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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

検索結果 58,443件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のV
    115.72 税込¥127.29
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時の
    27.17 税込¥29.88
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):450 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.7A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.9オーム @ 1.05A、10V・Id印
    250.00 税込¥275.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):170ミリオーム @ 2A、10V・Id印加
    165.72 税込¥182.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.7A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):455ミリオーム @ 2A、18V
    1,209.59 税込¥1,330.54
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):33A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.7ミリオーム @ 16
    320.00 税込¥352.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):50ミリオーム @ 7.5A、1
    407.15 税込¥447.86
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:NexFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):22A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15ミリオーム @ 5A、
    152.86 税込¥168.14
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):850ミリオーム @ 2.8A、10V・Id印加時のVgs
    457.15 税込¥502.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    282.86 税込¥311.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.1A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):66ミリオーム
    370.00 税込¥407.00
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時のVgs(t
    555.72 税込¥611.29
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):12 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 2A、4.5V・
    181.43 税込¥199.57
  • メーカー名:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):28A(Ta)、50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5ミリオーム @ 2
    322.86 税込¥355.14
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.5オーム @ 1.6A、10V・Id印加時のVgs(t
    108.58 税込¥119.43
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル、デプレッションモード・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):300 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):0V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):12オーム @ 150
    191.43 税込¥210.57
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):30ミリオーム @ 6A、10V・Id印
    128.58 税込¥141.43
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):540ミリオーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs(t
    211.43 税込¥232.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ P2・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):90A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.1ミリオーム @ 90A、10
    538.58 税込¥592.43
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:PowerMESH™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9オーム @ 1.3A、10V・Id印
    826.39 税込¥909.02
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 2.2A、10V
    121.43 税込¥133.57
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:STripFET™ F7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):130A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.5ミリオーム @ 1
    357.15 税込¥392.86
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSIV・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):54ミリオーム @ 4A、10V
    370.00 税込¥407.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):38ミリオーム @ 4.5A、10V・I
    174.29 税込¥191.71
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:NexFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):19A(Ta)、60A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.3ミリ
    290.00 税込¥319.00
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):115mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.5オーム @ 50mA、5V・Id印
    34.29 税込¥37.71
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):16ミリオーム @ 7.5A、4.
    198.58 税込¥218.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolMOS™ P7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):800 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2オーム @ 1.7A、10V・I
    390.00 税込¥429.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSIII・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28ミリオーム @ 3A
    102.86 税込¥113.14
  • メーカー名:
    UMW
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:*・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大)
    227.15 税込¥249.86
  • メーカー名:
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7ミリオーム @ 14A、10V・Id
    420.00 税込¥462.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):300ミリオーム @ 1A、10
    82.86 税込¥91.14
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):36ミリオーム @ 4.4A、10V
    84.29 税込¥92.71
  • メーカー名:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Ta)、30A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8ミリオーム @ 20
    157.15 税込¥172.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:QFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):27A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):70ミリオーム @ 13.5A、10V・Id印加時のV
    561.12 税込¥617.23
  • メーカー名:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):40ミリオーム @ 4.5A、4.
    104.29 税込¥114.71
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):260A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.95ミリオーム @ 60A、10V
    340.00 税込¥374.00
  • メーカー名:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):20ミリオーム @ 6.5A、4.
    102.86 税込¥113.14
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8オーム @ 10mA、4V・Id印
    70.00 税込¥77.00
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):3V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28ミリオーム @ 5.8A、10V・I
    70.00 税込¥77.00
  • メーカー名:
    MCC (Micro Commercial Components)
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):12 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15ミリオーム @ 500mA、1.5V・Id印
    91.43 税込¥100.57
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バッグ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル、デプレッションモード・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):400 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):120mA(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):0V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25オーム @ 120mA、0V・Id
    211.43 税込¥232.57
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVg
    74.29 税込¥81.71
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):120A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時のV
    734.73 税込¥808.20
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):65A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 46A、10V・Id印加時の
    645.84 税込¥710.42
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、2.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):160ミリオーム @
    50.00 税込¥55.00
  • メーカー名:
    東芝
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):300ミリオーム @ 1A、10
    111.43 税込¥122.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.2ミリオーム @ 40A、10V・I
    128.58 税込¥141.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 5.
    78.58 税込¥86.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):115ミリオーム @ 10A、10
    270.00 税込¥297.00
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