH：-、1.65V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：4A、8A・入力タイプ：非反転
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- メーカー名：
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インフィニオン
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D
商品説明
浜松物流センター在庫数：2個
(2026/03/10 9:00現在) 本製品は、自社在庫限りの製品となっております。 在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。Description:This Evaluation Kit is a compact and
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハイサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：6V、9.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：250mA、500mA・入力タイプ：非反転・ハイ
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：65A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 46A、10V・Id印加時の
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 品質ランク：
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B
商品説明
提携先在庫数：20個（2026/03/09 9:00 現在） ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流260 A最大ドレイン-ソース間電圧30 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗2 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧2.35V最低ゲートしきい値電圧1.35V最大パワー消費230 Wト
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商品説明
【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：PSOC™ 6・タイプ：トランシーバ;Bluetooth® 5.x（BLE）・周波数：2.4GHz・内訳：ボード、ケーブル・アンテナタイプ：-・使用IC/部品：CYBLE-416045-02
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：XENSIV™・タイプ：二酸化炭素（CO2）・酸素域：0 mbar ~ 800 bar・精度：±5%・出力：I2C、PWM、UART・動作温度：0°C～50°C・電圧 - 供給：4.45V～5.5V・電流 - 供給：
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 環境区分：
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- 品質ランク：
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B
商品説明
提携先在庫数：38個（2026/03/09 9:00 現在） ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流23 A最大ドレイン-ソース間電圧100 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗117 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧4V最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費140 Wトランジス
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・周波数：0Hz～2.7GHz・P1dB：18dBm・ゲイン：19dB・雑音指数：2.5dB・RFタイプ：CDMA、GSM、PCS・電圧 - 供給：-・電流 - 供給：-・テスト周波数：1GHz・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：SC-82A、SOT-343・サプライヤデバイス
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolMOS™ P7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：600ミリオーム @ 1.8A、10V
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・メモリタイプ：揮発性・メモリフォーマット：SRAM・技術：SRAM - 非同期・メモリサイズ：256Kビット・メモリ構成：32K x 8・メモリインターフェース：パラレル・クロック周波数：-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：10ns・アクセス時間：10 ns・電圧 - 供給：
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：290mA、600mA・入力タイプ：非反
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 品質ランク：
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D
商品説明
浜松物流センター在庫数：2個
(2026/03/10 9:00現在) 本製品は、自社在庫限りの製品となっております。 在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。【仕様】シリーズiMOTIONタイプ電源管理機能モータコントローラ/ドライバ使用IC/パーツIRM
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：10V～15.6V・論理電圧 - VIL、VIH：-・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：-・入力タイプ：RC入力回路・ハイサイド電圧 - 最
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 環境区分：
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- 品質ランク：
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A
商品説明
MOSFET N 100V 17A TO-220 Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:17A Drain Source Voltage Vds:100V On Resistance Rds(on):90mohm Rds(on) Test Voltage Vgs:10V Thresh
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー - 1ペア直列接続・電圧 - ピーク逆方向（最大）：4V・電流 - 最大：110 mA・Vr、F印加時の静電容量：0.35pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗：5.8オーム @ 50mA、1MHz・電力散逸（最大）：100 mW・動作温度：150°C（TJ）・グレード
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PROFET™・スイッチタイプ：汎用・出力数：1・レシオ - 入力：出力：1：1・出力構成：ハイサイド・出力タイプ：Nチャンネル・インターフェース：オン/オフ・電圧 - 負荷：18V～28V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：18V～28V・電流 - 出力（最大）：15A・Rds On（標準）：4.4ミリオーム・
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商品説明
【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：GL-S・DigiKeyプログラマブル：未検証・メモリタイプ：不揮発性・メモリフォーマット：フラッシュ・技術：FLASH - NOR・メモリサイズ：64Mビット・メモリ構成：8M x 8、4M x 16・メモリインターフェース：パラレル・クロック周波数：-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：60ns・アクセス時間：70
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：10V～15.6V・論理電圧 - VIL、VIH：-・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：-・入力タイプ：RC入力回路・ハイサイド電圧 - 最大（ブートスト
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 品質ランク：
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A
商品説明
MOSFET P MICRO3Transistor Polarity:P ChannelContinuous Drain Current Id:-4.3ADrain Source Voltage Vds:-12VOn Resistance Rds(on):0.05ohmRds(on) Test Voltage Vgs:-4.5VThreshold Voltage
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：150ミリオーム @ 11A、10V・Id印加時
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 環境区分：
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- 品質ランク：
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A
商品説明
MOSFET N CHAN 20V 4.2A SOT-23 Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:4.2A Drain Source Voltage Vds:20V On Resistance Rds(on):45mohm Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：161A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.3ミリオーム @ 1
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のV
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 環境区分：
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- 品質ランク：
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B
商品説明
提携先在庫数：121個（2026/03/09 9:00 現在） ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲ
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 環境区分：
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- 品質ランク：
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A
商品説明
HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
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1個以上
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￥370.00(税抜)
税込￥407.00
即納在庫数 ：
個
- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 環境区分：
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- 品質ランク：
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B
商品説明
高性能CMOS非同期SRAM●仕様メモリタイプ揮発性メモリフォーマットSRAMメモリサイズ256kBメモリインターフェースパラレル動作電源電圧4.5V～5.5Vアクセス時間15ns書き込みサイクル時間15nsパッケージ/ピン28-DIP動作温度0℃～70℃
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・周波数：0Hz～3GHz・P1dB：-2.5dBm・ゲイン：13dB・雑音指数：2.3dB・RFタイプ：汎用・電圧 - 供給：3V～6V・電流 - 供給：6.7mA・テスト周波数：1GHz・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：SC-82A、SOT-343・サプライヤデバイスパッ
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1個以上
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￥182.00(税抜)
税込￥200.00
即納在庫数 ：
個
- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 箱番号：
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2552-11
- 出荷予定日：
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- 環境区分：
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- 品質ランク：
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A
商品説明
【ご注意事項】本商品は、当社在庫品の一部を数量限定の特別価格にてご提供しております。販売数量には限りがあり、当社規定数に達し次第、予告なく特別価格での販売を終了させていただきます。自社在庫以上のお取り寄せについては特別価格は適用できませんので、あらかじめご了承ください。【仕様】・パッケージ：TO-220AB・構造：・VDSS：200V・ID：18A・Pc(Tc=25℃
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3
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1個以上
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￥394.00(税抜)
税込￥433.00
即納在庫数 ：
個
- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 箱番号：
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2552-10
- 出荷予定日：
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- 環境区分：
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- 品質ランク：
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A
商品説明
【仕様】・パッケージ：TO-220AB・構造：・VDSS：100V・ID：80A・Pc(Tc=25℃)：・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：15mΩ・Ciss：3830pF(標準) (Vds=25V ｆ=1MHz)・Ton：15ns(標準) (Vgs=10V Id=80A)・コンプリ：・用途：・入数：1個・備考：●スイッチング時間が速いので高速
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商品説明
【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：68A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 27.
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：222A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.13ミリオーム
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：210A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 1
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商品説明
【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 6・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Ta）、230A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.
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商品説明
【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Ta）、396A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2ミ
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 環境区分：
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- 品質ランク：
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A
商品説明
PRESSURE SENSOR 20-300KPA SOFL-8 Pressure Type:Absolute Sensitivity V/P:15.2mV/kPa Operating Pressure Min:20kPa Operating Pressure Max:300kPa Supply Voltage Min:4.5V Supply Voltage M
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商品説明
【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・タイプ：-・機能：-・組み込み製品：-・使用IC/部品：-・主要属性：-・副次属性：-・内訳：
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolMOS™・出力絶縁：絶縁型・内部スイッチ：あり・電圧 - ブレークダウン：700V・トポロジ：フライバック・電圧 - スタートアップ：16 V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：10V～27V・デューティサイクル：-・周波数 - スイッチング：-・電力（ワット）：41 W・フォールト保護：電流制限、オープンループ、過負
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7ミリオーム @
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：74ミリオーム @ 16.7A、18V・Id印
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CIPOS™・タイプ：IGBT・構成：3相・電流：30 A・電圧：600 V・電圧 - 絶縁：2000Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：24-PowerDIPモジュール（1.028インチ、26.10mm）
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：XENSIV™・タイプ：水素（H2）・酸素域：-・精度：±10%・出力：デジタル・動作温度：-40°C～105°C・電圧 - 供給：3.135V～3.465V・電流 - 供給：5mA
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：12V～18V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.2V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：1.6A、3.3A・入力タイプ：非反転・ハイ
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EZ-PD™ CCG2・DigiKeyプログラマブル：未検証・用途：USB Type C・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M0・プログラムメモリタイプ：フラッシュ（32KB）・コントローラシリーズ：-・RAMサイズ：4K x 8・インターフェース：I2C、SPI、UART/USART、USB・I/O数：14・電圧 -
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39ミリオーム @ 21A、10V・Id印加時の
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 25A、10V・Id印加時
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：F-RAM™・DigiKeyプログラマブル：検証済み・メモリタイプ：不揮発性・メモリフォーマット：FRAM・技術：FRAM（強誘電体RAM）・メモリサイズ：16Kビット・メモリ構成：2K x 8・メモリインターフェース：I2C・クロック周波数：1 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：-・アクセス時間
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：5V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.9V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：200mA、350mA・入力タイプ
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- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：EiceDRIVER™・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給：20V・論理電圧 - VIL、VIH：-、1.65V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：4A、8A・入力タイプ：非反転
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- 浜松物流センター在庫数：2個
(2026/03/10 9:00現在) 本製品は、自社在庫限りの製品となっております。 在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。Description:This Evaluation Kit is a compact and
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- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハイサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：6V、9.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：250mA、500mA・入力タイプ：非反転・ハイ
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- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：65A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 46A、10V・Id印加時の
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最小2個から購入可能
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2個単位で購入可能
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- 提携先在庫数：20個（2026/03/09 9:00 現在） ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流260 A最大ドレイン-ソース間電圧30 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗2 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧2.35V最低ゲートしきい値電圧1.35V最大パワー消費230 Wト
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- 【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：PSOC™ 6・タイプ：トランシーバ;Bluetooth® 5.x（BLE）・周波数：2.4GHz・内訳：ボード、ケーブル・アンテナタイプ：-・使用IC/部品：CYBLE-416045-02
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- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：XENSIV™・タイプ：二酸化炭素（CO2）・酸素域：0 mbar ~ 800 bar・精度：±5%・出力：I2C、PWM、UART・動作温度：0°C～50°C・電圧 - 供給：4.45V～5.5V・電流 - 供給：
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- 提携先在庫数：38個（2026/03/09 9:00 現在） ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流23 A最大ドレイン-ソース間電圧100 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗117 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧4V最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費140 Wトランジス
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- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・周波数：0Hz～2.7GHz・P1dB：18dBm・ゲイン：19dB・雑音指数：2.5dB・RFタイプ：CDMA、GSM、PCS・電圧 - 供給：-・電流 - 供給：-・テスト周波数：1GHz・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：SC-82A、SOT-343・サプライヤデバイス
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- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolMOS™ P7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：600ミリオーム @ 1.8A、10V
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- メーカー名：
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- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・メモリタイプ：揮発性・メモリフォーマット：SRAM・技術：SRAM - 非同期・メモリサイズ：256Kビット・メモリ構成：32K x 8・メモリインターフェース：パラレル・クロック周波数：-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：10ns・アクセス時間：10 ns・電圧 - 供給：
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- メーカー名：
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- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：290mA、600mA・入力タイプ：非反
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- メーカー名：
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インフィニオン
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- 浜松物流センター在庫数：2個
(2026/03/10 9:00現在) 本製品は、自社在庫限りの製品となっております。 在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。【仕様】シリーズiMOTIONタイプ電源管理機能モータコントローラ/ドライバ使用IC/パーツIRM
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- メーカー名：
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インフィニオン
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- 出荷予定日：
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- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：10V～15.6V・論理電圧 - VIL、VIH：-・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：-・入力タイプ：RC入力回路・ハイサイド電圧 - 最
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- メーカー名：
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- MOSFET N 100V 17A TO-220 Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:17A Drain Source Voltage Vds:100V On Resistance Rds(on):90mohm Rds(on) Test Voltage Vgs:10V Thresh
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- メーカー名：
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- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー - 1ペア直列接続・電圧 - ピーク逆方向（最大）：4V・電流 - 最大：110 mA・Vr、F印加時の静電容量：0.35pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗：5.8オーム @ 50mA、1MHz・電力散逸（最大）：100 mW・動作温度：150°C（TJ）・グレード
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- メーカー名：
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インフィニオン
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- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PROFET™・スイッチタイプ：汎用・出力数：1・レシオ - 入力：出力：1：1・出力構成：ハイサイド・出力タイプ：Nチャンネル・インターフェース：オン/オフ・電圧 - 負荷：18V～28V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：18V～28V・電流 - 出力（最大）：15A・Rds On（標準）：4.4ミリオーム・
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- メーカー名：
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インフィニオン
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- 【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：GL-S・DigiKeyプログラマブル：未検証・メモリタイプ：不揮発性・メモリフォーマット：フラッシュ・技術：FLASH - NOR・メモリサイズ：64Mビット・メモリ構成：8M x 8、4M x 16・メモリインターフェース：パラレル・クロック周波数：-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：60ns・アクセス時間：70
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：10V～15.6V・論理電圧 - VIL、VIH：-・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：-・入力タイプ：RC入力回路・ハイサイド電圧 - 最大（ブートスト
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- メーカー名：
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最小5個から購入可能
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5個単位で購入可能
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- MOSFET P MICRO3Transistor Polarity:P ChannelContinuous Drain Current Id:-4.3ADrain Source Voltage Vds:-12VOn Resistance Rds(on):0.05ohmRds(on) Test Voltage Vgs:-4.5VThreshold Voltage
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- メーカー名：
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インフィニオン
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- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：150ミリオーム @ 11A、10V・Id印加時
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- メーカー名：
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インフィニオン
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- 出荷予定日：
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- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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最小5個から購入可能
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5個単位で購入可能
- 商品説明
- MOSFET N CHAN 20V 4.2A SOT-23 Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:4.2A Drain Source Voltage Vds:20V On Resistance Rds(on):45mohm Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：161A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.3ミリオーム @ 1
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のV
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- メーカー名：
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インフィニオン
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- 商品説明
- 提携先在庫数：121個（2026/03/09 9:00 現在） ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲ
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- メーカー名：
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インフィニオン
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- 出荷予定日：
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- 即納在庫数：
- 396個
- 商品説明
- HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 即納在庫数：
- 624個
- 商品説明
- 高性能CMOS非同期SRAM●仕様メモリタイプ揮発性メモリフォーマットSRAMメモリサイズ256kBメモリインターフェースパラレル動作電源電圧4.5V～5.5Vアクセス時間15ns書き込みサイクル時間15nsパッケージ/ピン28-DIP動作温度0℃～70℃
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・周波数：0Hz～3GHz・P1dB：-2.5dBm・ゲイン：13dB・雑音指数：2.3dB・RFタイプ：汎用・電圧 - 供給：3V～6V・電流 - 供給：6.7mA・テスト周波数：1GHz・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：SC-82A、SOT-343・サプライヤデバイスパッ
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 箱番号：
-
2552-11
- 出荷予定日：
-
- 即納在庫数：
- 763個
- 商品説明
- 【ご注意事項】本商品は、当社在庫品の一部を数量限定の特別価格にてご提供しております。販売数量には限りがあり、当社規定数に達し次第、予告なく特別価格での販売を終了させていただきます。自社在庫以上のお取り寄せについては特別価格は適用できませんので、あらかじめご了承ください。【仕様】・パッケージ：TO-220AB・構造：・VDSS：200V・ID：18A・Pc(Tc=25℃
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 箱番号：
-
2552-10
- 出荷予定日：
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- 即納在庫数：
- 94個
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：TO-220AB・構造：・VDSS：100V・ID：80A・Pc(Tc=25℃)：・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：15mΩ・Ciss：3830pF(標準) (Vds=25V ｆ=1MHz)・Ton：15ns(標準) (Vgs=10V Id=80A)・コンプリ：・用途：・入数：1個・備考：●スイッチング時間が速いので高速
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：68A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 27.
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：222A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.13ミリオーム
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：210A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 1
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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最小5,000個から購入可能
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 6・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Ta）、230A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Ta）、396A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2ミ
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- PRESSURE SENSOR 20-300KPA SOFL-8 Pressure Type:Absolute Sensitivity V/P:15.2mV/kPa Operating Pressure Min:20kPa Operating Pressure Max:300kPa Supply Voltage Min:4.5V Supply Voltage M
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・タイプ：-・機能：-・組み込み製品：-・使用IC/部品：-・主要属性：-・副次属性：-・内訳：
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- メーカー名：
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インフィニオン
- 型番：
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- 出荷予定日：
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最小2,000個から購入可能
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolMOS™・出力絶縁：絶縁型・内部スイッチ：あり・電圧 - ブレークダウン：700V・トポロジ：フライバック・電圧 - スタートアップ：16 V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：10V～27V・デューティサイクル：-・周波数 - スイッチング：-・電力（ワット）：41 W・フォールト保護：電流制限、オープンループ、過負
