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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

検索結果 66,003件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【NSF080120L3A0Q】SiC NチャンネルパワーMOSFET(1200V)

    【NSF080120L3A0Q】SiC NチャンネルパワーMOSFET(1200V)
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：120ミリオーム @ 20A、15V・Id印加時の
    ￥1,609.64 税込￥1,770.60
  • 2

    【IAUT260N10S5N019ATMA1】MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF

    【IAUT260N10S5N019ATMA1】MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：260A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.9ミリオーム @
    ￥1,197.27 税込￥1,316.99
  • 3

    【SCT3080KLHRC11】SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

    【SCT3080KLHRC11】SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：104ミリオーム @ 10A、18V・Id印加時のVgs（
    ￥4,164.71 税込￥4,581.18
  • 4

    【SIDR626LEP-T1-RE3】N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET

    【SIDR626LEP-T1-RE3】N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：48.7A（Ta）、218A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds
    ￥961.65 税込￥1,057.81
  • 5

    【VS-FC420SA10】MOSFET N-CH 100V 435A SOT227

    【VS-FC420SA10】MOSFET N-CH 100V 435A SOT227
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：435A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.15ミリオーム @ 200A、10V・Id印加時のVg
    ￥4,707.06 税込￥5,177.76
  • 6

    【C3M0075120K】車載用SiC NチャンネルパワーMOSFET(1200V/30A)

    【C3M0075120K】車載用SiC NチャンネルパワーMOSFET(1200V/30A)
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：C3M™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 20A、15V・Id印加時のVg
    ￥2,590.59 税込￥2,849.64
  • 7

    【TK5R3A06PL,S4X】X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

    【TK5R3A06PL,S4X】X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：56A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.3ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時のV
    ￥488.58 税込￥537.43
  • 8

    【IMZA65R015M2HXKSA1】SILICON CARBIDE MOSFET

    【IMZA65R015M2HXKSA1】SILICON CARBIDE MOSFET
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™ Gen 2・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：103A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.2ミリオーム @
    ￥3,142.36 税込￥3,456.59
  • 9

    【IRFP9240PBF】MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3

    【IRFP9240PBF】MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500ミリオーム @ 7.2A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥1,230.14 税込￥1,353.15
  • 10

    【IRFP240PBF】MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3

    【IRFP240PBF】MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥1,186.31 税込￥1,304.94
  • 11

    【IRFP260NPBF】MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC

    【IRFP260NPBF】MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時の
    ￥1,075.35 税込￥1,182.88
  • 12

    【C3M0021120K】NチャンネルSiC MOSFET(1200V/100A)

    【C3M0021120K】NチャンネルSiC MOSFET(1200V/100A)
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：C3M™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28.8ミリオーム @ 50A、15V・Id印加時
    ￥5,375.87 税込￥5,913.45
  • 13

    【BSZ100N06LS3GATMA1】MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON

    【BSZ100N06LS3GATMA1】MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Ta）、20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10ミリ
    ￥371.43 税込￥408.57
  • 14

    【SI2314EDS-T1-E3】MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

    【SI2314EDS-T1-E3】MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.77A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：33ミリオーム
    ￥277.15 税込￥304.86
  • 15

    【TPCC8105,L1Q】PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO

    【TPCC8105,L1Q】PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：23A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.8ミリオーム @ 11
    ￥277.15 税込￥304.86
  • 16

    【XPH4R714MC,L1XHQ】MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP

    【XPH4R714MC,L1XHQ】MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.7ミリオーム @ 30
    ￥442.86 税込￥487.14
  • 17

    【EPC2306】TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN

    【EPC2306】TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：48A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.8ミリオーム @ 25A、5V・Id印加時
    ￥1,120.55 税込￥1,232.60
  • 18

    【BSC0909NSATMA1】MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON

    【BSC0909NSATMA1】MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：34 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Ta）、44A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.2ミ
    ￥201.43 税込￥221.57
  • 19

    【XP161A1355PR-G】MOSFET N-CH 20V 4A SOT89

    【XP161A1355PR-G】MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
    メーカー名：
    Torex Semiconductor Ltd
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2A、4.5V・I
    ￥238.58 税込￥262.43
  • 20

    【IRF540ZPBF】MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB

    【IRF540ZPBF】MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26.5ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    ￥387.15 税込￥425.86
  • 21

    【TK15S04N1L,LQ】MOSFET N-CH 40V 15A DPAK

    【TK15S04N1L,LQ】MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.8ミリオーム
    ￥500.00 税込￥550.00
  • 22

    【RU1C002UNTCL】MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F

    【RU1C002UNTCL】MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.2V、2.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2オーム @ 200mA、2
    ￥72.86 税込￥80.14
  • 23

    【AON7400A】MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8DFN

    【AON7400A】MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8DFN
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）、40A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5ミリオーム @
    ￥154.29 税込￥169.71
  • 24

    【SI4825DDY-T1-GE3】MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO

    【SI4825DDY-T1-GE3】MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12.5ミリオー
    ￥332.86 税込￥366.14
  • 25

    【IRLR7843TRPBF】MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

    【IRLR7843TRPBF】MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：161A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.3ミリオーム @ 1
    ￥387.15 税込￥425.86
  • 26

    【AO3416】MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L

    【AO3416】MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 6.5A、4.
    ￥114.29 税込￥125.71
  • 27

    【EPC2367ENGRT】TRANS GAN 100V .0012OHM 5QFN

    【EPC2367ENGRT】TRANS GAN 100V .0012OHM 5QFN
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：eGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：78A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2ミリオーム @ 30A、5V・I
    ￥1,366.67 税込￥1,503.33
  • 28

    【SCT3080ALHRC11】SICFET N-CH 650V 30A TO247N

    【SCT3080ALHRC11】SICFET N-CH 650V 30A TO247N
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：104ミリオーム @ 10A、18V・Id印加時のVgs（t
    ￥2,696.48 税込￥2,966.12
  • 29

    【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB

    【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    ￥408.58 税込￥449.43
  • 30

    【SI2308CDS-T1-GE3】MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

    【SI2308CDS-T1-GE3】MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14
    ￥120.00 税込￥132.00
  • 31

    【TP0604N3-G】MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3

    【TP0604N3-G】MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：430mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥397.15 税込￥436.86
  • 32

    【FCPF20N60】MOSFET N-CH 600V 20A TO220F

    【FCPF20N60】MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：190ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    ￥1,283.34 税込￥1,411.67
  • 33

    【AO3400A】30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V

    【AO3400A】30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V
    メーカー名：
    UMW
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：UMW・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 5.8A、1
    ￥41.43 税込￥45.57
  • 34

    【IRFB4310ZPBF】MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

    【IRFB4310ZPBF】MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時の
    ￥769.45 税込￥846.39
  • 35

    【NDS355AN】MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3

    【NDS355AN】MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 1.9A、10V
    ￥188.58 税込￥207.43
  • 36

    【RJK0354DSP-00#J0】MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

    【RJK0354DSP-00#J0】MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
    メーカー名：
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7ミリオーム @ 8A、10V・Id印
    ￥487.15 税込￥535.86
  • 37

    【IRLML6402TRPBF】MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

    【IRLML6402TRPBF】MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3
    ￥95.72 税込￥105.29
  • 38

    【TN0106N3-G】MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

    【TN0106N3-G】MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：350mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVg
    ￥242.86 税込￥267.14
  • 39

    【RSQ015P10HZGTR】MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6

    【RSQ015P10HZGTR】MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：470ミリオーム @ 1.5A、10V
    ￥275.72 税込￥303.29
  • 40

    【TK7S10N1Z,LXHQ】MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

    【TK7S10N1Z,LXHQ】MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：48ミリオーム @ 3.5A
    ￥322.86 税込￥355.14
  • 41

    【FDS9435A】MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

    【FDS9435A】MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
    メーカー名：
    UMW
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgsでのゲー
    ￥125.72 税込￥138.29
  • 42

    【AO3415A】20V 4A 50MR@4.5V,4A 350MW 1V@250

    【AO3415A】20V 4A 50MR@4.5V,4A 350MW 1V@250
    メーカー名：
    UMW
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：UMW・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 4A、4.5V
    ￥45.72 税込￥50.29
  • 43

    【SSM3K339R,LF】MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F

    【SSM3K339R,LF】MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：185ミリオーム @ 1
    ￥84.29 税込￥92.71
  • 44

    【IRF9Z10PBF】MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB

    【IRF9Z10PBF】MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.7A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥498.58 税込￥548.43
  • 45

    【AOSS32136C】MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3

    【AOSS32136C】MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 6.5A、4.
    ￥107.15 税込￥117.86
  • 46

    【LND150N3-G-P002】MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

    【LND150N3-G-P002】MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1000オーム @ 50
    ￥155.72 税込￥171.29
  • 47

    【2N7002】MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C

    【2N7002】MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・
    ￥135.72 税込￥149.29
  • 48

    【PJD35P03_L2_00001】30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    【PJD35P03_L2_00001】30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    メーカー名：
    PANJIT
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.4A（Ta）、35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @
    ￥195.72 税込￥215.29
  • 49

    【IRF9Z34NPBF】MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB

    【IRF9Z34NPBF】MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：19A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時の
    ￥310.00 税込￥341.00
  • 50

    【RD3P06BBLHRBTL】NCH 100V 57A, TO-252 (DPAK), POW [digi-reel品] DigiReel商品

    【RD3P06BBLHRBTL】NCH 100V 57A, TO-252 (DPAK), POW [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：57A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16.8ミリオーム @ 57A、10V・I
    ￥500.00 税込￥550.00
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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