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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【IMZA65R015M2HXKSA1】SILICON CARBIDE MOSFET

    【IMZA65R015M2HXKSA1】SILICON CARBIDE MOSFET
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™ Gen 2・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：103A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.2ミリオーム @
    ￥3,111.77 税込￥3,422.94
  • 2

    【TPH5200FNH,L1Q】MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP

    【TPH5200FNH,L1Q】MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：26A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 13A
    ￥740.28 税込￥814.30
  • 3

    【TPH14006NH,L1Q】MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV [digi-reel品] DigiReel商品

    【TPH14006NH,L1Q】MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @
    ￥370.00 税込￥407.00
  • 4

    【C3M0021120K】NチャンネルSiC MOSFET(1200V/100A)

    【C3M0021120K】NチャンネルSiC MOSFET(1200V/100A)
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：C3M™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28.8ミリオーム @ 50A、15V・Id印加時
    ￥6,575.87 税込￥7,233.45
  • 5

    【NDS332P】MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3 [digi-reel品] DigiReel商品

    【NDS332P】MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.7V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 1.1A、4.5V
    ￥127.15 税込￥139.86
  • 6

    【EPC2088】TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE

    【EPC2088】TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：eGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.2ミリオーム @ 25A、5V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥1,136.99 税込￥1,250.68
  • 7

    【EPC2050】TRANS GAN BUMPED DIE

    【EPC2050】TRANS GAN BUMPED DIE
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：eGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：350 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 6A、5V・I
    ￥1,371.80 税込￥1,508.98
  • 8

    【IRFP260NPBF】MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC

    【IRFP260NPBF】MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時の
    ￥1,100.00 税込￥1,210.00
  • 9

    【TPH6400ENH,L1Q】MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【TPH6400ENH,L1Q】MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：64ミリオーム @ 6.5A
    ￥515.72 税込￥567.29
  • 10

    【EPC2306】TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN

    【EPC2306】TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：48A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.8ミリオーム @ 25A、5V・Id印加時
    ￥1,109.59 税込￥1,220.54
  • 11

    【FCPF20N60】MOSFET N-CH 600V 20A TO220F

    【FCPF20N60】MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：190ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    ￥1,285.34 税込￥1,413.87
  • 12

    【NTR4101PT1G】MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3

    【NTR4101PT1G】MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 1.6A、4.
    ￥81.43 税込￥89.57
  • 13

    【SI4825DDY-T1-GE3】MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO

    【SI4825DDY-T1-GE3】MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12.5ミリオー
    ￥302.86 税込￥333.14
  • 14

    【EPC2367ENGRT】TRANS GAN 100V .0012OHM 5QFN

    【EPC2367ENGRT】TRANS GAN 100V .0012OHM 5QFN
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：eGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：78A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2ミリオーム @ 30A、5V・I
    ￥1,405.13 税込￥1,545.64
  • 15

    【SI4463CDY-T1-GE3】MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO

    【SI4463CDY-T1-GE3】MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13.6A（Ta）、49A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：
    ￥315.72 税込￥347.29
  • 16

    【IRFP9240PBF】MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3

    【IRFP9240PBF】MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500ミリオーム @ 7.2A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥684.73 税込￥753.20
  • 17

    【IRFB4310ZPBF】MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

    【IRFB4310ZPBF】MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時の
    ￥763.89 税込￥840.27
  • 18

    【NDS355AN】MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3

    【NDS355AN】MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 1.9A、10V
    ￥147.15 税込￥161.86
  • 19

    【XP65SL190DI】NチャンネルパワーMOSFET(650V)

    【XP65SL190DI】NチャンネルパワーMOSFET(650V)
    メーカー名：
    XSemi Corporation
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XP65SL190D・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：190ミリオーム @ 6.2A、10V・I
    ￥879.17 税込￥967.08
  • 20

    【IRF540ZPBF】MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB

    【IRF540ZPBF】MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26.5ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    ￥174.29 税込￥191.71
  • 21

    【TK7S10N1Z,LXHQ】MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

    【TK7S10N1Z,LXHQ】MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：48ミリオーム @ 3.5A
    ￥320.00 税込￥352.00
  • 22

    【IRFB4227PBF】MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB

    【IRFB4227PBF】MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：65A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 46A、10V・Id印加時の
    ￥673.62 税込￥740.98
  • 23

    【IRFP240PBF】MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3

    【IRFP240PBF】MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥563.89 税込￥620.27
  • 24

    【AO3416】MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L

    【AO3416】MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 6.5A、4.
    ￥114.29 税込￥125.71
  • 25

    【PJD35P03_L2_00001】30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    【PJD35P03_L2_00001】30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    メーカー名：
    PANJIT
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.4A（Ta）、35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @
    ￥165.72 税込￥182.29
  • 26

    【RD3P06BBLHRBTL】NCH 100V 57A, TO-252 (DPAK), POW [digi-reel品] DigiReel商品

    【RD3P06BBLHRBTL】NCH 100V 57A, TO-252 (DPAK), POW [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：57A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16.8ミリオーム @ 57A、10V・I
    ￥495.72 税込￥545.29
  • 27

    【IRF830PBF-BE3】MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB

    【IRF830PBF-BE3】MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 2.7A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥342.86 税込￥377.14
  • 28

    【AO3401A】MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L

    【AO3401A】MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：44ミリオーム @ 4.3A、10V・I
    ￥104.29 税込￥114.71
  • 29

    【TK8A50D(STA4,Q,M)】MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS

    【TK8A50D(STA4,Q,M)】MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：π-MOSVII・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：850ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時の
    ￥480.00 税込￥528.00
  • 30

    【SSM3J334R,LF】MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F

    【SSM3J334R,LF】MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：71ミリオーム @ 3A、10V
    ￥81.43 税込￥89.57
  • 31

    【SUP60020E-GE3】MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB

    【SUP60020E-GE3】MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：150A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：7.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 30A、1
    ￥790.28 税込￥869.30
  • 32

    【NTTFS5C454NLTAG】MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN

    【NTTFS5C454NLTAG】MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）、85A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.8ミリオーム @
    ￥114.29 税込￥125.71
  • 33

    【IRLR3410TRPBF】MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

    【IRLR3410TRPBF】MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 10A
    ￥157.15 税込￥172.86
  • 34

    【STF13N60M2】MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

    【STF13N60M2】MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：MDmesh™ II Plus・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：380ミリオーム @ 5.5A、
    ￥412.86 税込￥454.14
  • 35

    【AO3415A】MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-3L

    【AO3415A】MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-3L
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：45ミリオーム @ 4A、4.5V・I
    ￥108.58 税込￥119.43
  • 36

    【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB

    【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    ￥347.15 税込￥381.86
  • 37

    【IRF630】MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

    【IRF630】MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：MESH OVERLAY™ II・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 4.5A、
    ￥392.86 税込￥432.14
  • 38

    【SSM3K7002KFU,LF】MOSFET N-CH 60V 400MA USM

    【SSM3K7002KFU,LF】MOSFET N-CH 60V 400MA USM
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：400mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @
    ￥38.58 税込￥42.43
  • 39

    【STP24NF10】MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB

    【STP24NF10】MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：STripFET™ II・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：26A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 12A、10V・I
    ￥442.86 税込￥487.14
  • 40

    【NX7002AK,215】MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB

    【NX7002AK,215】MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：190mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.5オーム @ 100mA、10V・
    ￥47.15 税込￥51.86
  • 41

    【12N10】MOSFET N-CH 100V 15A DPAK

    【12N10】MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
    メーカー名：
    UMW
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：114ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時
    ￥172.86 税込￥190.14
  • 42

    【ISS55EP06LMXTSA1】MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3

    【ISS55EP06LMXTSA1】MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.5オーム @ 1
    ￥54.29 税込￥59.71
  • 43

    【2N7000】MOSFET TO-92 60V 0.2A

    【2N7000】MOSFET TO-92 60V 0.2A
    メーカー名：
    Diotec Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・
    ￥47.15 税込￥51.86
  • 44

    【SI2302DDS-T1-GE3】MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3

    【SI2302DDS-T1-GE3】MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.9A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：57ミリオーム
    ￥91.43 税込￥100.57
  • 45

    【DMG2305UX-7】MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

    【DMG2305UX-7】MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 4.2A、4.
    ￥31.43 税込￥34.57
  • 46

    【BS170】MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

    【BS170】MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 200mA、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥57.15 税込￥62.86
  • 47

    【BSC0702LSATMA1】MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8

    【BSC0702LSATMA1】MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    最小5,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.3ミリオーム @
    ￥98.86 税込￥108.74
  • 48

    【CSD18563Q5A】MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

    【CSD18563Q5A】MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.8ミリオーム @ 1
    ￥434.29 税込￥477.71
  • 49

    【EPC2007C】GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE

    【EPC2007C】GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：eGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、5V・Id印加
    ￥680.56 税込￥748.61
  • 50

    【SQD07N25-350H_GE3】MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA

    【SQD07N25-350H_GE3】MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：350ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時
    ￥109.28 税込￥120.20
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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