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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

検索結果 68,231件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のV
    112.86 税込¥124.14
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時の
    26.57 税込¥29.22
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.7A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):455ミリオーム @ 2A、18V
    1,183.57 税込¥1,301.92
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):450 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.7A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.9オーム @ 1.05A、10V・Id印
    245.72 税込¥270.29
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):33A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.7ミリオーム @ 16
    312.86 税込¥344.14
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):50ミリオーム @ 7.5A、1
    398.58 税込¥438.43
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:NexFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):22A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15ミリオーム @ 5A、
    148.58 税込¥163.43
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):850ミリオーム @ 2.8A、10V・Id印加時のVgs
    454.29 税込¥499.71
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):28A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):77ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVgs(th
    360.00 税込¥396.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.1A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):66ミリオーム
    351.43 税込¥386.57
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(Cascode SiCJFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):53A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):12V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):39ミリオーム @ 20A、12V・I
    3,396.48 税込¥3,736.12
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):150A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):7.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.4ミリオーム @ 30A、1
    804.17 税込¥884.58
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):80A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.1ミリオーム @ 40A、10V・Id印加時の
    581.95 税込¥640.14
  • メーカー名:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Ta)、30A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8ミリオーム @ 20
    152.86 税込¥168.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperFET® II・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):165ミリオーム @ 11.5A、10
    887.50 税込¥976.25
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):540ミリオーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs(t
    212.86 税込¥234.14
  • メーカー名:
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7ミリオーム @ 14A、10V・Id
    411.43 税込¥452.57
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperMESH™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):300mA(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15オーム @ 400m
    198.58 税込¥218.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):115mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.5オーム @ 500mA、10V・
    104.29 税込¥114.71
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 18A、10V・Id印
    1,746.43 税込¥1,921.07
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSIII・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28ミリオーム @ 3A
    102.86 税込¥113.14
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.2ミリオーム @ 40A、10V・I
    128.58 税込¥141.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolMOS™ P7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):800 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2オーム @ 1.7A、10V・I
    381.43 税込¥419.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ P2・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):90A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.1ミリオーム @ 90A、10
    527.15 税込¥579.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):65A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 46A、10V・Id印加時の
    631.95 税込¥695.14
  • メーカー名:
    UMW
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:*・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大)
    222.86 税込¥245.14
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時のVgs(t
    537.15 税込¥590.86
  • メーカー名:
    PANJIT
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):700mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):150ミリオーム @ 700mA
    91.43 税込¥100.57
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:STripFET™ F7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):130A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.5ミリオーム @ 1
    368.58 税込¥405.43
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):19A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):200ミリオーム @ 11A、10V・Id印加
    542.86 税込¥597.14
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    271.43 税込¥298.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolGaN™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):21A(Ta)、76A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.3ミリオーム
    654.17 税込¥719.58
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 5.
    77.15 税込¥84.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:QFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):27A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):70ミリオーム @ 13.5A、10V・Id印加時のV
    542.86 税込¥597.14
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):400ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVgs(
    788.89 税込¥867.77
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):110A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8ミリオーム @ 62A、10V・Id印加時のV
    314.29 税込¥345.71
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):45ミリオーム @ 4
    90.00 税込¥99.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 3
    87.15 税込¥95.86
  • メーカー名:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):40ミリオーム @ 4.5A、4.
    102.86 税込¥113.14
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):260A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.95ミリオーム @ 60A、10V
    350.00 税込¥385.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8オーム @ 10mA、4V・Id印
    68.58 税込¥75.43
  • メーカー名:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):20ミリオーム @ 6.5A、4.
    100.00 税込¥110.00
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):3V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28ミリオーム @ 5.8A、10V・I
    72.86 税込¥80.14
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 3.8A、10V
    60.00 税込¥66.00
  • メーカー名:
    MCC (Micro Commercial Components)
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):12 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15ミリオーム @ 500mA、1.5V・Id印
    90.00 税込¥99.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):300ミリオーム @ 1A、10
    110.00 税込¥121.00
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バッグ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル、デプレッションモード・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):400 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):120mA(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):0V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25オーム @ 120mA、0V・Id
    207.15 税込¥227.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):120A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時のV
    727.78 税込¥800.55
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):70ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のV
    95.72 税込¥105.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):115ミリオーム @ 10A、10
    187.15 税込¥205.86
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