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すべてのジャンル  [ メーカー:Microsemi ]の検索結果

検索結果 6,735件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):56 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):110 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 42.6 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    最小100個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30V・周波数 - トランジション:-・雑音指数(fあたりの標準dB):3.5dB @ 450MHz・ゲイン:25dB・電力 - 最大:200mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):30 @ 5mA、10V・電流 - コレクタ(
    5,596.03 税込¥6,155.63
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    最小4個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:miSLIC™・タイプ:テレコム・機能:-・組み込み製品:-・使用IC/部品:-・主要属性:-・副次属性:-・内訳:ボード
    32,038.30 税込¥35,242.13
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    最小27個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:2独立・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):160A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):920 mV @ 160 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - V
    4,063.32 税込¥4,469.65
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    最小4個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:miSLIC™・タイプ:テレコム・機能:-・組み込み製品:-・使用IC/部品:-・主要属性:-・副次属性:-・内訳:ボード
    32,038.30 税込¥35,242.13
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    最小7,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):100 V・許容誤差:±20%・電力 - 最大:3 W・インピーダンス(最大)(Zzt):250 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 µA @ 76 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~150°C
    72.62 税込¥79.88
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):18V・周波数 - トランジション:30MHz・雑音指数(fあたりの標準dB):-・ゲイン:13dB・電力 - 最大:270W・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):20 @ 5A、5V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):20A・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):120 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:2 W・インピーダンス(最大)(Zzt):325 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA @ 91.2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~15
    351.43 税込¥386.57
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):2.4 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:500 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):30 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:100 µA @ 1 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175
    314.29 税込¥345.71
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):130 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:2 W・インピーダンス(最大)(Zzt):400 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA @ 98.8 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~15
    351.43 税込¥386.57
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    最小100個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:Thunderbolt IGBT®・IGBTタイプ:NPT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):600 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):42 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):45 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2.5V @ 15V、15A・電力 - 最大:184 W・スイッチング
    330.05 税込¥363.05
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):100 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):350 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 76 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):91 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):250 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 69.2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):75 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):175 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 56 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):68 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):150 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 51.7 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):62 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):125 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 47.1 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):47 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):80 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 35.8 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):43 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):70 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 32.7 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):39 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):60 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 29.7 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):39 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):60 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 29.7 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):33 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):45 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 25.1 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):30 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):40 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 22.8 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):27 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):35 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 20.6 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):24 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):25 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 18.2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):22 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):23 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 16.7 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):22 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):23 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 16.7 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):18 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):20 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 13.7 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):18 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):20 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 13.7 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):15 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):14 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 11.4 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):13 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):10 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 9.9 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認定
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):13 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):10 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 9.9 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):12 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):9 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 9.1 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認定:
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):12 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):9 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 9.1 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認定
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):11 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):8 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 8.4 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認定:
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):10 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):7 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 7.6 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認定
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):10 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):7 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 7.6 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):9.1 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):5 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 7 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認定
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):8.2 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):4.5 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 6 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):7.5 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):4 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 5 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認定
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):6.8 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):3.5 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 4 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):6.2 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):2 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 3 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認定:
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):6.2 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):2 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 3 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認定
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):5.6 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):5 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認定:
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):5.6 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):5 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認定
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):5.1 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):7 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 1 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認定
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):4.7 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):8 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 1 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認定:
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):4.3 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):9 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 1 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認定:
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):4.3 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):9 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 1 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・認定
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):3.6 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):10 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:100 µA @ 1 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • メーカー名:
    Microsemi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):3.3 V・許容誤差:±10%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):10 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:100 µA @ 1 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~175°C・グレード:-・
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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