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商品説明
【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・スイッチタイプ:汎用・出力数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・出力構成:ハイサイド・出力タイプ:Nチャンネル・インターフェース:オン/オフ・電圧 - 負荷:4.5V~45V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):不要・電流 - 出力(最大):500mA・Rds On(標準):1オーム・入力タイプ:非反転・特長:
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商品説明
【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.7V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):300ミリオーム @ 1.1A、4.5V
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:C-SERIES SIPM・波長:420nm・色 - 強調:青・スペクトル域:300nm~950nm・ダイオードタイプ:アバランチ・応答性 @ nm:-・応答時間:1ns・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):24.7 V・電流 - 暗電流(標準):618nA・アクティブエリア:36mm²・視野角:-・動作温度:
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:単相・技術:ショットキー・電圧 - ピーク逆方向(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):2 A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):650 mV @ 2 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:20 µA @ 30 V・動作温度:125°C(TJ)・グレード:-・認定:-・取
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商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):190ミリオーム @ 10A、10V・Id印
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 1.6A、4.
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):45 V・電流 - 平均整流(Io):8A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):550 mV @ 8 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 mA @ 45 V・Vr、F印
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・機能:電流レギュレータ・センシング方法:ハイサイド/ローサイド・精度:±10%・電圧 - 入力:50V・電流 - 出力:350mA・動作温度:-55°C~175°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:DO-214AB、SMC・サプライヤデバイスパッケージ:SMC
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力タイプ:トランジスタドライバ・機能:ステップアップ・出力構成:ポジティブ・トポロジ:ブースト・出力数:1・出力フェーズ:1・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):3.2V~40V・周波数 - スイッチング:400kHz・デューティサイクル(最大):92.5%・同期整流器:なし・クロック同期:あり・シリアルイン
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 200mA、2A・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):75 @ 1A
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):12V・電圧 - 出力(最小/固定):3.3V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):0.15V @ 10mA・電流 - 出力:150mA・電流 - 静止(Iq):8 µA・電流 - 供給(最大):8 µA・
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):700 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:400mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 環境区分:
-
- 品質ランク:
-
A
商品説明
INVERTER SCHMITT TRIGGER SOT-353-5 Logic Family / Base Number:74VHC1G14 Logic Type:Inverter Schmitt Trigger Output Current:8mA No. of Inputs:1 Supply Voltage Min:2V Supply Voltage Max:
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・用途:標準(汎用)・出力タイプ:差動・回路数:1・帯域幅-3db:-・スルーレート:-・電流 - 供給:18 mA・電流 - 出力/チャンネル:10 mA・電圧 - 供給、シングル/デュアル(±):±3V~8V・取り付けタイプ:面実装・グレード:-・認定:-・パッケージ/ケース:14-SOIC(幅0.154イ
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40 V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):450 mV @ 3 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:300 µA @
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 1.9A、10V
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチタイプ:汎用・出力数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・出力構成:ハイサイド・出力タイプ:Nチャンネル・インターフェース:オン/オフ・電圧 - 負荷:2.8V~23V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):不要・電流 - 出力(最大):5A・Rds On(標準):15ミリオーム・入力タイプ:非反転・特長
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):160 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
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商品説明
汎用整流ダイオード 、シングル、オンセミコンダクター製 1N4007G【仕様】ダイオードタイプ標準電圧 - DC逆方向(Vr)(最大)1000V(1kV)電流 - 平均整流(Io)1.0A電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大)1.1V @ 1A速度標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)電流 - Vr印加時の逆方向漏れ5μA @ 1000V
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):20 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):450 mV @ 1 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:100 µA @
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:検証済み・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:EEPROM・技術:EEPROM・メモリサイズ:256Kビット・メモリ構成:32K x 8・メモリインターフェース:I2C・クロック周波数:1 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:5ms・アクセス時間:500 n
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):27 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):35 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 20.6 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-・認定:-・取
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):160 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 10
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):50 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):120 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 1mA、10mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):300
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):4.7 V・許容誤差:±2%・電力 - 最大:300 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):80 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:3 µA @ 2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):900 mV @ 10 mA・動作温度:-65°C~150°C
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランスレータタイプ:電圧レベル・チャンネルタイプ:双方向性・回路数:1・回路あたりのチャンネル:8・電圧 - VCCA:1.65 V ~ 5.5 V・電圧 - VCCB:1.65 V ~ 5.5 V・入力信号:-・出力信号:-・出力タイプ:3ステート、非反転・データレート:100Mbps・動作温度:-40°
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商品説明
【仕様】・パッケージ:TO-92-3( リードはフォーミングされています)・VCEO:50V・Ic:0.15A・VEBO:5V・動作温度:-55℃〜+125℃・最高動作周波数:80MHz・トランジスタ極性:NPNトランジスタ・備考:2SC1815互換品
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商品説明
TRANS BIPOL PNP -120V TO-226AA-3Transistor Polarity:PNPCollector Emitter Voltage V(br)ceo:-120VTransition Frequency ft:100MHzPower Dissipation Pd:500mWDC Collector Current:-50mADC C
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):18 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):20 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 13.7 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:ス
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 100µA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):500nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):4.7 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:500 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):80 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:3 µA @ 2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 100 mA・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-・
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:650mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:250mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力タイプ:トランジスタドライバ・機能:ステップアップ、ステップアップ/ステップダウン・出力構成:ポジティブ・トポロジ:昇圧、フライバック・出力数:1・出力フェーズ:1・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):3.2V~40V・周波数 - スイッチング:100kHz・デューティサイクル(最大):93%・同期整流器:
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(
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商品説明
10V/500mWの定電圧ダイオード 逆方向の電圧を加えたときに定電圧を発生するダイオードです。定電圧回路およびサージ電流や静電気からICなどを守る保護デバイスとして使用します。●主な仕様ツェナー電圧10V(typ)許容誤差±5%消費電力500mW(max)動作抵抗17Ω@Iz=20mA逆方向漏れ電流3μA @ 8V順方向電圧1.2V(max) @ 200mA動作温
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商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):250 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):10µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):10 @ 2
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):26V・電圧 - 出力(最小/固定):5V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):0.6V @ 100mA・電流 - 出力:100mA・電流 - 静止(Iq):1 mA・電流 - 供給(最大):30 mA・P
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1 V @ 10 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):4 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 7
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
-
- 環境区分:
-
- 品質ランク:
-
B
商品説明
提携先在庫数:7180個(2025/11/04 9:00 現在) ●仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 175mA最大ツェナーインピーダンス = 1Ω最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89m
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 環境区分:
-
- 品質ランク:
-
M1
商品説明
提携先在庫数:540個(2025/11/04 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流1 A最大ドレイン-ソース間電圧20 VパッケージタイプSOT-23実装タイプ表面実装ピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗300 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧0.4V最大パワー消費500 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソー
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Ta)、85A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.8ミリオーム @
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):50 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):120 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 1mA、10mA・電流 - コレクタ遮断(最大):50nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
-
- 環境区分:
-
- 品質ランク:
-
B
商品説明
提携先在庫数:75個(2025/11/04 9:00 現在) ●仕様標準ツェナー電圧 = 150V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 8mA最大ツェナーインピーダンス = 330Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 8.8
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:JFET・構成:Nチャンネル・周波数:400MHz・ゲイン:-・電圧 - テスト:15 V・定格電流(A):10mA・雑音指数:4dB・電流 - テスト:-・電源 - 出力:-・電圧 - 定格:25 V・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:TO-236-3、SC-59、S
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 環境区分:
-
- 品質ランク:
-
B
商品説明
提携先在庫数:130個(2025/11/04 9:00 現在) ●仕様標準ツェナー電圧100Vダイオード構成シングル実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費5 WパッケージタイプDO-15ツェナータイプ電圧レギュレータツェナー電圧許容性5%ピン数2テスト電流12mA最大ツェナーインピーダンス800Ω最大逆漏れ電流500nA寸法8.89 x 3
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・チャンネル数:1・入力 - サイド1/サイド2:1/0・電圧 - 絶縁:4170Vrms・コモンモード過渡耐性(最小):-・入力タイプ:DC・出力タイプ:オープンコレクタ・電流 - 出力/チャンネル:50 mA・データレート:1MHz・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):4µs、4µs・立ち上がり/立ち下がり
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):100 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:5 W・インピーダンス(最大)(Zzt):90 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA @ 76 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 1 A・動作温度:-65°C~200°C・グレ
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):30mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):370 mV @ 1 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA
検索結果:
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・スイッチタイプ:汎用・出力数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・出力構成:ハイサイド・出力タイプ:Nチャンネル・インターフェース:オン/オフ・電圧 - 負荷:4.5V~45V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):不要・電流 - 出力(最大):500mA・Rds On(標準):1オーム・入力タイプ:非反転・特長:
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.7V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):300ミリオーム @ 1.1A、4.5V
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:C-SERIES SIPM・波長:420nm・色 - 強調:青・スペクトル域:300nm~950nm・ダイオードタイプ:アバランチ・応答性 @ nm:-・応答時間:1ns・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):24.7 V・電流 - 暗電流(標準):618nA・アクティブエリア:36mm²・視野角:-・動作温度:
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:単相・技術:ショットキー・電圧 - ピーク逆方向(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):2 A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):650 mV @ 2 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:20 µA @ 30 V・動作温度:125°C(TJ)・グレード:-・認定:-・取
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):190ミリオーム @ 10A、10V・Id印
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 1.6A、4.
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):45 V・電流 - 平均整流(Io):8A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):550 mV @ 8 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 mA @ 45 V・Vr、F印
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・機能:電流レギュレータ・センシング方法:ハイサイド/ローサイド・精度:±10%・電圧 - 入力:50V・電流 - 出力:350mA・動作温度:-55°C~175°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:DO-214AB、SMC・サプライヤデバイスパッケージ:SMC
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力タイプ:トランジスタドライバ・機能:ステップアップ・出力構成:ポジティブ・トポロジ:ブースト・出力数:1・出力フェーズ:1・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):3.2V~40V・周波数 - スイッチング:400kHz・デューティサイクル(最大):92.5%・同期整流器:なし・クロック同期:あり・シリアルイン
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 200mA、2A・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):75 @ 1A
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):12V・電圧 - 出力(最小/固定):3.3V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):0.15V @ 10mA・電流 - 出力:150mA・電流 - 静止(Iq):8 µA・電流 - 供給(最大):8 µA・
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):700 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:400mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
-
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最小5個から購入可能
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5個単位で購入可能
- 商品説明
- INVERTER SCHMITT TRIGGER SOT-353-5 Logic Family / Base Number:74VHC1G14 Logic Type:Inverter Schmitt Trigger Output Current:8mA No. of Inputs:1 Supply Voltage Min:2V Supply Voltage Max:
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・用途:標準(汎用)・出力タイプ:差動・回路数:1・帯域幅-3db:-・スルーレート:-・電流 - 供給:18 mA・電流 - 出力/チャンネル:10 mA・電圧 - 供給、シングル/デュアル(±):±3V~8V・取り付けタイプ:面実装・グレード:-・認定:-・パッケージ/ケース:14-SOIC(幅0.154イ
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40 V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):450 mV @ 3 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:300 µA @
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 1.9A、10V
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチタイプ:汎用・出力数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・出力構成:ハイサイド・出力タイプ:Nチャンネル・インターフェース:オン/オフ・電圧 - 負荷:2.8V~23V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):不要・電流 - 出力(最大):5A・Rds On(標準):15ミリオーム・入力タイプ:非反転・特長
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):160 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 箱番号:
-
2590-01
- 出荷予定日:
-
- 即納在庫数:
- 1,162本
- 商品説明
- 汎用整流ダイオード 、シングル、オンセミコンダクター製 1N4007G【仕様】ダイオードタイプ標準電圧 - DC逆方向(Vr)(最大)1000V(1kV)電流 - 平均整流(Io)1.0A電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大)1.1V @ 1A速度標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)電流 - Vr印加時の逆方向漏れ5μA @ 1000V
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):20 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):450 mV @ 1 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:100 µA @
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:検証済み・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:EEPROM・技術:EEPROM・メモリサイズ:256Kビット・メモリ構成:32K x 8・メモリインターフェース:I2C・クロック周波数:1 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:5ms・アクセス時間:500 n
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):27 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):35 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 20.6 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-・認定:-・取
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):160 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 10
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):50 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):120 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 1mA、10mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):300
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):4.7 V・許容誤差:±2%・電力 - 最大:300 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):80 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:3 µA @ 2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):900 mV @ 10 mA・動作温度:-65°C~150°C
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランスレータタイプ:電圧レベル・チャンネルタイプ:双方向性・回路数:1・回路あたりのチャンネル:8・電圧 - VCCA:1.65 V ~ 5.5 V・電圧 - VCCB:1.65 V ~ 5.5 V・入力信号:-・出力信号:-・出力タイプ:3ステート、非反転・データレート:100Mbps・動作温度:-40°
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 箱番号:
-
2497-06
- 出荷予定日:
-
- 即納在庫数:
- 4,001個
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:TO-92-3( リードはフォーミングされています)・VCEO:50V・Ic:0.15A・VEBO:5V・動作温度:-55℃〜+125℃・最高動作周波数:80MHz・トランジスタ極性:NPNトランジスタ・備考:2SC1815互換品
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小5個から購入可能
-
5個単位で購入可能
- 商品説明
- TRANS BIPOL PNP -120V TO-226AA-3Transistor Polarity:PNPCollector Emitter Voltage V(br)ceo:-120VTransition Frequency ft:100MHzPower Dissipation Pd:500mWDC Collector Current:-50mADC C
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):18 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):20 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 13.7 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:ス
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 100µA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):500nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):4.7 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:500 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):80 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:3 µA @ 2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 100 mA・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-・
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:650mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:250mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力タイプ:トランジスタドライバ・機能:ステップアップ、ステップアップ/ステップダウン・出力構成:ポジティブ・トポロジ:昇圧、フライバック・出力数:1・出力フェーズ:1・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):3.2V~40V・周波数 - スイッチング:100kHz・デューティサイクル(最大):93%・同期整流器:
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 箱番号:
-
2584-64
- 出荷予定日:
-
- 即納在庫数:
- 144本
- 商品説明
- 10V/500mWの定電圧ダイオード 逆方向の電圧を加えたときに定電圧を発生するダイオードです。定電圧回路およびサージ電流や静電気からICなどを守る保護デバイスとして使用します。●主な仕様ツェナー電圧10V(typ)許容誤差±5%消費電力500mW(max)動作抵抗17Ω@Iz=20mA逆方向漏れ電流3μA @ 8V順方向電圧1.2V(max) @ 200mA動作温
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):250 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):10µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):10 @ 2
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):26V・電圧 - 出力(最小/固定):5V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):0.6V @ 100mA・電流 - 出力:100mA・電流 - 静止(Iq):1 mA・電流 - 供給(最大):30 mA・P
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1 V @ 10 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):4 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 7
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小20個から購入可能
-
20個単位で購入可能
- 商品説明
- 提携先在庫数:7180個(2025/11/04 9:00 現在) ●仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 175mA最大ツェナーインピーダンス = 1Ω最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89m
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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最小10個から購入可能
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10個単位で購入可能
- 商品説明
- 提携先在庫数:540個(2025/11/04 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流1 A最大ドレイン-ソース間電圧20 VパッケージタイプSOT-23実装タイプ表面実装ピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗300 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧0.4V最大パワー消費500 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソー
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Ta)、85A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.8ミリオーム @
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):50 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):120 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 1mA、10mA・電流 - コレクタ遮断(最大):50nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小5個から購入可能
-
5個単位で購入可能
- 商品説明
- 提携先在庫数:75個(2025/11/04 9:00 現在) ●仕様標準ツェナー電圧 = 150V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 8mA最大ツェナーインピーダンス = 330Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 8.8
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:JFET・構成:Nチャンネル・周波数:400MHz・ゲイン:-・電圧 - テスト:15 V・定格電流(A):10mA・雑音指数:4dB・電流 - テスト:-・電源 - 出力:-・電圧 - 定格:25 V・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:TO-236-3、SC-59、S
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小5個から購入可能
-
5個単位で購入可能
- 商品説明
- 提携先在庫数:130個(2025/11/04 9:00 現在) ●仕様標準ツェナー電圧100Vダイオード構成シングル実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費5 WパッケージタイプDO-15ツェナータイプ電圧レギュレータツェナー電圧許容性5%ピン数2テスト電流12mA最大ツェナーインピーダンス800Ω最大逆漏れ電流500nA寸法8.89 x 3
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・チャンネル数:1・入力 - サイド1/サイド2:1/0・電圧 - 絶縁:4170Vrms・コモンモード過渡耐性(最小):-・入力タイプ:DC・出力タイプ:オープンコレクタ・電流 - 出力/チャンネル:50 mA・データレート:1MHz・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):4µs、4µs・立ち上がり/立ち下がり
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):100 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:5 W・インピーダンス(最大)(Zzt):90 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA @ 76 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 1 A・動作温度:-65°C~200°C・グレ
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):30mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):370 mV @ 1 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA