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商品説明
【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：Motion SPM® 5・タイプ：MOSFET・構成：3相・電流：1.5 A・電圧：500 V・電圧 - 絶縁：1500Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
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商品説明
【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.7V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 1.1A、4.5V
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Ta）、64A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 1
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商品説明
【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：Motion SPM® 5・タイプ：MOSFET・構成：3相・電流：1.2 A・電圧：500 V・電圧 - 絶縁：1500Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：ショットキー・電圧 - ピーク逆方向（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：2 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：650 mV @ 2 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：20 µA @ 30 V・動作温度：125°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 1.6A、4.
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商品説明
【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：Motion SPM® 5・タイプ：MOSFET・構成：3相・電流：2 A・電圧：500 V・電圧 - 絶縁：1500Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：12V・電圧 - 出力（最小/固定）：3.3V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：0.15V @ 10mA・電流 - 出力：150mA・電流 - 静止（Iq）：8 µA・電流 - 供給（最大）：8 µA・
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：650mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：15nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 環境区分：
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- 品質ランク：
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S1
商品説明
INVERTER SCHMITT TRIGGER SOT-353-5 Logic Family / Base Number:74VHC1G14 Logic Type:Inverter Schmitt Trigger Output Current:8mA No. of Inputs:1 Supply Voltage Min:2V Supply Voltage Max:
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・用途：標準（汎用）・出力タイプ：差動・回路数：1・帯域幅-3db：-・スルーレート：-・電流 - 供給：18 mA・電流 - 出力/チャンネル：10 mA・電圧 - 供給、シングル/デュアル（±）：±3V～8V・取り付けタイプ：面実装・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：14-SOIC（幅0.154イ
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商品説明
TRANSISTOR BIPOL NPN 120V TO-226AA-3Transistor Polarity:NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo:120VTransition Frequency ft:110MHzPower Dissipation Pd:500mWDC Collector Current:50mADC
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：350 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1V @ 200mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：1mA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：30 @ 300mA、10V・電
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：250 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：10µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 2
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：74LCX・論理タイプ：Dタイプトランスペアレントラッチ・回路：8：8・出力タイプ：3ステート・電圧 - 供給：2V～3.6V・独立回路：2・遅延時間 - 伝搬：5.4ns・電流 - 出力高、低：24mA、24mA・動作温度：-40°C～85°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：100mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：600 mV @ 100 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：50 µ
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：250 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1V @ 200mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：1mA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：30 @ 300mA、10V・電
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・アンプタイプ：標準（汎用）・回路数：2・出力タイプ：レール ツー レール・スルーレート：2.4V/µs・ゲイン帯域幅積：3.2 MHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：5 pA・電圧 - 入力オフセット：1.3 mV・電流 - 供給：420µA（x2チャンネル）・電流 - 出力/チャンネル：65
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：20 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：450 mV @ 1 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 µA @
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：35V・電圧 - 出力（最小/固定）：9V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：2V @ 1A（標準）・電流 - 出力：1A・電流 - 静止（Iq）：8 mA・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：61dB（120Hz）
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：検証済み・メモリタイプ：不揮発性・メモリフォーマット：EEPROM・技術：EEPROM・メモリサイズ：256Kビット・メモリ構成：32K x 8・メモリインターフェース：I2C・クロック周波数：1 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：5ms・アクセス時間：500 n
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：25 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：25 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：20 mA @ 5 V・電流ドレイン（Id） - 最大：50 mA・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：1.8 V
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1個以上
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￥954.00(税抜)
税込￥1,049.00
自社在庫数 ：
個
商品説明
・パッケージ：GBPC・最大定格/VRRM：600V・最大定格/IFSM(50Hz)：300A・最大定格/IOフィン付：25A・最大定格/IOフィン無：・VFM(max)：1.1V・VFM条件IFM：・熱抵抗Rth(j-a)℃/W(max)：・熱抵抗Rth(j-l)(max)：・高耐圧用：耐圧が高いので高耐圧の整流回路に使用できます。・姉妹品：GBPC25005、GB
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商品説明
【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 2.5A、10V
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 環境区分：
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- 品質ランク：
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M1
商品説明
●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流1 A最大ドレイン-ソース間電圧20 VパッケージタイプSOT-23実装タイプ表面実装ピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗300 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧0.4V最大パワー消費500 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-8 V, +8 V幅1.4mm1チップ当たりのエレメン
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：*・トランジスタタイプ：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：-・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：-・電力 - 最大：-・周波数 - トランジション：-・動作温
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：*・トランジスタタイプ：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：-・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：-・電力 - 最大：-・周波数 - トランジション：-・動作温
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商品説明
【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：60 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 200mA、2A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：75 @ 1A
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商品説明
汎用整流ダイオード 、シングル、オンセミコンダクター製 1N4007G【仕様】ダイオードタイプ標準電圧 - DC逆方向(Vr)(最大)1000V（1kV）電流 - 平均整流(Io)1.0A電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大)1.1V @ 1A速度標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）電流 - Vr印加時の逆方向漏れ5μA @ 1000V
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 2.2A、10V
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 環境区分：
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- 品質ランク：
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S2
商品説明
●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：60 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：250mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：1 NPN、1 PNP - プリバイアス（デュアル）・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・抵抗 - ベース（R1）：13キロオーム、130オーム・抵抗 - エミッタベース（R2）：10キロオーム・Ic、Vce印加時のDC
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：15nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（
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商品説明
TRANSISTOR PNP -400V -0.5A TO-126-3 Transistor Polarity:PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-400V Transition Frequency ft:- Power Dissipation Pd:10W DC Collector Current:-500mA D
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商品説明
LEVEL SHIFTER HEX NON INVERTING SOICNo. of Inputs:1Output Current:8.8mAPropagation Delay:160nsNo. of Pins:16PinsLogic Case Style:SOICSupply Voltage Min:3VSupply Voltage Max:18VOperat
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・アンプタイプ：標準（汎用）・回路数：2・出力タイプ：-・スルーレート：-・ゲイン帯域幅積：-・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：45 nA・電圧 - 入力オフセット：2 mV・電流 - 供給：800µA（x2チャンネル）・電流 - 出力/チャンネル：40 mA・電圧 - スパン（最小）：3 V・電圧
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商品説明
提携先在庫数：102個（2025/9/9 9:00 現在)
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商品説明
【仕様】・パッケージ：TO-92-3（ リードはフォーミングされています）・VCEO：50V・Ic：0.15A・VEBO：5V・動作温度：-55℃〜+125℃・最高動作周波数：80MHz・トランジスタ極性：NPNトランジスタ・備考：2SC1815互換品
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：16 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：250 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：4V @ 3.2A、16A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：25 @ 8A、5V・電力
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：15 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：10 mA @ 5 V・電流ドレイン（Id） - 最大：50 mA・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：300 mV @
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：25 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：1 mA @ 15 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：500 mV @ 10
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.2V @ 375mA、3A・電流 - コレクタ遮断（最大）：300µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 3A、4V・電
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：91 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：3 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：200 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 69.2 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.5 V @ 200 mA・動作温度：-65°C～200°C
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：200 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：40 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：300mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100 @
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商品説明
【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電流 - 暗電流（Id）（最大）：100 nA・波長：880nm・視野角：50°・電力 - 最大：100 mW・取り付けタイプ：スルーホール・方向：サイドビュー・動作温度：-40°C～100°C・グレード：-・認定：-・パッケ
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・アンプタイプ：標準（汎用）・回路数：2・出力タイプ：レール ツー レール・スルーレート：1V/µs・ゲイン帯域幅積：3.6 MHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：55 nA・電圧 - 入力オフセット：600 µV・電流 - 供給：700µA（x2チャンネル）・電流 - 出力/チャンネル：10 m
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：50 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：120 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：300mV @ 1mA、10mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：1µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：300
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 環境区分：
-
- 品質ランク：
-
S2
商品説明
●仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 175mA最大ツェナーインピーダンス = 1Ω最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -60 ℃ツェナーダイオード5 W Sur
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：35 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：2 mA @ 15 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：500 mV @ 1 µ
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1 ～ 50 件 / 全 4,000件
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：Motion SPM® 5・タイプ：MOSFET・構成：3相・電流：1.5 A・電圧：500 V・電圧 - 絶縁：1500Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.7V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 1.1A、4.5V
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Ta）、64A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 1
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：Motion SPM® 5・タイプ：MOSFET・構成：3相・電流：1.2 A・電圧：500 V・電圧 - 絶縁：1500Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：ショットキー・電圧 - ピーク逆方向（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：2 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：650 mV @ 2 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：20 µA @ 30 V・動作温度：125°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 1.6A、4.
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：Motion SPM® 5・タイプ：MOSFET・構成：3相・電流：2 A・電圧：500 V・電圧 - 絶縁：1500Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：12V・電圧 - 出力（最小/固定）：3.3V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：0.15V @ 10mA・電流 - 出力：150mA・電流 - 静止（Iq）：8 µA・電流 - 供給（最大）：8 µA・
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：650mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：15nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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最小5個から購入可能
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5個単位で購入可能
- 商品説明
- INVERTER SCHMITT TRIGGER SOT-353-5 Logic Family / Base Number:74VHC1G14 Logic Type:Inverter Schmitt Trigger Output Current:8mA No. of Inputs:1 Supply Voltage Min:2V Supply Voltage Max:
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・用途：標準（汎用）・出力タイプ：差動・回路数：1・帯域幅-3db：-・スルーレート：-・電流 - 供給：18 mA・電流 - 出力/チャンネル：10 mA・電圧 - 供給、シングル/デュアル（±）：±3V～8V・取り付けタイプ：面実装・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：14-SOIC（幅0.154イ
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
-
最小5個から購入可能
-
5個単位で購入可能
- 商品説明
- TRANSISTOR BIPOL NPN 120V TO-226AA-3Transistor Polarity:NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo:120VTransition Frequency ft:110MHzPower Dissipation Pd:500mWDC Collector Current:50mADC
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：350 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1V @ 200mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：1mA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：30 @ 300mA、10V・電
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：250 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：10µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 2
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：74LCX・論理タイプ：Dタイプトランスペアレントラッチ・回路：8：8・出力タイプ：3ステート・電圧 - 供給：2V～3.6V・独立回路：2・遅延時間 - 伝搬：5.4ns・電流 - 出力高、低：24mA、24mA・動作温度：-40°C～85°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：100mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：600 mV @ 100 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：50 µ
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：250 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1V @ 200mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：1mA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：30 @ 300mA、10V・電
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・アンプタイプ：標準（汎用）・回路数：2・出力タイプ：レール ツー レール・スルーレート：2.4V/µs・ゲイン帯域幅積：3.2 MHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：5 pA・電圧 - 入力オフセット：1.3 mV・電流 - 供給：420µA（x2チャンネル）・電流 - 出力/チャンネル：65
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：20 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：450 mV @ 1 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 µA @
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：35V・電圧 - 出力（最小/固定）：9V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：2V @ 1A（標準）・電流 - 出力：1A・電流 - 静止（Iq）：8 mA・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：61dB（120Hz）
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：検証済み・メモリタイプ：不揮発性・メモリフォーマット：EEPROM・技術：EEPROM・メモリサイズ：256Kビット・メモリ構成：32K x 8・メモリインターフェース：I2C・クロック周波数：1 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：5ms・アクセス時間：500 n
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：25 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：25 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：20 mA @ 5 V・電流ドレイン（Id） - 最大：50 mA・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：1.8 V
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 箱番号：
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2596-00
- 出荷予定日：
-
- 自社在庫数：
- 53個
- 商品説明
- ・パッケージ：GBPC・最大定格/VRRM：600V・最大定格/IFSM(50Hz)：300A・最大定格/IOフィン付：25A・最大定格/IOフィン無：・VFM(max)：1.1V・VFM条件IFM：・熱抵抗Rth(j-a)℃/W(max)：・熱抵抗Rth(j-l)(max)：・高耐圧用：耐圧が高いので高耐圧の整流回路に使用できます。・姉妹品：GBPC25005、GB
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 2.5A、10V
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
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最小10個から購入可能
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10個単位で購入可能
- 商品説明
- ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流1 A最大ドレイン-ソース間電圧20 VパッケージタイプSOT-23実装タイプ表面実装ピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗300 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧0.4V最大パワー消費500 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-8 V, +8 V幅1.4mm1チップ当たりのエレメン
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：*・トランジスタタイプ：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：-・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：-・電力 - 最大：-・周波数 - トランジション：-・動作温
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：*・トランジスタタイプ：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：-・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：-・電力 - 最大：-・周波数 - トランジション：-・動作温
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
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- 【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：60 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 200mA、2A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：75 @ 1A
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 箱番号：
-
2590-01
- 出荷予定日：
-
- 自社在庫数：
- 2,363本
- 商品説明
- 汎用整流ダイオード 、シングル、オンセミコンダクター製 1N4007G【仕様】ダイオードタイプ標準電圧 - DC逆方向(Vr)(最大)1000V（1kV）電流 - 平均整流(Io)1.0A電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大)1.1V @ 1A速度標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）電流 - Vr印加時の逆方向漏れ5μA @ 1000V
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 2.2A、10V
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
-
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最小5個から購入可能
-
5個単位で購入可能
- 商品説明
- ●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：60 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：250mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：1 NPN、1 PNP - プリバイアス（デュアル）・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・抵抗 - ベース（R1）：13キロオーム、130オーム・抵抗 - エミッタベース（R2）：10キロオーム・Ic、Vce印加時のDC
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：15nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- TRANSISTOR PNP -400V -0.5A TO-126-3 Transistor Polarity:PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-400V Transition Frequency ft:- Power Dissipation Pd:10W DC Collector Current:-500mA D
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
-
-
最小5個から購入可能
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5個単位で購入可能
- 商品説明
- LEVEL SHIFTER HEX NON INVERTING SOICNo. of Inputs:1Output Current:8.8mAPropagation Delay:160nsNo. of Pins:16PinsLogic Case Style:SOICSupply Voltage Min:3VSupply Voltage Max:18VOperat
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・アンプタイプ：標準（汎用）・回路数：2・出力タイプ：-・スルーレート：-・ゲイン帯域幅積：-・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：45 nA・電圧 - 入力オフセット：2 mV・電流 - 供給：800µA（x2チャンネル）・電流 - 出力/チャンネル：40 mA・電圧 - スパン（最小）：3 V・電圧
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 提携先在庫数：102個（2025/9/9 9:00 現在)
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 箱番号：
-
2497-06
- 出荷予定日：
-
- 自社在庫数：
- 4,506個
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：TO-92-3（ リードはフォーミングされています）・VCEO：50V・Ic：0.15A・VEBO：5V・動作温度：-55℃〜+125℃・最高動作周波数：80MHz・トランジスタ極性：NPNトランジスタ・備考：2SC1815互換品
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：16 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：250 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：4V @ 3.2A、16A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：25 @ 8A、5V・電力
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：15 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：10 mA @ 5 V・電流ドレイン（Id） - 最大：50 mA・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：300 mV @
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：25 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：1 mA @ 15 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：500 mV @ 10
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.2V @ 375mA、3A・電流 - コレクタ遮断（最大）：300µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 3A、4V・電
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：91 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：3 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：200 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 69.2 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.5 V @ 200 mA・動作温度：-65°C～200°C
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：200 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：40 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：300mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100 @
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電流 - 暗電流（Id）（最大）：100 nA・波長：880nm・視野角：50°・電力 - 最大：100 mW・取り付けタイプ：スルーホール・方向：サイドビュー・動作温度：-40°C～100°C・グレード：-・認定：-・パッケ
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・アンプタイプ：標準（汎用）・回路数：2・出力タイプ：レール ツー レール・スルーレート：1V/µs・ゲイン帯域幅積：3.6 MHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：55 nA・電圧 - 入力オフセット：600 µV・電流 - 供給：700µA（x2チャンネル）・電流 - 出力/チャンネル：10 m
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：50 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：120 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：300mV @ 1mA、10mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：1µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：300
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
-
最小20個から購入可能
-
20個単位で購入可能
- 商品説明
- ●仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 175mA最大ツェナーインピーダンス = 1Ω最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -60 ℃ツェナーダイオード5 W Sur
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：35 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：2 mA @ 15 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：500 mV @ 1 µ
