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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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【1HN04CH-TL-W】MOSFET N-CH 100V 270MA 3CPH

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【1HN04CH-TL-W】MOSFET N-CH 100V 270MA 3CPH

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【仕様】・パッケージング：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：270mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8オーム @ 140mA、10V・

【1HN04CH-TL-W】MOSFET N-CH 100V 270MA 3CPH

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【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：270mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8オーム @ 140mA、10V・

【1HN04CH-TL-W】MOSFET N-CH 100V 270MA 3CPH [digi-reel品]

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【1HN04CH-TL-W】MOSFET N-CH 100V 270MA 3CPH [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージング：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：270mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8オーム @ 140mA、10V・I

【1HP04CH-TL-W】MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH

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【1HP04CH-TL-W】MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH

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【仕様】・パッケージング：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18オーム @ 80mA、10V・

【1HP04CH-TL-W】MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH

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【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18オーム @ 80mA、10V・

【1HP04CH-TL-W】MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージング：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18オーム @ 80mA、10V・I

【2302】MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

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【仕様】・パッケージング：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 2.2A、4

【2302】MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

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【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 2.2A、4

【2N6660】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

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【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：990mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（t

【2N6660】MOSFET N-CH 60V 410MA TO39

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：410mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th

【2N6660-2】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

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【2N6660-E3】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：990mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th

【2N6660JTVP02】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

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【2N6660JTVP02】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

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【2N6660JTX02】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

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【2N6660JTX02】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

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【2N6660JTXL02】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

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【2N6660JTXL02】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

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【2N6660JTXP02】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

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【2N6660JTXP02】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

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【2N6660JTXV02】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

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【2N6661】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

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型番：: 2N6661

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【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：90V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：860mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（t

【2N6661】MOSFET N-CH 90V 350MA TO39

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型番：: 2N6661

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：90V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：350mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th

【2N6661-2】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

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【2N6661-E3】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

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【2N6661JAN02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

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【2N6661JTVP02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

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【2N6661JTVP02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

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型番：: 2N6661JTVP02

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【2N6661JTX02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

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型番：: 2N6661JTX02

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【2N6661JTXL02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

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【2N6661JTXL02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

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メーカー名：: VISHAY

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【2N6661JTXP02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

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【2N6661JTXP02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

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メーカー名：: VISHAY

型番：: 2N6661JTXP02

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【2N6661JTXV02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

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【2N6661JTXV02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

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メーカー名：: VISHAY

型番：: 2N6661JTXV02

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【2N6756】MOSFET N-CH 100V 14A TO204AA

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メーカー名：: Microsemi

型番：: 2N6756

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：210ミリオーム @ 14A、10V・Id印加時のVgs（t

【2N6758】MOSFET N-CH 200V 9A TO204AA

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メーカー名：: Microsemi

型番：: 2N6758

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：490ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）

【2N6760】MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA

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100個以上: 応相談

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メーカー名：: Microsemi

型番：: 2N6760

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：400V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.22オーム @ 5.5A、10V・Id印加時のVgs（

【2N6762】MOSFET N-CH 500V 4.5A TO204AA

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100個以上: 応相談

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メーカー名：: Microsemi

型番：: 2N6762

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.8オーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（t

【2N6764】MOSFET N-CH 100V 38A TO3

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型番：: 2N6764

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：38A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 38A、10V・Id印加時のVgs（th

【2N6764T1】MOSFET N-CH 100V 38A TO3

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1個以上: 応相談

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メーカー名：: Microsemi

型番：: 2N6764T1

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【2N6766】MOSFET N-CH 200V 30A TO3

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455個以上: 応相談

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メーカー名：: Microsemi

型番：: 2N6766

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（th

【2N6766T1】MOSFET N-CH 200V 30A TO254AA

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メーカー名：: Microsemi

型番：: 2N6766T1

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【2N6768】MOSFET N-CH 400V 14A TO3

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型番：: 2N6768

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：400V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 14A、10V・Id印加時のVgs（t

【2N6768T1】MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：400V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 14A、10V・Id印加時のVgs（t

【2N6770】MOSFET N-CH 500V 12A TO3

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時のVgs（t

【2N6770T1】MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時のVgs（t

【2N6782】MOSFET N-CH 100V 3.5A TO39

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：600ミリオーム @ 2.25A、10V・Id印加時のVg

【2N6782U】MOSFET N-CH 100V 3.5A 18ULCC

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【2N6784】MOSFET N-CH 200V 2.25A TO39

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.25A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 1.5A、0V・Id印加時のVgs（t

【2N6784U】MOSFET N-CH 200V 2.25A 18ULCC

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【2N6788】MOSFET N-CH 100V 6A TO39

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のVgs（t

【2N6788U】MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のVgs

【2N6790】MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：800ミリオーム @ 2.25A、10V・Id印加時のVg

【2N6790U】MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.8A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：800ミリオーム @ 2.25A、10V・Id印加時のVg

【2N6796】MOSFET N-CH 100V 8A TO39

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）

【2N6796U】MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC

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【2N6798】MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39

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【1HN04CH-TL-W】MOSFET N-CH 100V 270MA 3CPH

メーカー名：

オンセミコンダクター

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￥105.98 税込￥116.57
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【1HN04CH-TL-W】MOSFET N-CH 100V 270MA 3CPH

メーカー名：

オンセミコンダクター

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1HN04CH-TL-W

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【1HN04CH-TL-W】MOSFET N-CH 100V 270MA 3CPH [digi-reel品]

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オンセミコンダクター

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【1HP04CH-TL-W】MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH

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オンセミコンダクター

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1HP04CH-TL-W

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【1HP04CH-TL-W】MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH

メーカー名：

オンセミコンダクター

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1HP04CH-TL-W

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￥23.68 税込￥26.04
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【1HP04CH-TL-W】MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH [digi-reel品]

メーカー名：

オンセミコンダクター

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【2302】MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

メーカー名：

Goford Semiconductor

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【2302】MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

メーカー名：

Goford Semiconductor

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【2N6660】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

メーカー名：

VISHAY

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【2N6660】MOSFET N-CH 60V 410MA TO39

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Microchip

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【2N6660-2】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

メーカー名：

VISHAY

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【2N6660-E3】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

メーカー名：

VISHAY

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【2N6660JTVP02】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

メーカー名：

VISHAY

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【2N6660JTX02】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

メーカー名：

VISHAY

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【2N6660JTXL02】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

メーカー名：

VISHAY

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【2N6660JTXP02】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

メーカー名：

VISHAY

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【2N6660JTXV02】MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

メーカー名：

VISHAY

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【2N6661】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

メーカー名：

VISHAY

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【2N6661】MOSFET N-CH 90V 350MA TO39

メーカー名：

Microchip

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￥1,834.10 税込￥2,017.50
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【2N6661-2】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

メーカー名：

VISHAY

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2N6661-2

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【2N6661-E3】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

メーカー名：

VISHAY

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【2N6661JAN02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

メーカー名：

VISHAY

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2N6661JAN02

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23

【2N6661JTVP02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

メーカー名：

VISHAY

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24

【2N6661JTX02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

メーカー名：

VISHAY

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25

【2N6661JTXL02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

メーカー名：

VISHAY

型番：

2N6661JTXL02

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26

【2N6661JTXP02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

メーカー名：

VISHAY

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27

【2N6661JTXV02】MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

メーカー名：

VISHAY

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2N6661JTXV02

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【2N6756】MOSFET N-CH 100V 14A TO204AA

メーカー名：

Microsemi

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29

【2N6758】MOSFET N-CH 200V 9A TO204AA

メーカー名：

Microsemi

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【2N6760】MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA

メーカー名：

Microsemi

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【2N6762】MOSFET N-CH 500V 4.5A TO204AA

メーカー名：

Microsemi

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【2N6764】MOSFET N-CH 100V 38A TO3

メーカー名：

Microsemi

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【2N6764T1】MOSFET N-CH 100V 38A TO3

メーカー名：

Microsemi

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【2N6766】MOSFET N-CH 200V 30A TO3

メーカー名：

Microsemi

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【2N6766T1】MOSFET N-CH 200V 30A TO254AA

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Microsemi

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【2N6768】MOSFET N-CH 400V 14A TO3

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Microsemi

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【2N6768T1】MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA

メーカー名：

Microsemi

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【2N6770】MOSFET N-CH 500V 12A TO3

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Microsemi

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【2N6770T1】MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA

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【2N6782】MOSFET N-CH 100V 3.5A TO39

メーカー名：

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【2N6782U】MOSFET N-CH 100V 3.5A 18ULCC

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【2N6784】MOSFET N-CH 200V 2.25A TO39

メーカー名：

Microsemi

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【2N6784U】MOSFET N-CH 200V 2.25A 18ULCC

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【2N6788】MOSFET N-CH 100V 6A TO39

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【2N6788U】MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC

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【2N6790】MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39

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【2N6790U】MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC

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【2N6796】MOSFET N-CH 100V 8A TO39

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【2N6796U】MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC

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【2N6798】MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39

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