1900330031では商品が見つかりませんでした。すべてのカテゴリーで表示しています。
検索結果
62,161件中1~50件目
並び替え:
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・タイプ:プリスケーラ・PLL:なし・入力:CMOS、TTL・出力:ECL・回路数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・差動 - 入力:出力:なし/なし・周波数 - 最大:1.1GHz・分割器/乗算器:あり/なし・電圧 - 供給:4.5V~5.5V・動作温度:-40°C~8
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・タイプ:プリスケーラ・PLL:なし・入力:CMOS、TTL・出力:ECL・回路数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・差動 - 入力:出力:なし/なし・周波数 - 最大:1.1GHz・分割器/乗算器:あり/なし・電圧 - 供給:4.5V~5.5V・動作温度:-40°C~85
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・タイプ:リニア・トポロジ:-・内部スイッチ:あり・出力数:8・電圧 - 供給(最小):2V・電圧 - 供給(最大):5.5V・電圧 - 出力:5.5V・電流 - 出力/チャンネル:12mA・周波数:-・調光:-・用途:-・動作温度:-55°C~125°C(TA)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.3ミリオーム
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:2.5V @ 80mA、8A・電流 - コレクタ遮断(最大):50µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):1000
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:単相・技術:標準・電圧 - ピーク逆方向(最大):600 V・電流 - 平均整流(Io):500 mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1 V @ 500 mA・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 600 V・動作温度:-55°C~150°C(TJ)・グレード:-・
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:EEPROM・技術:EEPROM・メモリサイズ:512Kビット・メモリ構成:64K x 8・メモリインターフェース:I2C・クロック周波数:1 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:5ms・アクセス時間:900 ns
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):35V・電圧 - 出力(最小/固定):15V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):2V @ 1A(標準)・電流 - 出力:1A・電流 - 静止(Iq):8 mA・電流 - 供給(最大):-・PSRR:58dB(120Hz
-
商品説明
1N4148小信号用ダイオードの世界的標準品種です。国内では1S1588(生産中止)が有名ですが、海外ではこの1N4148が使われています。【仕様】・パッケージ:DO-35・最大定格/VRRM:100V・最大定格/VR:・最大定格/IFSM:1.0A・最大定格/IO:200mA・VF(max):1.0V・VF/条件IF:10mA・端子間容量C(max):4.0pF・逆
-
商品説明
汎用整流ダイオード 、シングル、オンセミコンダクター製 1N4007G【仕様】ダイオードタイプ標準電圧 - DC逆方向(Vr)(最大)1000V(1kV)電流 - 平均整流(Io)1.0A電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大)1.1V @ 1A速度標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)電流 - Vr印加時の逆方向漏れ5μA @ 1000V
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:POWERMITE®・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):600 V・電流 - 平均整流(Io):2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):3.8 V @ 2 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):30 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:
-
商品説明
一般整流用ダイオード汎用低電力アプリケーション用のリードマウント整流器●仕様Mounting StyleThrough HolePackage/CaseDO-41Vr-Reverse Voltage600VIf-Forward Current1ATypeStandard Recovery RectifiersConfigurationSingleVf-Forward
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):20ミリオーム
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):108ミリオ
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 環境区分:
-
- 品質ランク:
-
B
商品説明
2026/06/01 9:00 現在 ●仕様標準ツェナー電圧12Vダイオード構成シングル実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費1 WパッケージタイプDO-41ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性5%ピン数2テスト電流21mA最大ツェナーインピーダンス9Ω最大逆漏れ電流5μA寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max+200
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):600 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):160 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:200mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):8
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:7SV・タイプ:マルチプレクサ・回路:1 x 2:1・独立回路:1・電流 - 出力高、低:24mA、24mA・電源:単電源・電圧 - 供給:0.9V~3.6V・動作温度:-40°C~85°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:6-TSSOP、SC-88、SOT-363・サプライヤ
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):500µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):30 @ 500mA、1V
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:4000B・論理タイプ:BCDカウンタ・方向:上・素子数:2・素子あたりのビット数:4・リセット:非同期・タイミング:同期・カウント率:8 MHz・トリガタイプ:ポジティブ、ネガティブ・電圧 - 供給:3 V ~ 18 V・動作温度:-55°C~125°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケー
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1 V @ 100 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):4 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 75 V・Vr、
-
商品説明
【ご注意事項】本商品は、当社在庫品の一部を数量限定の特別価格にてご提供しております。販売数量には限りがあり、当社規定数に達し次第、予告なく特別価格での販売を終了させていただきます。自社在庫以上のお取り寄せについては特別価格は適用できませんので、あらかじめご了承ください。【仕様】・パッケージ:TO-92-3( リードはフォーミングされています)・VCEO:50V・Ic:
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:可変・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):40V・電圧 - 出力(最小/固定):1.2V・電圧 - 出力(最大):37V・電圧ドロップアウト(最大):-・電流 - 出力:500mA・電流 - 静止(Iq):10 mA・電流 - 供給(最大):-・PSRR:80dB~6
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):15 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:3 W・インピーダンス(最大)(Zzt):9 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 µA @ 11.4 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~200°C・グ
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・表示タイプ:LCD・構成:7セグメント・インターフェース:BCD・数字または文字:-・電流 - 供給:10 µA・電圧 - 供給:3V~18V・動作温度:-55°C~125°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:16-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)・サプライヤデ
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):3.6 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:500 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):90 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:15 µA @ 1 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 100 mA・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):200 V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1 V @ 3 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 200 V・V
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランスレータタイプ:電圧レベル・チャンネルタイプ:双方向性・回路数:1・回路あたりのチャンネル:8・電圧 - VCCA:1.65 V ~ 5.5 V・電圧 - VCCB:1.65 V ~ 5.5 V・入力信号:-・出力信号:-・出力タイプ:3ステート、非反転・データレート:100Mbps・動作温度:-40°
-
商品説明
JFET N CHANNEL -35V SOT-23-3Breakdown Voltage Vbr:-35VZero Gate Voltage Drain Current Idss Min:5mAZero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-5
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):24 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):25 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 18.2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:ス
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 環境区分:
-
- 品質ランク:
-
B
商品説明
2026/06/01 9:00 現在 ●仕様出力デバイスフォトトランジスタ標準上昇時間20μs標準降下時間20μsチャンネル数1ピン数4実装タイプスルーホール実装パッケージタイプミニチュア寸法3.6 x 2.9 x 1.7mm高さ1.7mm長さ3.6mm動作温度 Max+85℃動作温度 Min-40℃幅2.9mm動作温度レンジ-40 → +85℃
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・出力構成:ネガティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):-35V・電圧 - 出力(最小/固定):-15V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):1.1V @ 500mA(標準)・電流 - 出力:500mA・電流 - 静止(Iq):-・電流 - 供給(最大):-・PSRR:60d
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 200mA、2A・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):75 @ 1A
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):35V・電圧 - 出力(最小/固定):12V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):2V @ 1A(標準)・電流 - 出力:1A・電流 - 静止(Iq):8 mA・電流 - 供給(最大):-・PSRR:60dB(1kHz)
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:74AC・論理タイプ:インバータ・回路数:6・入力数:6・特長:シュミットトリガ・電圧 - 供給:2V~6V・電流 - 静止(最大):2 µA・電流 - 出力高、低:24mA、24mA・論理レベル - 低:0.5V~1.1V・論理レベル - 高:2.2V~3.9V・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延:10ns
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・チャンネル数:1・電圧 - 絶縁:5300Vrms・電流伝達率(最小):100% @ 10mA・電流伝達率(最大):-・ターンオン/ターンオフ時間(標準):2µs、2µs・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):-・入力タイプ:DC・出力タイプ:ベース付きトランジスタ・電圧 - 出力(最大):30V・電流 - 出力/チャンネル
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):35V・電圧 - 出力(最小/固定):12V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):-・電流 - 出力:500mA・電流 - 静止(Iq):-・電流 - 供給(最大):-・PSRR:80dB(120Hz)・制
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):30 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:3 W・インピーダンス(最大)(Zzt):28 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 µA @ 22.8 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~150°C・
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):200 µA @ 20 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 環境区分:
-
- 品質ランク:
-
B
商品説明
2026/06/01 9:00 現在 ●仕様チャンネルタイプPIDSSドレイン-ソースカットオフ電流1.5 to 20mA最大ドレイン-ゲート間電圧25V dcトランジスタ構成シングル回路構成シングル最大ドレイン-ソース間抵抗300 Ω実装タイプ表面実装パッケージタイプSOT-23ピン数3ソースゲート オンキャパシタンス11pF寸法3.04 x 1.4 x 1.01m
-
-
1個以上
-
¥469.00(税抜)
税込¥515.00
即納在庫数 :
個
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 環境区分:
-
- 品質ランク:
-
D
商品説明
●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズMotion SPMR 5・タイプMOSFET・構成3相・電流2 A・電圧500 V・電圧 - 絶縁1500Vrms・グレード-・認定-・取り付けタイプ面実装・パッケージ/ケース23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:1SMA59xxBT3G・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):5.1 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1.5 W・インピーダンス(最大)(Zzt):4 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:2.5 µA @ 2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:74HC・論理タイプ:バッファ、非反転・素子数:1・素子あたりのビット数:8・入力タイプ:-・出力タイプ:3ステート・電流 - 出力高、低:7.8mA、7.8mA・電圧 - 供給:2V~6V・動作温度:-55°C~125°C(TA)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:20-SOI
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):250 V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 200 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):50 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:100
-
-
1個以上
-
¥954.00(税抜)
税込¥1,049.00
即納在庫数 :
個
商品説明
・パッケージ:GBPC・最大定格/VRRM:600V・最大定格/IFSM(50Hz):300A・最大定格/IOフィン付:25A・最大定格/IOフィン無:・VFM(max):1.1V・VFM条件IFM:・熱抵抗Rth(j-a)℃/W(max):・熱抵抗Rth(j-l)(max):・高耐圧用:耐圧が高いので高耐圧の整流回路に使用できます。・姉妹品:GBPC25005、GB
-
商品説明
DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO-214Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:40VForward Current If(AV):3ADiode Configuration:SingleDiode Case Style:DO-214ABNo. of Pins:2PinsForward Voltage VF Ma
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 環境区分:
-
- 品質ランク:
-
B
商品説明
2026/06/01 9:00 現在 ●仕様ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA長さ =
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):20 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):300 mV @ 1 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:15 mA @ 2
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 環境区分:
-
- 品質ランク:
-
B
商品説明
2026/06/01 9:00 現在 ●仕様標準ツェナー電圧51Vダイオード構成シングル実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費5 WパッケージタイプDO-15ツェナータイプ電圧レギュレータツェナー電圧許容性5%ピン数2テスト電流25mA最大ツェナーインピーダンス27Ω最大逆漏れ電流500nA寸法8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温
-
商品説明
5.1V/500mWの定電圧ダイオード 逆方向の電圧を加えたときに定電圧を発生するダイオードです。定電圧回路およびサージ電流や静電気からICなどを守る保護デバイスとして使用します。●主な仕様ツェナー電圧5.1V(typ)許容誤差±5%消費電力500mW(max)動作抵抗17Ω@Iz=20mA逆方向漏れ電流5μA @ 2V順方向電圧1.2V(max) @ 200mA動
-
商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):5.1 V・許容誤差:±2%・電力 - 最大:200 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):56 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1.8 µA @ 2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1 V @ 10 mA・動作温度:-65°C~150°C・
検索結果:
1 ~ 50 件 / 全 4,000件
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小2,500個から購入可能
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・タイプ:プリスケーラ・PLL:なし・入力:CMOS、TTL・出力:ECL・回路数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・差動 - 入力:出力:なし/なし・周波数 - 最大:1.1GHz・分割器/乗算器:あり/なし・電圧 - 供給:4.5V~5.5V・動作温度:-40°C~8
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・タイプ:プリスケーラ・PLL:なし・入力:CMOS、TTL・出力:ECL・回路数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・差動 - 入力:出力:なし/なし・周波数 - 最大:1.1GHz・分割器/乗算器:あり/なし・電圧 - 供給:4.5V~5.5V・動作温度:-40°C~85
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・タイプ:リニア・トポロジ:-・内部スイッチ:あり・出力数:8・電圧 - 供給(最小):2V・電圧 - 供給(最大):5.5V・電圧 - 出力:5.5V・電流 - 出力/チャンネル:12mA・周波数:-・調光:-・用途:-・動作温度:-55°C~125°C(TA)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.3ミリオーム
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:2.5V @ 80mA、8A・電流 - コレクタ遮断(最大):50µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):1000
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:単相・技術:標準・電圧 - ピーク逆方向(最大):600 V・電流 - 平均整流(Io):500 mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1 V @ 500 mA・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 600 V・動作温度:-55°C~150°C(TJ)・グレード:-・
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:EEPROM・技術:EEPROM・メモリサイズ:512Kビット・メモリ構成:64K x 8・メモリインターフェース:I2C・クロック周波数:1 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:5ms・アクセス時間:900 ns
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):35V・電圧 - 出力(最小/固定):15V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):2V @ 1A(標準)・電流 - 出力:1A・電流 - 静止(Iq):8 mA・電流 - 供給(最大):-・PSRR:58dB(120Hz
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 箱番号:
-
2592-00
- 出荷予定日:
-
- 即納在庫数:
- 4,302本
- 商品説明
- 1N4148小信号用ダイオードの世界的標準品種です。国内では1S1588(生産中止)が有名ですが、海外ではこの1N4148が使われています。【仕様】・パッケージ:DO-35・最大定格/VRRM:100V・最大定格/VR:・最大定格/IFSM:1.0A・最大定格/IO:200mA・VF(max):1.0V・VF/条件IF:10mA・端子間容量C(max):4.0pF・逆
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 箱番号:
-
2590-01
- 出荷予定日:
-
- 即納在庫数:
- 1,102本
- 商品説明
- 汎用整流ダイオード 、シングル、オンセミコンダクター製 1N4007G【仕様】ダイオードタイプ標準電圧 - DC逆方向(Vr)(最大)1000V(1kV)電流 - 平均整流(Io)1.0A電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大)1.1V @ 1A速度標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)電流 - Vr印加時の逆方向漏れ5μA @ 1000V
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:POWERMITE®・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):600 V・電流 - 平均整流(Io):2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):3.8 V @ 2 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):30 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 箱番号:
-
2590-01
- 出荷予定日:
-
- 即納在庫数:
- 1,832個
- 商品説明
- 一般整流用ダイオード汎用低電力アプリケーション用のリードマウント整流器●仕様Mounting StyleThrough HolePackage/CaseDO-41Vr-Reverse Voltage600VIf-Forward Current1ATypeStandard Recovery RectifiersConfigurationSingleVf-Forward
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):20ミリオーム
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):108ミリオ
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小100個から購入可能
-
100個単位で購入可能
- 商品説明
- 2026/06/01 9:00 現在 ●仕様標準ツェナー電圧12Vダイオード構成シングル実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費1 WパッケージタイプDO-41ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性5%ピン数2テスト電流21mA最大ツェナーインピーダンス9Ω最大逆漏れ電流5μA寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max+200
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):600 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):160 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:200mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):8
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:7SV・タイプ:マルチプレクサ・回路:1 x 2:1・独立回路:1・電流 - 出力高、低:24mA、24mA・電源:単電源・電圧 - 供給:0.9V~3.6V・動作温度:-40°C~85°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:6-TSSOP、SC-88、SOT-363・サプライヤ
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):500µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):30 @ 500mA、1V
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:4000B・論理タイプ:BCDカウンタ・方向:上・素子数:2・素子あたりのビット数:4・リセット:非同期・タイミング:同期・カウント率:8 MHz・トリガタイプ:ポジティブ、ネガティブ・電圧 - 供給:3 V ~ 18 V・動作温度:-55°C~125°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケー
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1 V @ 100 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):4 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 75 V・Vr、
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 箱番号:
-
2497-06
- 出荷予定日:
-
- 即納在庫数:
- 8,430個
- 商品説明
- 【ご注意事項】本商品は、当社在庫品の一部を数量限定の特別価格にてご提供しております。販売数量には限りがあり、当社規定数に達し次第、予告なく特別価格での販売を終了させていただきます。自社在庫以上のお取り寄せについては特別価格は適用できませんので、あらかじめご了承ください。【仕様】・パッケージ:TO-92-3( リードはフォーミングされています)・VCEO:50V・Ic:
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:可変・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):40V・電圧 - 出力(最小/固定):1.2V・電圧 - 出力(最大):37V・電圧ドロップアウト(最大):-・電流 - 出力:500mA・電流 - 静止(Iq):10 mA・電流 - 供給(最大):-・PSRR:80dB~6
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):15 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:3 W・インピーダンス(最大)(Zzt):9 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 µA @ 11.4 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~200°C・グ
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・表示タイプ:LCD・構成:7セグメント・インターフェース:BCD・数字または文字:-・電流 - 供給:10 µA・電圧 - 供給:3V~18V・動作温度:-55°C~125°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:16-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)・サプライヤデ
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):3.6 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:500 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):90 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:15 µA @ 1 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 100 mA・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):200 V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1 V @ 3 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 200 V・V
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランスレータタイプ:電圧レベル・チャンネルタイプ:双方向性・回路数:1・回路あたりのチャンネル:8・電圧 - VCCA:1.65 V ~ 5.5 V・電圧 - VCCB:1.65 V ~ 5.5 V・入力信号:-・出力信号:-・出力タイプ:3ステート、非反転・データレート:100Mbps・動作温度:-40°
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小5個から購入可能
-
5個単位で購入可能
- 商品説明
- JFET N CHANNEL -35V SOT-23-3Breakdown Voltage Vbr:-35VZero Gate Voltage Drain Current Idss Min:5mAZero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-5
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):24 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):25 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 18.2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:ス
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小10個から購入可能
-
10個単位で購入可能
- 商品説明
- 2026/06/01 9:00 現在 ●仕様出力デバイスフォトトランジスタ標準上昇時間20μs標準降下時間20μsチャンネル数1ピン数4実装タイプスルーホール実装パッケージタイプミニチュア寸法3.6 x 2.9 x 1.7mm高さ1.7mm長さ3.6mm動作温度 Max+85℃動作温度 Min-40℃幅2.9mm動作温度レンジ-40 → +85℃
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・出力構成:ネガティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):-35V・電圧 - 出力(最小/固定):-15V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):1.1V @ 500mA(標準)・電流 - 出力:500mA・電流 - 静止(Iq):-・電流 - 供給(最大):-・PSRR:60d
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 200mA、2A・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):75 @ 1A
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):35V・電圧 - 出力(最小/固定):12V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):2V @ 1A(標準)・電流 - 出力:1A・電流 - 静止(Iq):8 mA・電流 - 供給(最大):-・PSRR:60dB(1kHz)
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:74AC・論理タイプ:インバータ・回路数:6・入力数:6・特長:シュミットトリガ・電圧 - 供給:2V~6V・電流 - 静止(最大):2 µA・電流 - 出力高、低:24mA、24mA・論理レベル - 低:0.5V~1.1V・論理レベル - 高:2.2V~3.9V・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延:10ns
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・チャンネル数:1・電圧 - 絶縁:5300Vrms・電流伝達率(最小):100% @ 10mA・電流伝達率(最大):-・ターンオン/ターンオフ時間(標準):2µs、2µs・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):-・入力タイプ:DC・出力タイプ:ベース付きトランジスタ・電圧 - 出力(最大):30V・電流 - 出力/チャンネル
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):35V・電圧 - 出力(最小/固定):12V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):-・電流 - 出力:500mA・電流 - 静止(Iq):-・電流 - 供給(最大):-・PSRR:80dB(120Hz)・制
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):30 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:3 W・インピーダンス(最大)(Zzt):28 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 µA @ 22.8 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~150°C・
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):200 µA @ 20 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小10個から購入可能
-
10個単位で購入可能
- 商品説明
- 2026/06/01 9:00 現在 ●仕様チャンネルタイプPIDSSドレイン-ソースカットオフ電流1.5 to 20mA最大ドレイン-ゲート間電圧25V dcトランジスタ構成シングル回路構成シングル最大ドレイン-ソース間抵抗300 Ω実装タイプ表面実装パッケージタイプSOT-23ピン数3ソースゲート オンキャパシタンス11pF寸法3.04 x 1.4 x 1.01m
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 即納在庫数:
- 1個
- 商品説明
- ●仕様・パッケージカット テープ(CT)・シリーズMotion SPMR 5・タイプMOSFET・構成3相・電流2 A・電圧500 V・電圧 - 絶縁1500Vrms・グレード-・認定-・取り付けタイプ面実装・パッケージ/ケース23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:1SMA59xxBT3G・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):5.1 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1.5 W・インピーダンス(最大)(Zzt):4 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:2.5 µA @ 2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:74HC・論理タイプ:バッファ、非反転・素子数:1・素子あたりのビット数:8・入力タイプ:-・出力タイプ:3ステート・電流 - 出力高、低:7.8mA、7.8mA・電圧 - 供給:2V~6V・動作温度:-55°C~125°C(TA)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:20-SOI
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):250 V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 200 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):50 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:100
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 箱番号:
-
2596-00
- 出荷予定日:
-
- 即納在庫数:
- 43個
- 商品説明
- ・パッケージ:GBPC・最大定格/VRRM:600V・最大定格/IFSM(50Hz):300A・最大定格/IOフィン付:25A・最大定格/IOフィン無:・VFM(max):1.1V・VFM条件IFM:・熱抵抗Rth(j-a)℃/W(max):・熱抵抗Rth(j-l)(max):・高耐圧用:耐圧が高いので高耐圧の整流回路に使用できます。・姉妹品:GBPC25005、GB
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小5個から購入可能
-
5個単位で購入可能
- 商品説明
- DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO-214Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:40VForward Current If(AV):3ADiode Configuration:SingleDiode Case Style:DO-214ABNo. of Pins:2PinsForward Voltage VF Ma
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小5個から購入可能
-
5個単位で購入可能
- 商品説明
- 2026/06/01 9:00 現在 ●仕様ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA長さ =
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):20 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):300 mV @ 1 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:15 mA @ 2
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
-
最小5個から購入可能
-
5個単位で購入可能
- 商品説明
- 2026/06/01 9:00 現在 ●仕様標準ツェナー電圧51Vダイオード構成シングル実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費5 WパッケージタイプDO-15ツェナータイプ電圧レギュレータツェナー電圧許容性5%ピン数2テスト電流25mA最大ツェナーインピーダンス27Ω最大逆漏れ電流500nA寸法8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 箱番号:
-
2584-62
- 出荷予定日:
-
- 即納在庫数:
- 137本
- 商品説明
- 5.1V/500mWの定電圧ダイオード 逆方向の電圧を加えたときに定電圧を発生するダイオードです。定電圧回路およびサージ電流や静電気からICなどを守る保護デバイスとして使用します。●主な仕様ツェナー電圧5.1V(typ)許容誤差±5%消費電力500mW(max)動作抵抗17Ω@Iz=20mA逆方向漏れ電流5μA @ 2V順方向電圧1.2V(max) @ 200mA動
-
- メーカー名:
-
オンセミコンダクター
- 型番:
-
- 出荷予定日:
-
- 商品説明
- 【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):5.1 V・許容誤差:±2%・電力 - 最大:200 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):56 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1.8 µA @ 2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1 V @ 10 mA・動作温度:-65°C~150°C・