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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):28A(Ta)、183A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.7ミリオーム @
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・機能:電流レギュレータ・センシング方法:ハイサイド/ローサイド・精度:±10%・電圧 - 入力:45V・電流 - 出力:20mA・動作温度:-55°C~150°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:SOD-123・サプライヤデバイスパッケージ:SOD-123
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商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):650 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:85 A・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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B
商品説明
提携先在庫数:4270個(2026/02/02 9:00 現在) ●仕様パッケージタイプ = SODディスプレイタイプ = LEDピン数 = 123供給電圧 = 45 V最大供給電流 = 30mA動作温度 Min = -55℃実装タイプ = 表面実装高さ = 1.35mm長さ = 2.84mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品で
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:4000B・タイプ:双方向、FETスイッチ・回路:1 x 1:1・独立回路:4・電流 - 出力高、低:-・電源:デュアルサプライ・電圧 - 供給:3V~18V・動作温度:-55°C~125°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:14-TSSOP(幅0.173インチ、4.40mm)
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):30mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):370 mV @ 1 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA
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商品説明
汎用整流ダイオード 、シングル、オンセミコンダクター製 1N4007G【仕様】ダイオードタイプ標準電圧 - DC逆方向(Vr)(最大)1000V(1kV)電流 - 平均整流(Io)1.0A電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大)1.1V @ 1A速度標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)電流 - Vr印加時の逆方向漏れ5μA @ 1000V
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A、8A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):23.5ミリオーム @ 6A、10V・Id印加
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商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:2.5V @ 80mA、8A・電流 - コレクタ遮断(最大):50µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):1000
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商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:2.5V @ 80mA、8A・電流 - コレクタ遮断(最大):50µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):1000
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):30V・電圧 - 出力(最小/固定):5V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):-・電流 - 出力:100mA・電流 - 静止(Iq):6 mA・電流 - 供給(最大):-・PSRR:49dB(120Hz)
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):6.2 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:3 W・インピーダンス(最大)(Zzt):2 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 4 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~200°C・グレー
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商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・出力構成:ネガティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):-35V・電圧 - 出力(最小/固定):-18V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):1.3V @ 1A(標準)・電流 - 出力:1A・電流 - 静止(Iq):-・電流 - 供給(最大):-・PSRR:59dB(120H
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A、13A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・機能:電流レギュレータ・センシング方法:ハイサイド/ローサイド・精度:±15%・電圧 - 入力:45V・電流 - 出力:160mA・動作温度:-55°C~175°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63・サプライヤデバ
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:4.5V~13.2V・論理電圧 - VIL、VIH:1V、2V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 -
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):40 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):10nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):100 @ 150
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商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・出力構成:ネガティブ・出力タイプ:可変・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):-40V・電圧 - 出力(最小/固定):-1.2V・電圧 - 出力(最大):-37V・電圧ドロップアウト(最大):-・電流 - 出力:1.5A・電流 - 静止(Iq):6 mA・電流 - 供給(最大):10 mA・PSRR:77dB(120
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 1 µA・Vds印加時
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):20 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):600 m
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:74HCT・論理タイプ:バッファ、非反転・素子数:1・素子あたりのビット数:8・入力タイプ:-・出力タイプ:3ステート・電流 - 出力高、低:7.2mA、7.2mA・電圧 - 供給:4.5V~5.5V・動作温度:-40°C~85°C(TA)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:20
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商品説明
DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO-214Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:40VForward Current If(AV):3ADiode Configuration:SingleDiode Case Style:DO-214ABNo. of Pins:2PinsForward Voltage VF Ma
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40 V・電流 - 平均整流(Io):2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):430 mV @ 2 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:800 µA @
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):700 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:400mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):600 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):40 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:750mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):100
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商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SWITCHMODE™・ダイオード構成:1組共通カソード・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):200 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):8A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):975 mV @ 8 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):3
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商品説明
【ご注意事項】本商品は、当社在庫品の一部を数量限定の特別価格にてご提供しております。販売数量には限りがあり、当社規定数に達し次第、予告なく特別価格での販売を終了させていただきます。自社在庫以上のお取り寄せについては特別価格は適用できませんので、あらかじめご了承ください。【仕様】・パッケージ:TO-92-3( リードはフォーミングされています)・VCEO:50V・Ic:
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:1SMA59xxBT3G・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):39 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1.5 W・インピーダンス(最大)(Zzt):45 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA @ 29.7 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作
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商品説明
【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):500 mV @ 200 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:30 µA
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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B
商品説明
提携先在庫数:60個(2026/02/02 9:00 現在) ●仕様標準ツェナー電圧 = 150V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 8mA最大ツェナーインピーダンス = 330Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 8.8
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 環境区分:
-
- 品質ランク:
-
B
商品説明
提携先在庫数:25個(2026/02/02 9:00 現在) ●仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.5Vピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 0.1μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 0.1μsオプトカプ
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ハーフブリッジ・用途:同期式降圧コンバータ・インターフェース:論理、PWM・負荷タイプ:誘導性、容量性、抵抗性・技術:MOSFET(金属酸化物)・Rds On(標準):-・電流 - 出力/チャンネル:45A・電流 - ピーク出力:75A・電圧 - 供給:4.5V~5.5V・電圧 - 負荷:4.5V~
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):25 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:400mV @ 20mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):25 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:400mV @ 20mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):400 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.4 V @ 2 A・速度:高速リカバリ =< 500ns、> 1A(Io)・逆回復時間(trr):40 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA @ 4
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・モード:臨界導通(CRM)・周波数 - スイッチング:-・電流 - スタートアップ:24 µA・電圧 - 供給:10.2V~20V・動作温度:-40°C~125°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)・サプライヤデバイスパッケー
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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B
商品説明
提携先在庫数:1510個(2026/02/02 9:00 現在) ●仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41最大連続 順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 45Vダイオード構成 = シングルダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 550mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショ
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:74HC・論理タイプ:カウンタ、10進・方向:上・素子数:1・素子あたりのビット数:4・リセット:非同期・タイミング:同期・カウント率:35 MHz・トリガタイプ:ポジティブエッジ・電圧 - 供給:2 V ~ 6 V・動作温度:-55°C~125°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケ
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):18V・電圧 - 出力(最小/固定):3.3V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):1.4V @ 1A・電流 - 出力:1A・電流 - 静止(Iq):700 µA・電流 - 供給(最大):-・PSRR:60
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):5 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 1 µA・Vds印加時の入力
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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B
商品説明
提携先在庫数:1350個(2026/02/02 9:00 現在) ●仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = ケース017AAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2最大ツェナーインピーダンス = 5Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 3.68 (D
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商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:74HC・論理タイプ:インバータ・回路数:6・入力数:1・特長:シュミットトリガ・電圧 - 供給:2V~6V・電流 - 静止(最大):1 µA・電流 - 出力高、低:5.2mA、5.2mA・論理レベル - 低:0.3V~1.2V・論理レベル - 高:1.5V~4.2V・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延:13ns @ 6V
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:C-SERIES SIPM・波長:420nm・色 - 強調:青・スペクトル域:300nm~950nm・ダイオードタイプ:アバランチ・応答性 @ nm:-・応答時間:1ns・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):24.7 V・電流 - 暗電流(標準):618nA・アクティブエリア:36mm²・視野角:-・動作温度:
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):4 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):80 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:800mV @ 300mA、3A・電流 - コレクタ遮断(最大):100µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):40 @ 50
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40 V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):500 mV @ 3 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 µA @
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:74VHCU・論理タイプ:インバータ・回路数:6・入力数:1・特長:-・電圧 - 供給:2V~5.5V・電流 - 静止(最大):2 µA・電流 - 出力高、低:8mA、8mA・論理レベル - 低:0.3V・論理レベル - 高:1.7V・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延:7ns @ 5V、50pF・動作温度:
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):20 V・電流 - 平均整流(Io):500mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):480 mV @ 500 mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):12 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ
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商品説明
10V/500mWの定電圧ダイオード 逆方向の電圧を加えたときに定電圧を発生するダイオードです。定電圧回路およびサージ電流や静電気からICなどを守る保護デバイスとして使用します。●主な仕様ツェナー電圧10V(typ)許容誤差±5%消費電力500mW(max)動作抵抗17Ω@Iz=20mA逆方向漏れ電流3μA @ 8V順方向電圧1.2V(max) @ 200mA動作温
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商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):250 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):10µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):10 @ 2
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):170mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6オーム @ 170mA、10V
検索結果:
1 ~ 50 件 / 全 4,000件
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):28A(Ta)、183A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.7ミリオーム @
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・機能:電流レギュレータ・センシング方法:ハイサイド/ローサイド・精度:±10%・電圧 - 入力:45V・電流 - 出力:20mA・動作温度:-55°C~150°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:SOD-123・サプライヤデバイスパッケージ:SOD-123
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):650 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:85 A・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小10個から購入可能
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10個単位で購入可能
- 商品説明
- 提携先在庫数:4270個(2026/02/02 9:00 現在) ●仕様パッケージタイプ = SODディスプレイタイプ = LEDピン数 = 123供給電圧 = 45 V最大供給電流 = 30mA動作温度 Min = -55℃実装タイプ = 表面実装高さ = 1.35mm長さ = 2.84mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品で
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:4000B・タイプ:双方向、FETスイッチ・回路:1 x 1:1・独立回路:4・電流 - 出力高、低:-・電源:デュアルサプライ・電圧 - 供給:3V~18V・動作温度:-55°C~125°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:14-TSSOP(幅0.173インチ、4.40mm)
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):30mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):370 mV @ 1 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 箱番号:
-
2590-01
- 出荷予定日:
-
- 即納在庫数:
- 380本
- 商品説明
- 汎用整流ダイオード 、シングル、オンセミコンダクター製 1N4007G【仕様】ダイオードタイプ標準電圧 - DC逆方向(Vr)(最大)1000V(1kV)電流 - 平均整流(Io)1.0A電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大)1.1V @ 1A速度標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)電流 - Vr印加時の逆方向漏れ5μA @ 1000V
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A、8A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):23.5ミリオーム @ 6A、10V・Id印加
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:2.5V @ 80mA、8A・電流 - コレクタ遮断(最大):50µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):1000
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:2.5V @ 80mA、8A・電流 - コレクタ遮断(最大):50µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):1000
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):30V・電圧 - 出力(最小/固定):5V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):-・電流 - 出力:100mA・電流 - 静止(Iq):6 mA・電流 - 供給(最大):-・PSRR:49dB(120Hz)
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):6.2 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:3 W・インピーダンス(最大)(Zzt):2 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 4 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~200°C・グレー
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・出力構成:ネガティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):-35V・電圧 - 出力(最小/固定):-18V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):1.3V @ 1A(標準)・電流 - 出力:1A・電流 - 静止(Iq):-・電流 - 供給(最大):-・PSRR:59dB(120H
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A、13A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・機能:電流レギュレータ・センシング方法:ハイサイド/ローサイド・精度:±15%・電圧 - 入力:45V・電流 - 出力:160mA・動作温度:-55°C~175°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63・サプライヤデバ
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:4.5V~13.2V・論理電圧 - VIL、VIH:1V、2V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 -
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):40 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):10nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):100 @ 150
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・出力構成:ネガティブ・出力タイプ:可変・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):-40V・電圧 - 出力(最小/固定):-1.2V・電圧 - 出力(最大):-37V・電圧ドロップアウト(最大):-・電流 - 出力:1.5A・電流 - 静止(Iq):6 mA・電流 - 供給(最大):10 mA・PSRR:77dB(120
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 1 µA・Vds印加時
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):20 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):600 m
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:74HCT・論理タイプ:バッファ、非反転・素子数:1・素子あたりのビット数:8・入力タイプ:-・出力タイプ:3ステート・電流 - 出力高、低:7.2mA、7.2mA・電圧 - 供給:4.5V~5.5V・動作温度:-40°C~85°C(TA)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:20
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小5個から購入可能
-
5個単位で購入可能
- 商品説明
- DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO-214Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:40VForward Current If(AV):3ADiode Configuration:SingleDiode Case Style:DO-214ABNo. of Pins:2PinsForward Voltage VF Ma
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40 V・電流 - 平均整流(Io):2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):430 mV @ 2 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:800 µA @
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):700 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:400mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):600 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):40 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:750mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):100
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SWITCHMODE™・ダイオード構成:1組共通カソード・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):200 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):8A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):975 mV @ 8 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):3
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 箱番号:
-
2497-06
- 出荷予定日:
-
- 即納在庫数:
- 12,286個
- 商品説明
- 【ご注意事項】本商品は、当社在庫品の一部を数量限定の特別価格にてご提供しております。販売数量には限りがあり、当社規定数に達し次第、予告なく特別価格での販売を終了させていただきます。自社在庫以上のお取り寄せについては特別価格は適用できませんので、あらかじめご了承ください。【仕様】・パッケージ:TO-92-3( リードはフォーミングされています)・VCEO:50V・Ic:
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:1SMA59xxBT3G・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):39 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1.5 W・インピーダンス(最大)(Zzt):45 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA @ 29.7 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):500 mV @ 200 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:30 µA
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小5個から購入可能
-
5個単位で購入可能
- 商品説明
- 提携先在庫数:60個(2026/02/02 9:00 現在) ●仕様標準ツェナー電圧 = 150V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 8mA最大ツェナーインピーダンス = 330Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 8.8
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小5個から購入可能
-
5個単位で購入可能
- 商品説明
- 提携先在庫数:25個(2026/02/02 9:00 現在) ●仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.5Vピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 0.1μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 0.1μsオプトカプ
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ハーフブリッジ・用途:同期式降圧コンバータ・インターフェース:論理、PWM・負荷タイプ:誘導性、容量性、抵抗性・技術:MOSFET(金属酸化物)・Rds On(標準):-・電流 - 出力/チャンネル:45A・電流 - ピーク出力:75A・電圧 - 供給:4.5V~5.5V・電圧 - 負荷:4.5V~
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):25 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:400mV @ 20mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):25 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:400mV @ 20mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):400 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.4 V @ 2 A・速度:高速リカバリ =< 500ns、> 1A(Io)・逆回復時間(trr):40 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA @ 4
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・モード:臨界導通(CRM)・周波数 - スイッチング:-・電流 - スタートアップ:24 µA・電圧 - 供給:10.2V~20V・動作温度:-40°C~125°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)・サプライヤデバイスパッケー
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
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最小10個から購入可能
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10個単位で購入可能
- 商品説明
- 提携先在庫数:1510個(2026/02/02 9:00 現在) ●仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41最大連続 順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 45Vダイオード構成 = シングルダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 550mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショ
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:74HC・論理タイプ:カウンタ、10進・方向:上・素子数:1・素子あたりのビット数:4・リセット:非同期・タイミング:同期・カウント率:35 MHz・トリガタイプ:ポジティブエッジ・電圧 - 供給:2 V ~ 6 V・動作温度:-55°C~125°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケ
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):18V・電圧 - 出力(最小/固定):3.3V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):1.4V @ 1A・電流 - 出力:1A・電流 - 静止(Iq):700 µA・電流 - 供給(最大):-・PSRR:60
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):5 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 1 µA・Vds印加時の入力
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小50個から購入可能
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50個単位で購入可能
- 商品説明
- 提携先在庫数:1350個(2026/02/02 9:00 現在) ●仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = ケース017AAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2最大ツェナーインピーダンス = 5Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 3.68 (D
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:74HC・論理タイプ:インバータ・回路数:6・入力数:1・特長:シュミットトリガ・電圧 - 供給:2V~6V・電流 - 静止(最大):1 µA・電流 - 出力高、低:5.2mA、5.2mA・論理レベル - 低:0.3V~1.2V・論理レベル - 高:1.5V~4.2V・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延:13ns @ 6V
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:C-SERIES SIPM・波長:420nm・色 - 強調:青・スペクトル域:300nm~950nm・ダイオードタイプ:アバランチ・応答性 @ nm:-・応答時間:1ns・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):24.7 V・電流 - 暗電流(標準):618nA・アクティブエリア:36mm²・視野角:-・動作温度:
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):4 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):80 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:800mV @ 300mA、3A・電流 - コレクタ遮断(最大):100µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):40 @ 50
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40 V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):500 mV @ 3 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 µA @
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:74VHCU・論理タイプ:インバータ・回路数:6・入力数:1・特長:-・電圧 - 供給:2V~5.5V・電流 - 静止(最大):2 µA・電流 - 出力高、低:8mA、8mA・論理レベル - 低:0.3V・論理レベル - 高:1.7V・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延:7ns @ 5V、50pF・動作温度:
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):20 V・電流 - 平均整流(Io):500mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):480 mV @ 500 mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):12 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 箱番号:
-
2584-64
- 出荷予定日:
-
- 即納在庫数:
- 151本
- 商品説明
- 10V/500mWの定電圧ダイオード 逆方向の電圧を加えたときに定電圧を発生するダイオードです。定電圧回路およびサージ電流や静電気からICなどを守る保護デバイスとして使用します。●主な仕様ツェナー電圧10V(typ)許容誤差±5%消費電力500mW(max)動作抵抗17Ω@Iz=20mA逆方向漏れ電流3μA @ 8V順方向電圧1.2V(max) @ 200mA動作温
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 出荷予定日:
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):250 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):10µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):10 @ 2
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- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):170mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6オーム @ 170mA、10V