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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

検索結果 55,928件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【TK065U65Z,RQ】DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ

    【TK065U65Z,RQ】DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：DTMOSVI・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：38A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 19A、10V
    ￥2,134.12 税込￥2,347.53
  • 2

    【IAUT260N10S5N019ATMA1】MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF

    【IAUT260N10S5N019ATMA1】MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：260A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.9ミリオーム @
    ￥1,284.62 税込￥1,413.08
  • 3

    【FDPF33N25T】MOSFET N-CH 250V 33A TO220F

    【FDPF33N25T】MOSFET N-CH 250V 33A TO220F
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：UniFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：33A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：94ミリオーム @ 16.5A、10V・Id印加
    ￥786.12 税込￥864.73
  • 4

    【SPD15P10PGATMA1】MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

    【SPD15P10PGATMA1】MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SIPMOS®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 10.6A、
    ￥645.84 税込￥710.42
  • 5

    【NTD24N06LT4G】MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

    【NTD24N06LT4G】MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：24A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：45ミリオーム @ 10A、5V・Id印加時のVg
    ￥611.12 税込￥672.23
  • 6

    【GP2T080A120H】SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L

    【GP2T080A120H】SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 20A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥1,757.15 税込￥1,932.86
  • 7

    【STL115N10F7AG】MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT

    【STL115N10F7AG】MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：STripFET™ F7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：107A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6ミリオーム @ 53
    ￥858.34 税込￥944.17
  • 8

    【BSC320N20NS3GATMA1】MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【BSC320N20NS3GATMA1】MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 36A、10V
    ￥891.67 税込￥980.83
  • 9

    【SI2301CDS-T1-E3】MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

    【SI2301CDS-T1-E3】MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.1A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：112ミリオーム
    ￥184.29 税込￥202.71
  • 10

    【IPP015N04NF2SAKMA1】TRENCH PG-TO220-3

    【IPP015N04NF2SAKMA1】TRENCH PG-TO220-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgsでのゲートチャージ（Q
    ￥802.78 税込￥883.05
  • 11

    【IGC033S101XTMA1】GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN

    【IGC033S101XTMA1】GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolGaN™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：21A（Ta）、76A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.3ミリオーム
    ￥1,069.87 税込￥1,176.85
  • 12

    【TPH14006NH,L1Q】MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV

    【TPH14006NH,L1Q】MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @
    ￥391.43 税込￥430.57
  • 13

    【SCT4013DRC15】750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

    【SCT4013DRC15】750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：105A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16.9ミリオーム @ 58A、18V・Id印加時のVgs
    ￥7,601.15 税込￥8,361.26
  • 14

    【NV6044C】GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA

    【NV6044C】GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA
    メーカー名：
    Navitas Semiconductor Inc.
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：GaNFast™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6.8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：364ミリオーム @ 2.5A
    ￥908.34 税込￥999.17
  • 15

    【EPC2012C】GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

    【EPC2012C】GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：eGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 3A、5V・Id印
    ￥979.46 税込￥1,077.40
  • 16

    【IAUA250N04S6N006AUMA1】MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5

    【IAUA250N04S6N006AUMA1】MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：450A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：7V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：0.64ミリオーム @ 1
    ￥1,293.34 税込￥1,422.67
  • 17

    【RUC002N05T116】MOSFET N-CH 50V 200MA SST3

    【RUC002N05T116】MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.2V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.2オーム @ 200mA、4
    ￥65.72 税込￥72.29
  • 18

    【SSM3K376R,LF】MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F

    【SSM3K376R,LF】MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：56ミリオーム @
    ￥97.15 税込￥106.86
  • 19

    【TK155A60Z1,S4X】N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,

    【TK155A60Z1,S4X】N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：DTMOSVI・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：155ミリオーム @ 5.4A、10V・Id印加
    ￥905.56 税込￥996.11
  • 20

    【AO3401A】30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 350MW 1.3

    【AO3401A】30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 350MW 1.3
    メーカー名：
    UMW
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：UMW・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 4.2A、
    ￥118.58 税込￥130.43
  • 21

    【IRF9610PBF-BE3】MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB

    【IRF9610PBF-BE3】MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.8A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 900mA、10V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥606.95 税込￥667.64
  • 22

    【BSZ070N08LS5ATMA1】MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON

    【BSZ070N08LS5ATMA1】MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：74A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7ミリオーム @ 2
    ￥695.84 税込￥765.42
  • 23

    【UPA2816T1S-E2-AT】MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON

    【UPA2816T1S-E2-AT】MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
    メーカー名：
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15.5ミリオーム @ 17A、10V
    ￥507.15 税込￥557.86
  • 24

    【STP80NF10】MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB

    【STP80NF10】MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：STripFET™ II・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15ミリオーム @ 40A、10V・I
    ￥951.39 税込￥1,046.52
  • 25

    【IRF1404ZPBF】MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB

    【IRF1404ZPBF】MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.7ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時
    ￥524.29 税込￥576.71
  • 26

    【STP3NK90Z】MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB

    【STP3NK90Z】MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperMESH™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：900 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.8オーム @ 1.5A、10V・Id印加
    ￥712.50 税込￥783.75
  • 27

    【VN0104N3-G】MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3

    【VN0104N3-G】MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：350mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥190.00 税込￥209.00
  • 28

    【LND150N8-G】MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3

    【LND150N8-G】MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1000オーム @ 50
    ￥191.43 税込￥210.57
  • 29

    【IRF9630PBF】MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB

    【IRF9630PBF】MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：800ミリオーム @ 3.9A、10V・Id印加時のVgs
    ￥931.95 税込￥1,025.14
  • 30

    【FQPF2N80】MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F

    【FQPF2N80】MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：800 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.3オーム @ 750mA、10V・Id印加時のVgs（
    ￥591.67 税込￥650.83
  • 31

    【SI2300DS-T1-GE3】MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3

    【SI2300DS-T1-GE3】MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：68ミリオーム
    ￥172.86 税込￥190.14
  • 32

    【NTMFS4C029NT1G】MOSFET N-CH 30V 15A/46A 5DFN

    【NTMFS4C029NT1G】MOSFET N-CH 30V 15A/46A 5DFN
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）、46A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.88ミリオーム @
    ￥184.29 税込￥202.71
  • 33

    【IPP072N10N3GXKSA1】MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

    【IPP072N10N3GXKSA1】MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.2ミリオーム @ 80A、10V・I
    ￥702.78 税込￥773.05
  • 34

    【DMTH4007SPSQ-13】MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060

    【DMTH4007SPSQ-13】MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15.7A（Ta）、100A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.6ミリオーム @ 20
    ￥507.15 税込￥557.86
  • 35

    【CSD17310Q5A】MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON

    【CSD17310Q5A】MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：21A（Ta）、100A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：3V、8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.1ミリオー
    ￥392.86 税込￥432.14
  • 36

    【AO3400A】30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V

    【AO3400A】30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V
    メーカー名：
    UMW
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：UMW・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 5.8A、1
    ￥107.15 税込￥117.86
  • 37

    【AOD380A60C】MOSFET N-CH 600V 11A TO252

    【AOD380A60C】MOSFET N-CH 600V 11A TO252
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：aMOS5™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：380ミリオーム @ 5.5A、10
    ￥701.39 税込￥771.52
  • 38

    【BUZ11-NR4941】MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3

    【BUZ11-NR4941】MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 15A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥541.43 税込￥595.57
  • 39

    【DMP1045UQ-7】MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 T&R 3

    【DMP1045UQ-7】MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 T&R 3
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：31ミリオーム @ 4A、4.5V・I
    ￥135.72 税込￥149.29
  • 40

    【IRLR024NTRPBF】MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

    【IRLR024NTRPBF】MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 10A、1
    ￥245.72 税込￥270.29
  • 41

    【SSM3K336R,LF】MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F

    【SSM3K336R,LF】MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：95ミリオーム @ 2
    ￥121.43 税込￥133.57
  • 42

    【AO3400A】MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L [digi-reel品] DigiReel商品

    【AO3400A】MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L [digi-reel品]
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26.5ミリオーム @ 5.7A、10
    ￥125.72 税込￥138.29
  • 43

    【AO4435】SOP-8 MOSFETS ROHS

    【AO4435】SOP-8 MOSFETS ROHS
    メーカー名：
    UMW
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：UMW・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 7A、10V・
    ￥247.15 税込￥271.86
  • 44

    【DMN3042L-7】MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

    【DMN3042L-7】MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26.5ミリオーム @ 5.8A、1
    ￥125.72 税込￥138.29
  • 45

    【AO3400A】MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L

    【AO3400A】MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26.5ミリオーム @ 5.7A、1
    ￥125.72 税込￥138.29
  • 46

    【DN2540N5-G】MOSFET N-CH 400V 500MA TO220-3

    【DN2540N5-G】MOSFET N-CH 400V 500MA TO220-3
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：400 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25オーム @ 120mA、0V・I
    ￥427.15 税込￥469.86
  • 47

    【2N7000】MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C

    【2N7000】MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVg
    ￥157.15 税込￥172.86
  • 48

    【IGB110S101XTMA1】GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【IGB110S101XTMA1】GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：CoolGaN™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Ta）、23A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11ミリオーム @
    ￥568.06 税込￥624.86
  • 49

    【SSM3K345R,LF】MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F

    【SSM3K345R,LF】MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：33ミリオーム @ 4A、
    ￥127.15 税込￥139.86
  • 50

    【2SJ305TE85LF】MOSFET P-CH 30V 200MA SC59

    【2SJ305TE85LF】MOSFET P-CH 30V 200MA SC59
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4オーム @ 50mA、2.5V・Id印加
    ￥221.43 税込￥243.57
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