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半導体  [ 納期:売り切れ ]の検索結果

検索結果 305,226件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):62A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8.7ミリオーム @ 31A、10V・I
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:H³®・用途:コントローラ、DDR SDRAM・電圧 - 入力:4.5V~25V・出力数:2・電圧 - 出力:0.7V~2V・動作温度:-10°C~100°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:32-VFQFN露出パッド・サプライヤデバイスパッケージ:VQFN032V5050
  • メーカー名:
    コーセル
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:LEB (225W)・タイプ:カバー付き・出力数:2・電圧 - 入力:85~264 VAC・電圧 - 出力1:5V・電圧 - 出力2:24V・電圧 - 出力3:-・電圧 - 出力4:-・電圧 - 出力5:-・電圧 - 出力6:-・電流 - 出力1:5 A・電流 - 出力2:14 A・電流 - 出力3:-・電流 - 出力4:-・電流
  • メーカー名:
    コーセル
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:LDC (30W)・タイプ:オープンフレーム・出力数:3・電圧 - 入力:85~264 VAC、 110~370 VDC・電圧 - 出力1:5V・電圧 - 出力2:15V・電圧 - 出力3:-15V・電圧 - 出力4:-・電圧 - 出力5:-・電圧 - 出力6:-・電流 - 出力1:3 A・電流 - 出力2:1 A・電流 - 出力3
  • メーカー名:
    旭化成(AKM)
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:*・アンプタイプ:-・回路数:-・出力タイプ:-・スルーレート:-・ゲイン帯域幅積:-・帯域幅-3db:-・電流 - 入力バイアス:-・電圧 - 入力オフセット:-・電流 - 供給:-・電流 - 出力/チャンネル:-・電圧 - スパン(最小):-・電圧 - スパン(最大):-・動作温度:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30V・周波数 - トランジション:3.5GHz・雑音指数(fあたりの標準dB):-・ゲイン:-・電力 - 最大:1.3W・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):135 @ 50mA、5V・電流 - コレクタ(Ic)(
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー - 1ペア共通カソード・電圧 - ピーク逆方向(最大):4V・電流 - 最大:30 mA・Vr、F印加時の静電容量:0.9pF @ 0.2V、1MHz・If、F印加時の抵抗:-・電力散逸(最大):-・動作温度:125°C(TJ)・グレード:-・認定:-・パッケージ/ケース:TO
  • メーカー名:
    Phihong USA
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:PSA15LN3 (15W)・タイプ:オープンフレーム・出力数:1・電圧 - 入力:90~264 VAC・電圧 - 出力1:15V・電圧 - 出力2:-・電圧 - 出力3:-・電圧 - 出力4:-・電圧 - 出力5:-・電圧 - 出力6:-・電流 - 出力1:1 A・電流 - 出力2:-・電流 - 出力3:-・電流 - 出力4:-・
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:QFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):400 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):530ミリオーム @ 5.25A、10V・Id印
  • メーカー名:
    Panasonic
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):20V・周波数 - トランジション:1.6GHz・雑音指数(fあたりの標準dB):-・ゲイン:20dB・電力 - 最大:100mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):25 @ 2mA、10V・電流 - コレクタ(
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30V・周波数 - トランジション:3.5GHz・雑音指数(fあたりの標準dB):-・ゲイン:-・電力 - 最大:1.3W・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):135 @ 50mA、5V・電流 - コレクタ(Ic)
  • メーカー名:
    TDK
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱入りテープ(TB)・シリーズ:-・機能:ラッチ・技術:ホール効果・極性:北極、南極・センシング範囲:2.5mTトリップ、-2.5mTリリース・テスト条件:-・電圧 - 供給:2.7V~24V・電流 - 供給(最大):-・電流 - 出力(最大):-・出力タイプ:オープンドレイン・特長:温度補正付き・動作温度:-40°C~170°C(TJ)・グレー
  • メーカー名:
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トライアックタイプ:標準・電圧 - オフ状態:600 V・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):10 A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):1.5 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz(Itsm):100A @ 60Hz・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):30 mA・電流 - ホールド(Ih
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・プロトコル:I2C・機能:ブリッジ、I2C/SPI - UART・インターフェース:UART・標準:-・電圧 - 供給:1.8V、2.5V、3.3V・電流 - 供給:6mA・動作温度:-40°C~85°C・パッケージ/ケース:16-TSSOP(幅0.173インチ、4.40
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30V・周波数 - トランジション:3.5GHz・雑音指数(fあたりの標準dB):-・ゲイン:-・電力 - 最大:1.3W・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):90 @ 50mA、5V・電流 - コレクタ(Ic)(
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30V・周波数 - トランジション:3.5GHz・雑音指数(fあたりの標準dB):-・ゲイン:-・電力 - 最大:1.3W・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):135 @ 50mA、5V・電流 - コレクタ(Ic)
  • メーカー名:
    Power Integrations
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TinySwitch®-PK・出力絶縁:絶縁型・内部スイッチ:あり・電圧 - ブレークダウン:700V・トポロジ:フライバック・電圧 - スタートアップ:-・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):-・デューティサイクル:65%・周波数 - スイッチング:132kHz~264kHz・電力(ワット):19 W・フォールト保護:電流制限
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・タイプ:レシーバ・プロトコル:RS422、RS485・ドライバ/レシーバ数:0/4・デュプレックス:-・受信機ヒステリシス:35 mV・データレート:-・電圧 - 供給:3V~3.6V・動作温度:-40°C~85°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:16-SOIC(幅0.154インチ、3
  • メーカー名:
    日清紡マイクロデバイス(新日本無線・JRC)
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・タイプ:標準(汎用)・素子数:2・出力タイプ:DTL、オープンコレクタ、RTL、TTL・電圧 - 供給、シングル/デュアル(±):5V~36V、±2.5V~18V・電圧 - 入力オフセット(最大):8mV @ ±15V・電流 - 入力バイアス(最大):1µA @ ±15V・電流 - 出力(標準):25mA・電流 - 静止(
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:74HC・論理タイプ:EXOR・回路数:4・入力数:2・特長:-・電圧 - 供給:2V~6V・電流 - 静止(最大):1 µA・電流 - 出力高、低:5.2mA、5.2mA・論理レベル - 低:0.5V~1.8V・論理レベル - 高:1.5V~4.2V・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延:17ns @ 6V、50pF・動作
  • メーカー名:
    Panasonic
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・周波数 - トランジション:250MHz・雑音指数(fあたりの標準dB):-・ゲイン:-・電力 - 最大:150mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):200 @ 2mA、10V・電流 - コレクタ(Ic
  • メーカー名:
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・用途:ビデオフロントエンド(VFE)・出力タイプ:-・回路数:1・帯域幅-3db:100 MHz・スルーレート:96V/µs・電流 - 供給:10.5 mA・電流 - 出力/チャンネル:70 mA・電圧 - 供給、シングル/デュアル(±):4.5V~5.5V・取り付けタイプ:面実装・グレード:-・認定:-・パ
  • メーカー名:
    Panasonic
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 1mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):
  • メーカー名:
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ビット数:24・サンプリングレート(毎秒):625・入力数:1・入力タイプ:差動・データインターフェース:SPI・構成:PGA-ADC・割合 - S/H:ADC:-・A/Dコンバータ数:1・アーキテクチャ:シグマデルタ・リファレンスタイプ:外付け・電圧 - 供給、アナログ:±5V・電圧 - 供給、デジタル:5V・特長:PG
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):60 V・電流 - 平均整流(Io):2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):610 mV @ 2 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:50 µA @ 60
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・センシング距離:5m・B.P.F.中心周波数:20~60kHz・電圧 - 供給:2.5 V ~ 5.5 V・電流 - 供給:700 µA・方向:サイドビュー・取り付けタイプ:スルーホール・動作温度:-25°C~85°C
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):15 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):350 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:2V @ 300mA、12A・電流 - コレクタ遮断(最大):100µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):300
  • メーカー名:
    MCC (Micro Commercial Components)
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱入りテープ(TB)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:700mV @ 20mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)
  • メーカー名:
    スタンレー電気
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・色:白・波長:-・電流 - テスト:350mA・電圧 - 順方向(Vf)(標準):3V・電流印加時のルーメン/ワット - テスト:81ルーメン/W・電流 - 最大:600mA・光束 @ 電流/温度:85lm(標準)・温度 - テスト:25°C・視野角:115°・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:18
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大):-・
  • メーカー名:
    MCC (Micro Commercial Components)
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1200 V・電流 - 平均整流(Io):60A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):3.3 V @ 60 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):85 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 1200 V・Vr
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:*・タイプ:-・FETタイプ:-・レシオ - 入力:出力:-・内部スイッチ:-・遅延時間 - オン:-・遅延時間 - オフ:-・電流 - 出力(最大):-・電流 - 供給:-・電圧 - 供給:-・用途:-・動作温度:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプライヤデバイスパッケー
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):240A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.3ミリオーム @ 100A、1
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):60 V・電流 - 平均整流(Io):2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):610 mV @ 2 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:50 µA @ 6
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:BI-FET™・アンプタイプ:J-FET・回路数:1・出力タイプ:プッシュプル・スルーレート:12V/µs・ゲイン帯域幅積:5 MHz・帯域幅-3db:-・電流 - 入力バイアス:30 pA・電圧 - 入力オフセット:3 mV・電流 - 供給:5mA・電流 - 出力/チャンネル:-・電圧 - スパン(最小):30 V・電圧 -
  • メーカー名:
    Panasonic
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 1mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・タイプ:シンプルリセット/パワーオンリセット・モニタ電圧数:1・電圧 - 閾値:4.2V・出力:CMOS反転・リセット:アクティブLow・タイムアウトリセット:80ms最小・動作温度:-40°C~85°C(TA)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ
  • メーカー名:
    Digi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:RabbitCore®・モジュール/ボードタイプ:MPUコア・コアプロセッサ:Rabbit 3000・コプロセッサ:-・速度:22.1MHz・フラッシュサイズ:256KB(内蔵)、MB(外付け)・RAMサイズ:128KB・コネクタタイプ:IDCヘッダ2x20・サイズ/寸法:長さ1.200インチ x 幅2.950インチ(30.00mm
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1V @ 50mA、2A・電流 - コレクタ遮断(最大):100µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):400 @ 500m
  • メーカー名:
    Marktech Optoelectronics
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・タイプ:赤外(IR)・電流 - DC順方向(If)(最大):100mA・If印加時の放射強度(Ie)最小:-・波長:1450nm・電圧 - 順方向(Vf)(標準):0.8V・視野角:90°・方向:トップビュー・動作温度:-25°C~85°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:スルーホール・パッケージ/ケース:TO-46
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランスレータタイプ:電圧レベル・チャンネルタイプ:双方向性・回路数:1・回路あたりのチャンネル:2・電圧 - VCCA:1 V ~ 3.6 V・電圧 - VCCB:1.8 V ~ 5.5 V・入力信号:-・出力信号:-・出力タイプ:オープンドレイン・データレート:-・動作温度:-55°C~125°C(TA)
  • メーカー名:
    Kingston
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:フラッシュ・技術:フラッシュ - NAND・メモリサイズ:16Gビット・メモリ構成:-・メモリインターフェース:eMMC・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-・アクセス時間:-・電圧 - 供給:1.8V、3.3V・動
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:VIP™ III・アンプタイプ:電圧フィードバック・回路数:1・出力タイプ:-・スルーレート:4100V/µs・ゲイン帯域幅積:200 MHz・帯域幅-3db:220 MHz・電流 - 入力バイアス:2.7 µA・電圧 - 入力オフセット:200 µV・電流 - 供給:6.5mA・電流 - 出力/チャンネル:118 mA・電圧
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・アンプタイプ:標準(汎用)・回路数:2・出力タイプ:レール ツー レール・スルーレート:45V/µs・ゲイン帯域幅積:5.9 MHz・帯域幅-3db:-・電流 - 入力バイアス:700 nA・電圧 - 入力オフセット:290 µV・電流 - 供給:6.9mA(x2チャンネル)・電流 - 出力/チャンネル:50 mA・電圧
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・アンプタイプ:CMOS・回路数:2・出力タイプ:レール ツー レール・スルーレート:1.3V/µs・ゲイン帯域幅積:1.5 MHz・帯域幅-3db:-・電流 - 入力バイアス:0.02 pA・電圧 - 入力オフセット:110 µV・電流 - 供給:1.3mA(x2チャンネル)・電流 - 出力/チャンネル:30 mA・電圧
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・アンプタイプ:パワー・回路数:1・出力タイプ:-・スルーレート:8V/µs・ゲイン帯域幅積:1.4 MHz・帯域幅-3db:-・電流 - 入力バイアス:15 pA・電圧 - 入力オフセット:1 mV・電流 - 供給:12mA・電流 - 出力/チャンネル:2 A・電圧 - スパン(最小):20 V・電圧 - スパン(最大):
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ネガティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):-35V・電圧 - 出力(最小/固定):-12V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):1.1V @ 500mA・電流 - 出力:500mA・電流 - 静止(Iq):6 mA・電流 - 供給(最大):-・PS
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:LME®・アンプタイプ:オーディオ・回路数:4・出力タイプ:-・スルーレート:20V/µs・ゲイン帯域幅積:55 MHz・帯域幅-3db:10 MHz・電流 - 入力バイアス:10 nA・電圧 - 入力オフセット:100 µV・電流 - 供給:18.5mA(x4チャンネル)・電流 - 出力/チャンネル:26 mA・電圧 - ス
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SWITCHMODE™・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):600 V・電流 - 平均整流(Io):8A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 8 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):60 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA
  • メーカー名:
    Pimoroni
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・構成:リング・LED数:12・色:赤、緑、青(RGB)・コントローラタイプ:-・使用LED:WS2812・インターフェース:シリアル(シフトレジスタ)・取り付けタイプ:ユーザ定義・サイズ/寸法:直径44.20mm
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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DigiReelの説明
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