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商品説明
【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・タイプ：リニア・トポロジ：-・内部スイッチ：あり・出力数：8・電圧 - 供給（最小）：2V・電圧 - 供給（最大）：5.5V・電圧 - 出力：5.5V・電流 - 出力/チャンネル：12mA・周波数：-・調光：-・用途：-・動作温度：-55°C～125°C（TA）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：UniFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：33A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：94ミリオーム @ 16.5A、10V・Id印加
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：400 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.5V @ 1A、3.5A・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：20 @ 800mA、3V・電力
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：24A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：45ミリオーム @ 10A、5V・Id印加時のVg
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：100EP・論理タイプ：AND/NANDゲート・回路数：1・入力数：2入力（1、1）・シュミットトリガ入力：なし・出力タイプ：差動・電流 - 出力高、低：-・電圧 - 供給：3V～5.5V・動作温度：-40°C～85°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-TSSOP、8-MSOP（幅0.1
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商品説明
【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：16 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：200 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：4V @ 3.2A、16A・電流 - コレクタ遮断（最大）：500µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：15 @ 8A、4V・電力
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商品説明
汎用整流ダイオード 、シングル、オンセミコンダクター製 1N4007G【仕様】ダイオードタイプ標準電圧 - DC逆方向(Vr)(最大)1000V（1kV）電流 - 平均整流(Io)1.0A電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大)1.1V @ 1A速度標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）電流 - Vr印加時の逆方向漏れ5μA @ 1000V
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商品説明
【仕様】・パッケージ：TO-92-3・VCEO：50V・Ic：0.15A・VEBO：5V・動作温度：-55℃〜+125℃・最高動作周波数：80MHz・トランジスタ極性：PNPトランジスタ・備考：2SA1015互換品
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商品説明
1N4148小信号用ダイオードの世界的標準品種です。国内では1S1588（生産中止）が有名ですが、海外ではこの1N4148が使われています。【仕様】・パッケージ：DO-35・最大定格/VRRM：100V・最大定格/VR：・最大定格/IFSM：1.0A・最大定格/IO：200mA・VF(max)：1.0V・VF/条件IF：10mA・端子間容量C(max)：4.0pF・逆
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：250 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：10µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 2
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商品説明
【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：EcoSPARK®・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：430 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：21 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.6V @ 4V、6A・電力 - 最大：150 W・スイッチングエネルギー：-・入
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：250 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：10µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 2
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：EcoSPARK®・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：480 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：51 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.6V @ 4V、10A・電力 - 最大：300 W・スイッチングエネルギー：-
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商品説明
一般整流用ダイオード汎用低電力アプリケーション用のリードマウント整流器●仕様Mounting StyleThrough HolePackage/CaseDO-41Vr-Reverse Voltage600VIf-Forward Current1ATypeStandard Recovery RectifiersConfigurationSingleVf-Forward
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：30 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：3 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：28 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 22.8 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.5 V @ 200 mA・動作温度：-65°C～150°C・
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商品説明
TRANSISTOR PNP TO-220 Transistor Polarity:PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V Transition Frequency ft:3MHz Power Dissipation Pd:40W DC Collector Current:3A DC Current Gain hFE
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 環境区分：
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- 品質ランク：
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F
商品説明
●仕様VR[V]75VIo[A]15mAパッケージSOD-323F内部回路1回路
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：1SMA59xxBT3G・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：27 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：1.5 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：23 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 nA @ 20.6 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 200 mA・動作
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：1SMA59xxBT3G・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：24 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：1.5 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：19 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 nA @ 18.2 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 200 mA・動作
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：20 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：180mV @ 200mA、2A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）
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商品説明
【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：200mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 100 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：4 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 75 V・Vr、
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商品説明
【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）：15 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 7.5 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 400 V・動作温度：-55°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付け
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商品説明
【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：10 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：500 mW・インピーダンス（最大）（Zzt）：17 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：3 µA @ 8 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 200 mA・動作温度：-65°C～200°C・グレード：-・認
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：4V @ 20mA、5A・電流 - コレクタ遮断（最大）：500µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1000 @
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：74LCX・論理タイプ：バッファ、非反転・素子数：4・素子あたりのビット数：1・入力タイプ：-・出力タイプ：3ステート・電流 - 出力高、低：24mA、24mA・電圧 - 供給：2V～3.6V・動作温度：-40°C～85°C（TA）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：14-TSS
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 環境区分：
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- 品質ランク：
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B
商品説明
●仕様ダイオード構成シングル実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1パッケージタイプDO-41ダイオードテクノロジーシリコンジャンクションピン数2最大順方向降下電圧1.1V動作温度 Min-65 ℃動作温度 Max+175 ℃高さ5.2mm寸法2.7 (Dia.) x 5.2mm直径2.7mm
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：74ACT・論理タイプ：バッファ、非反転・素子数：1・素子あたりのビット数：8・入力タイプ：-・出力タイプ：3ステート・電流 - 出力高、低：24mA、24mA・電圧 - 供給：4.5V～5.5V・動作温度：-40°C～85°C（TA）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：20-T
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商品説明
アキシャルリードタイプの標準リカバリダイオード●仕様逆電圧200V順電流3.0A構成Single順電圧1V最大サージ電流200A(1サイクル)動作温度範囲－65℃～＋150℃ケーススタイルアキシャルリード
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：10 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：5 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：2 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 7.6 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 1 A・動作温度：-65°C～200°C・グレード：
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・スイッチタイプ：汎用・出力数：1・レシオ - 入力：出力：1：1・出力構成：ハイサイド・出力タイプ：Nチャンネル・インターフェース：オン/オフ・電圧 - 負荷：4.5V～45V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：不要・電流 - 出力（最大）：500mA・Rds On（標準）：1オーム・入力タイプ：非反転・特長
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：静電容量カップリング・チャンネル数：1・電圧 - 絶縁：-・コモンモード過渡耐性（最小）：100kV/µs（最大）・伝搬遅延tpLH/tpHL（最大）：110ns、110ns・パルス幅歪み（最大）：25ns・立ち上がり/立ち下がり時間（標準）：13ns、13ns・電流 - 出力高、低：-・電流 - ピー
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・チャンネル数：1・入力 - サイド1/サイド2：1/0・電圧 - 絶縁：5000Vrms・コモンモード過渡耐性（最小）：10kV/µs（標準）・入力タイプ：DC・出力タイプ：オープンコレクタ・電流 - 出力/チャンネル：50 mA・データレート：10Mbps・伝搬遅延tpLH/tpHL（最大）：75ns、75ns・立ち上が
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：35V・電圧 - 出力（最小/固定）：15V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：2V @ 1A（標準）・電流 - 出力：1A・電流 - 静止（Iq）：8 mA・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：58d
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：Sync-Lock™・モード：臨界モード（BCM）・周波数 - スイッチング：16.5kHz～525kHz・電流 - スタートアップ：80 µA・電圧 - 供給：9V～18V・動作温度：-40°C～125°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：16-SOIC（幅0.154インチ、
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：430mV @ 10mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最
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商品説明
【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：60 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.7V @ 600mA、3A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：50 @ 100
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：200 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：15 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：400nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 品質ランク：
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A
商品説明
・Vz[V]：51V・最大電力[W]：5W・最大インピーダンス[Ω]：27Ω・パッケージ：Axial Lead
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1個以上
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￥220.00(税抜)
税込￥242.00
即納在庫数 ：
個
- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 環境区分：
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- 品質ランク：
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F
商品説明
●仕様極性NチャネルVdss[V]9 VId[A]1.7ARon[Ohm]7.2ΩVth[V]5VQg[C]15nCパッケージTO-252
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：35V・電圧 - 出力（最小/固定）：15V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：2V @ 1A（標準）・電流 - 出力：1A・電流 - 静止（Iq）：6.5 mA・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：58dB（120
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：160 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.5V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：1µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 1 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：1.8 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 4
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.2V @ 375mA、3A・電流 - コレクタ遮断（最大）：300µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 3A、4V・電
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・出力構成：ネガティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：-35V・電圧 - 出力（最小/固定）：-15V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：1.1V @ 500mA（標準）・電流 - 出力：500mA・電流 - 静止（Iq）：-・電流 - 供給（最大）：-・P
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.2V @ 375mA、3A・電流 - コレクタ遮断（最大）：300µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 3A、4V・電
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・機能：コンパンダ・用途：民生用オーディオ、通信システム・チャンネル数：2・インターフェース：アナログ・電圧 - 供給：6V～18V・動作温度：-40°C～85°C（TA）・仕様：110dB・取り付けタイプ：面実装・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：16-SOIC（幅0.295インチ、7.50mm）・
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商品説明
【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：JFET・構成：Nチャンネル・周波数：400MHz・ゲイン：-・電圧 - テスト：15 V・定格電流（A）：15mA・雑音指数：4dB・電流 - テスト：5 mA・電源 - 出力：-・電圧 - 定格：35 V・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：TO-236-3、SC-5
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商品説明
【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：800 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.3オーム @ 750mA、10V・Id印加時のVgs（
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商品説明
【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1.2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：160 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：700mV @ 200mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：1µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：35 @ 5
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商品説明
【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：5.1 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：5 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：1.5 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 1 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 1 A・動作温度：-65°C～200°C・グレード：-・認定：-・
検索結果：
1 ～ 50 件 / 全 4,000件
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
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最小2,500個から購入可能
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・タイプ：リニア・トポロジ：-・内部スイッチ：あり・出力数：8・電圧 - 供給（最小）：2V・電圧 - 供給（最大）：5.5V・電圧 - 出力：5.5V・電流 - 出力/チャンネル：12mA・周波数：-・調光：-・用途：-・動作温度：-55°C～125°C（TA）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：UniFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：33A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：94ミリオーム @ 16.5A、10V・Id印加
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：400 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.5V @ 1A、3.5A・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：20 @ 800mA、3V・電力
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：24A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：45ミリオーム @ 10A、5V・Id印加時のVg
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：100EP・論理タイプ：AND/NANDゲート・回路数：1・入力数：2入力（1、1）・シュミットトリガ入力：なし・出力タイプ：差動・電流 - 出力高、低：-・電圧 - 供給：3V～5.5V・動作温度：-40°C～85°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-TSSOP、8-MSOP（幅0.1
-
- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：16 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：200 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：4V @ 3.2A、16A・電流 - コレクタ遮断（最大）：500µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：15 @ 8A、4V・電力
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 箱番号：
-
2590-01
- 出荷予定日：
-
- 即納在庫数：
- 862本
- 商品説明
- 汎用整流ダイオード 、シングル、オンセミコンダクター製 1N4007G【仕様】ダイオードタイプ標準電圧 - DC逆方向(Vr)(最大)1000V（1kV）電流 - 平均整流(Io)1.0A電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大)1.1V @ 1A速度標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）電流 - Vr印加時の逆方向漏れ5μA @ 1000V
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 箱番号：
-
2472-00
- 出荷予定日：
-
- 即納在庫数：
- 2,577個
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：TO-92-3・VCEO：50V・Ic：0.15A・VEBO：5V・動作温度：-55℃〜+125℃・最高動作周波数：80MHz・トランジスタ極性：PNPトランジスタ・備考：2SA1015互換品
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 箱番号：
-
2592-00
- 出荷予定日：
-
- 即納在庫数：
- 4,587本
- 商品説明
- 1N4148小信号用ダイオードの世界的標準品種です。国内では1S1588（生産中止）が有名ですが、海外ではこの1N4148が使われています。【仕様】・パッケージ：DO-35・最大定格/VRRM：100V・最大定格/VR：・最大定格/IFSM：1.0A・最大定格/IO：200mA・VF(max)：1.0V・VF/条件IF：10mA・端子間容量C(max)：4.0pF・逆
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：250 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：10µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 2
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：EcoSPARK®・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：430 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：21 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.6V @ 4V、6A・電力 - 最大：150 W・スイッチングエネルギー：-・入
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：250 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：10µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 2
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：EcoSPARK®・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：480 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：51 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.6V @ 4V、10A・電力 - 最大：300 W・スイッチングエネルギー：-
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 箱番号：
-
2590-01
- 出荷予定日：
-
- 即納在庫数：
- 888個
- 商品説明
- 一般整流用ダイオード汎用低電力アプリケーション用のリードマウント整流器●仕様Mounting StyleThrough HolePackage/CaseDO-41Vr-Reverse Voltage600VIf-Forward Current1ATypeStandard Recovery RectifiersConfigurationSingleVf-Forward
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：30 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：3 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：28 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 22.8 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.5 V @ 200 mA・動作温度：-65°C～150°C・
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- TRANSISTOR PNP TO-220 Transistor Polarity:PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V Transition Frequency ft:3MHz Power Dissipation Pd:40W DC Collector Current:3A DC Current Gain hFE
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 即納在庫数：
- 2,030個
- 商品説明
- ●仕様VR[V]75VIo[A]15mAパッケージSOD-323F内部回路1回路
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：1SMA59xxBT3G・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：27 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：1.5 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：23 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 nA @ 20.6 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 200 mA・動作
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：1SMA59xxBT3G・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：24 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：1.5 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：19 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 nA @ 18.2 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 200 mA・動作
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：20 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：180mV @ 200mA、2A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：200mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 100 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：4 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 75 V・Vr、
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）：15 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 7.5 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 400 V・動作温度：-55°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付け
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：10 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：500 mW・インピーダンス（最大）（Zzt）：17 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：3 µA @ 8 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 200 mA・動作温度：-65°C～200°C・グレード：-・認
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：4V @ 20mA、5A・電流 - コレクタ遮断（最大）：500µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1000 @
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：74LCX・論理タイプ：バッファ、非反転・素子数：4・素子あたりのビット数：1・入力タイプ：-・出力タイプ：3ステート・電流 - 出力高、低：24mA、24mA・電圧 - 供給：2V～3.6V・動作温度：-40°C～85°C（TA）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：14-TSS
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
-
最小50個から購入可能
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50個単位で購入可能
- 商品説明
- ●仕様ダイオード構成シングル実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1パッケージタイプDO-41ダイオードテクノロジーシリコンジャンクションピン数2最大順方向降下電圧1.1V動作温度 Min-65 ℃動作温度 Max+175 ℃高さ5.2mm寸法2.7 (Dia.) x 5.2mm直径2.7mm
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：74ACT・論理タイプ：バッファ、非反転・素子数：1・素子あたりのビット数：8・入力タイプ：-・出力タイプ：3ステート・電流 - 出力高、低：24mA、24mA・電圧 - 供給：4.5V～5.5V・動作温度：-40°C～85°C（TA）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：20-T
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 箱番号：
-
2590-02
- 出荷予定日：
-
- 即納在庫数：
- 500個
- 商品説明
- アキシャルリードタイプの標準リカバリダイオード●仕様逆電圧200V順電流3.0A構成Single順電圧1V最大サージ電流200A(1サイクル)動作温度範囲－65℃～＋150℃ケーススタイルアキシャルリード
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：10 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：5 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：2 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 7.6 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 1 A・動作温度：-65°C～200°C・グレード：
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・スイッチタイプ：汎用・出力数：1・レシオ - 入力：出力：1：1・出力構成：ハイサイド・出力タイプ：Nチャンネル・インターフェース：オン/オフ・電圧 - 負荷：4.5V～45V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：不要・電流 - 出力（最大）：500mA・Rds On（標準）：1オーム・入力タイプ：非反転・特長
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：静電容量カップリング・チャンネル数：1・電圧 - 絶縁：-・コモンモード過渡耐性（最小）：100kV/µs（最大）・伝搬遅延tpLH/tpHL（最大）：110ns、110ns・パルス幅歪み（最大）：25ns・立ち上がり/立ち下がり時間（標準）：13ns、13ns・電流 - 出力高、低：-・電流 - ピー
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・チャンネル数：1・入力 - サイド1/サイド2：1/0・電圧 - 絶縁：5000Vrms・コモンモード過渡耐性（最小）：10kV/µs（標準）・入力タイプ：DC・出力タイプ：オープンコレクタ・電流 - 出力/チャンネル：50 mA・データレート：10Mbps・伝搬遅延tpLH/tpHL（最大）：75ns、75ns・立ち上が
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：35V・電圧 - 出力（最小/固定）：15V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：2V @ 1A（標準）・電流 - 出力：1A・電流 - 静止（Iq）：8 mA・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：58d
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：Sync-Lock™・モード：臨界モード（BCM）・周波数 - スイッチング：16.5kHz～525kHz・電流 - スタートアップ：80 µA・電圧 - 供給：9V～18V・動作温度：-40°C～125°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：16-SOIC（幅0.154インチ、
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：430mV @ 10mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：60 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.7V @ 600mA、3A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：50 @ 100
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：200 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：15 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：400nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
-
最小5個から購入可能
-
5個単位で購入可能
- 商品説明
- ・Vz[V]：51V・最大電力[W]：5W・最大インピーダンス[Ω]：27Ω・パッケージ：Axial Lead
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 即納在庫数：
- 72個
- 商品説明
- ●仕様極性NチャネルVdss[V]9 VId[A]1.7ARon[Ohm]7.2ΩVth[V]5VQg[C]15nCパッケージTO-252
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：35V・電圧 - 出力（最小/固定）：15V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：2V @ 1A（標準）・電流 - 出力：1A・電流 - 静止（Iq）：6.5 mA・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：58dB（120
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：160 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.5V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：1µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 1 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：1.8 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 4
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.2V @ 375mA、3A・電流 - コレクタ遮断（最大）：300µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 3A、4V・電
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・出力構成：ネガティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：-35V・電圧 - 出力（最小/固定）：-15V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：1.1V @ 500mA（標準）・電流 - 出力：500mA・電流 - 静止（Iq）：-・電流 - 供給（最大）：-・P
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.2V @ 375mA、3A・電流 - コレクタ遮断（最大）：300µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 3A、4V・電
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
-
- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・機能：コンパンダ・用途：民生用オーディオ、通信システム・チャンネル数：2・インターフェース：アナログ・電圧 - 供給：6V～18V・動作温度：-40°C～85°C（TA）・仕様：110dB・取り付けタイプ：面実装・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：16-SOIC（幅0.295インチ、7.50mm）・
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：JFET・構成：Nチャンネル・周波数：400MHz・ゲイン：-・電圧 - テスト：15 V・定格電流（A）：15mA・雑音指数：4dB・電流 - テスト：5 mA・電源 - 出力：-・電圧 - 定格：35 V・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：TO-236-3、SC-5
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：800 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.3オーム @ 750mA、10V・Id印加時のVgs（
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- メーカー名：
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オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1.2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：160 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：700mV @ 200mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：1µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：35 @ 5
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- メーカー名：
-
オンセミコンダクター
- 型番：
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- 出荷予定日：
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- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：5.1 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：5 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：1.5 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 1 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 1 A・動作温度：-65°C～200°C・グレード：-・認定：-・
