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トランジスタ - IGBT - モジュール

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【2ED300C17SROHSBPSA1】IGBT MODULE 1700V 30A

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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1個以上: ￥28,415.22(税抜) 税込￥31,256.74

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型番：: 2ED300C17SROHSBPSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・IGBTタイプ：-・構成：2独立・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1700V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce：-・入力：標準・NTCサーミスタ：なし・動作温

【2ED300C17STROHSBPSA1】IGBT MODULE 1700V 30A

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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型番：: 2ED300C17STROHSBPSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：EiceDriver™・IGBTタイプ：-・構成：2独立・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1700V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce：-・入力：標準・NTCサー

【2LS20017E42W34854NOSA1】IGBT MODULE 1700V 20A

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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1個以上: ￥724,986.20(税抜) 税込￥797,484.81

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・IGBTタイプ：-・構成：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce：-・入力：-・NTCサーミスタ：-・動作温度：-・取り付け

【2LS20017E42W36702NOSA1】IGBT MODULE 1700V 20A

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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1個以上: ￥1,014,743.60(税抜) 税込￥1,116,217.95

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【2LS20017E42W40403NOSA1】IGBT MODULE 1700V 20A

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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【2PS06017E32G28213NOSA1】IGBT MODULE 1100VDC 325A

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型番：: 2PS06017E32G28213NOSA1

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・IGBTタイプ：-・構成：2独立・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce：-・入力：標準・NTCサーミスタ：あり・動作温度：-2

【2PS12017E34W32132NOSA1】MODULE IGBT STACK A-PS4-1

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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型番：: 2PS12017E34W32132NOSA1

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：-・IGBTタイプ：-・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce：-・入力：標準・NTCサーミスタ：なし・動作温

【2PS12017E44G35911NOSA1】IGBT MODULE 690V 574A 2160W

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・IGBTタイプ：-・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：2160W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.45V @ 15V、300A・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce：-・入力

【2PS13512E43W35222NOSA1】MODULE IGBT STACK A-PS3-1

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1個以上: ￥1,004,039.40(税抜) 税込￥1,104,443.34

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型番：: 2PS13512E43W35222NOSA1

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：PrimeSTACK™・IGBTタイプ：-・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.05V @ 15V、 450A・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ V

【2PS13512E43W39689NOSA1】IGBT MODULE 1200V 900A

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・IGBTタイプ：トレンチ型フィールドストップ・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1200V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce：-・入力：標

【2PS18012E44G38553NOSA1】IGBT MOD 1200V 2560A 5600W

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型番：: 2PS18012E44G38553NOSA1

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：PrimeSTACK™・IGBTタイプ：トレンチ型フィールドストップ・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1200V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：2560A・電力 - 最大：5600W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（

【2PS18012E44G40113NOSA1】IGBT MOD 1200V 2560A 5600W

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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型番：: 2PS18012E44G40113NOSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：PrimeSTACK™・IGBTタイプ：-・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1200V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：2560A・電力 - 最大：5600W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce：-

【50MT060ULS】IGBT MODULE 600V 100A 445W 10MTP

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メーカー名：: VISHAY

型番：: 50MT060ULS

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【仕様】・パッケージング：-・シリーズ：-・IGBTタイプ：-・構成：シングル・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：600V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100A・電力 - 最大：445W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.55V @ 15V、100A・電流 - コレクタ遮断（最大）：250µA・入力静電容量（Cies） @ Vce：

【50MT060WH】IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP

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メーカー名：: VISHAY

型番：: 50MT060WH

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【仕様】・パッケージング：-・シリーズ：-・IGBTタイプ：PT・構成：ハーフブリッジ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：600V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：114A・電力 - 最大：658W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.2V @ 15V、100A・電流 - コレクタ遮断（最大）：400µA・入力静電容量（Cies） @ V

【6MS10017E41W36460BOSA1】IGBT MODULE 1700V 600A

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1個以上: ￥2,510,934.00(税抜) 税込￥2,762,027.40

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型番：: 6MS10017E41W36460BOSA1

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・IGBTタイプ：-・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1700V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce：-・入力：標準・NTCサーミスタ：あり

【6MS16017P43W40382NOSA1】IGBT MODULE 1700V 880A

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型番：: 6MS16017P43W40382NOSA1

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【6MS16017P43W40383NOSA1】IGBT MODULE 1700V 880A

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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型番：: 6MS16017P43W40383NOSA1

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【6MS20017E43W37032NOSA1】IGBT MODULE 1700V 1200A

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1個以上: ￥5,580,536.00(税抜) 税込￥6,138,589.60

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型番：: 6MS20017E43W37032NOSA1

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【6MS20017E43W38170NOSA1】IGBT MODULE 1700V 1200A

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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1個以上: ￥6,342,151.00(税抜) 税込￥6,976,366.10

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型番：: 6MS20017E43W38170NOSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【6MS24017E33W32859NOSA1】IGBT MODULE 9980W STACK A-MS3-1

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型番：: 6MS24017E33W32859NOSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：ModSTACK™ 3・IGBTタイプ：-・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：9980W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce：-・入力：標準・N

【6MS24017E33W32860NOSA1】MODULE IGBT STACK A-MS3-1

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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1個以上: ￥3,956,994.80(税抜) 税込￥4,352,694.27

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型番：: 6MS24017E33W32860NOSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：ModSTACK™ 3・IGBTタイプ：-・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.4V @ 15V、1200A・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vc

【6MS24017P43W39872NOSA1】IGBT MODULE 1700V 1100A

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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型番：: 6MS24017P43W39872NOSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

商品説明

【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：ModSTACK™ 3・IGBTタイプ：-・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1700V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1100A・電力 - 最大：14500W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce：

【6MS24017P43W39873NOSA1】IGBT MODULE 1700V 1100A

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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型番：: 6MS24017P43W39873NOSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【6MS24017P43W41646NOSA1】IGBT MODULE 1700V STACK A-MS3-1

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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1個以上: ￥3,161,041.50(税抜) 税込￥3,477,145.65

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型番：: 6MS24017P43W41646NOSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：ModSTACK™ 3・IGBTタイプ：-・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1700V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce：-・入力：標準・N

【6MS30017E43W34404NOSA1】IGBT MODULE 1700V 4280A

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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1個以上: ￥7,103,208.50(税抜) 税込￥7,813,529.35

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型番：: 6MS30017E43W34404NOSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：ModSTACK™ HD 3・IGBTタイプ：-・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1700V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：4280A・電力 - 最大：32300W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ V

【6MS30017E43W38169NOSA1】IGBT MODULE 1700V 1800A

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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1個以上: ￥6,595,837.00(税抜) 税込￥7,255,420.70

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型番：: 6MS30017E43W38169NOSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【6MS30017E43W40372NOSA1】IGBT MODULE 1700V 1800A

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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1個以上: ￥6,864,187.00(税抜) 税込￥7,550,605.70

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型番：: 6MS30017E43W40372NOSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：ModSTACK™ HD・IGBTタイプ：-・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1700V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1800A・電力 - 最大：29140W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce

【6PS03012E33G34160NOSA1】IGBT MODULE 300V 234A 2100W

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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1個以上: ￥892,417.00(税抜) 税込￥981,658.70

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型番：: 6PS03012E33G34160NOSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・IGBTタイプ：-・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：2100W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2V @ 15V、 300A・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce：-・入力：標

【6PS04512E43G37986NOSA1】IGBT MODULE 1200V 217A

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型番：: 6PS04512E43G37986NOSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【6PS04512E43W39693NOSA1】IGBT MODULE 500V 300A

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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メーカー名：: インフィニオン

型番：: 6PS04512E43W39693NOSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・IGBTタイプ：-・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce：-・入力：標準・NTCサーミスタ：なし・動作温

【6PS18012E4FG35689NWSA1】IGBT MODULE 1200V 729A

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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1個以上: ￥3,069,045.80(税抜) 税込￥3,375,950.37

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型番：: 6PS18012E4FG35689NWSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【6PS18012E4FG38393NWSA1】IGBT MODULE 1200V STACK A-PSF-1

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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1個以上: ￥2,678,368.00(税抜) 税込￥2,946,204.80

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メーカー名：: インフィニオン

型番：: 6PS18012E4FG38393NWSA1

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：PrimeSTACK™・IGBTタイプ：トレンチ型フィールドストップ・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1200V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @

【A1C15S12M3】IGBT MOD 1200V 15A ACEPACK1

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1個以上: ￥5,768.19(税抜) 税込￥6,345.00

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A1C15S12M3

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：-・IGBTタイプ：トレンチ型フィールドストップ・構成：ブレーキ付き3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1200V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：15A・電力 - 最大：142.8W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.45V @ 15V、15A・電流 - コレクタ遮断（最大）：

【A1C15S12M3-F】IGBT MOD 1200V 15A ACEPACK1

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【A1C15S12M3-F】IGBT MOD 1200V 15A ACEPACK1

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A1C15S12M3-F

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【A1P25S12M3】IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1

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【A1P25S12M3】IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A1P25S12M3

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：-・IGBTタイプ：トレンチ型フィールドストップ・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1200V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：25A・電力 - 最大：197W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.45V @ 15V、25A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100µA・入力

【A1P25S12M3-F】IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A1P25S12M3-F

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【A1P35S12M3】IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK1

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A1P35S12M3

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：-・IGBTタイプ：トレンチ型フィールドストップ・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1200V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：35A・電力 - 最大：250W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.45V @ 15V、35A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100µA・入力

【A1P35S12M3-F】IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK1

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A1P35S12M3-F

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【A1P50S65M2】IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1

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【A1P50S65M2】IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1

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1個以上: ￥5,487.50(税抜) 税込￥6,036.25

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A1P50S65M2

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：-・IGBTタイプ：トレンチ型フィールドストップ・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：650V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：50A・電力 - 最大：208W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.3V @ 15V、50A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100µA・入力静電

【A1P50S65M2-F】IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

【A1P50S65M2-F】IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1

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1個以上: ￥5,614.78(税抜) 税込￥6,176.25

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A1P50S65M2-F

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【A2C25S12M3】IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK2

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

【A2C25S12M3】IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK2

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1個以上: ￥7,345.46(税抜) 税込￥8,080.00

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A2C25S12M3

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

商品説明

【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：-・IGBTタイプ：トレンチ型フィールドストップ・構成：ブレーキ付き3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1200V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：25A・電力 - 最大：197W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.45V @ 15V、25A・電流 - コレクタ遮断（最大）：10

【A2C25S12M3-F】IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK2

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

【A2C25S12M3-F】IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK2

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1個以上: ￥7,509.10(税抜) 税込￥8,260.01

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A2C25S12M3-F

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【A2C35S12M3】IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

【A2C35S12M3】IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2

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1個以上: ￥8,098.87(税抜) 税込￥8,908.75

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A2C35S12M3

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

商品説明

【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：-・IGBTタイプ：トレンチ型フィールドストップ・構成：ブレーキ付き3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1200V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：35A・電力 - 最大：250W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.45V @ 15V、35A・電流 - コレクタ遮断（最大）：10

【A2C35S12M3-F】IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

【A2C35S12M3-F】IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2

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1個以上: ￥8,217.05(税抜) 税込￥9,038.75

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A2C35S12M3-F

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【A2C50S65M2】IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

【A2C50S65M2】IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2

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1個以上: ￥7,652.28(税抜) 税込￥8,417.50

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A2C50S65M2

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：-・IGBTタイプ：トレンチ型フィールドストップ・構成：ブレーキ付き3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：650V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：50A・電力 - 最大：208W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.3V @ 15V、50A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100µ

【A2C50S65M2-F】IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

【A2C50S65M2-F】IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2

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1個以上: ￥7,769.32(税抜) 税込￥8,546.25

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A2C50S65M2-F

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【A2P75S12M3】IGBT MOD 1200V 75A ACEPACK2

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

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1個以上: ￥9,511.37(税抜) 税込￥10,462.50

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A2P75S12M3

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：-・IGBTタイプ：トレンチ型フィールドストップ・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1200V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：75A・電力 - 最大：454.5W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.3V @ 15V、75A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100µA・入

【A2P75S12M3-F】IGBT MOD 1200V 75A ACEPACK2

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

【A2P75S12M3-F】IGBT MOD 1200V 75A ACEPACK2

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1個以上: ￥9,652.28(税抜) 税込￥10,617.50

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メーカー名：: STマイクロエレクトロニクス

型番：: A2P75S12M3-F

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【APT100GF60JU2】IGBT MOD 600V 120A 416W SOT227

半導体 > ディスクリート半導体製品（Digi-Key） > トランジスタ - IGBT - モジュール

【APT100GF60JU2】IGBT MOD 600V 120A 416W SOT227

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メーカー名：: Microchip

型番：: APT100GF60JU2

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品質ランク：: S1(Digi-Key)

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【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・IGBTタイプ：NPT・構成：シングル・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：600V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：120A・電力 - 最大：416W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.5V @ 15V、100A・電流 - コレクタ遮断（最大）：250µA・入力静電容量（Cies） @ V