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トランジスタ - JFET

検索結果 854件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 854
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @
    1,087.68 税込¥1,196.44
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):14 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:14 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @
    185.72 税込¥204.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 10
    151.43 税込¥166.57
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):200 µA @ 20 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV
    137.15 税込¥150.86
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):200 mV
    268.58 税込¥295.43
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:J201・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):200 µA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:10 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV @
    1,135.62 税込¥1,249.18
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 1 µA・Vds印加時
    122.86 税込¥135.14
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):200 µA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV @ 1
    75.65 税込¥83.21
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:J202・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):900 µA @ 20 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):800 mV @ 10 nA・
    1,158.91 税込¥1,274.80
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1.2 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):400 mV @ 100
    168.58 税込¥185.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):5 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 10 nA・Vd
    13.17 税込¥14.48
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):14 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:14 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @
    30.37 税込¥33.40
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 10 nA・Vd
    27.97 税込¥30.76
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2.6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:6.5 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):400 m
    157.15 税込¥172.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 10 nA・
    11.87 税込¥13.05
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):14 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:14 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @
    175.72 税込¥193.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):7 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):3 V @ 10 nA・
    157.15 税込¥172.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小5,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 10 nA・Vds印加
    20.75 税込¥22.82
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1.2 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):400 mV @ 100 n
    168.58 税込¥185.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):5 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 1 µA・Vds印加時の入力
    135.72 税込¥149.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):7 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):3 V @ 10 nA・
    19.11 税込¥21.02
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):750 mV @ 1 µA・Vds印加時
    29.08 税込¥31.98
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):5 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 1 µA・V
    115.72 税込¥127.29
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):14 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:14 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @
    175.72 税込¥193.29
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:LSK389・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:10 mA・電圧 - Id印加時の遮断
    2,334.12 税込¥2,567.53
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:LSJ74C・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):10 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:10 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):150 mV
    2,031.77 税込¥2,234.94
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1.2 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):200 mV
    268.58 税込¥295.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 10 nA・Vds印加
    47.50 税込¥52.25
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    最小100個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):25 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):4 V @ 1 nA・Vds印加
    13,525.95 税込¥14,878.54
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):20 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):300 µA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):8 V @ 10 µ
    13.69 税込¥15.05
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱入りテープ(TB)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 10 n
    11.87 税込¥13.05
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):20 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):3 V @ 1 µA・Vds印加時の入
    108.58 税込¥119.43
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):600 µA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:6.5 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):400 m
    164.29 税込¥180.71
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1.5 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):800 mV @ 1
    19.92 税込¥21.91
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 10 nA・
    11.87 税込¥13.05
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 1 µ
    115.72 税込¥127.29
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2.6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @ 100
    215.72 税込¥237.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小6,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 1 µA・V
    20.26 税込¥22.28
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    最小100個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):15 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):3 V @ 1 nA・Vds印加
    11,162.73 税込¥12,279.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2.6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:6.5 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):400 m
    26.44 税込¥29.08
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):7 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):3 V @ 10 nA・V
    128.58 税込¥141.43
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:LSK170B・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:10 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):200 mV
    1,460.50 税込¥1,606.55
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @
    466.40 税込¥513.04
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @
    1,087.68 税込¥1,196.44
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:25 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入力静電容量(Ci
    1,991.77 税込¥2,190.94
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):5 mA @ 20 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):5 V @ 1 µA・V
    17.63 税込¥19.39
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @ 100 nA・Vds印
    416.80 税込¥458.48
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):650 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:85 A・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)
    5,040.00 税込¥5,544.00
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    最小100個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):100 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):6 V @ 500 pA・Vd
    11,729.03 税込¥12,901.93
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:LSK589・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):7 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):
    2,318.83 税込¥2,550.71
DigiReelの説明
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