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トランジスタ - JFET

検索結果 1,171件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 1,171
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @
    984.94 税込¥1,083.43
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バッグ・シリーズ:LSK489・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):60 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2.5 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V
    1,608.44 税込¥1,769.28
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):20 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.8 V
    128.58 税込¥141.43
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):14 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:14 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @
    124.29 税込¥136.71
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):15 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):10 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV @
    148.58 税込¥163.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 10
    124.29 税込¥136.71
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 1 µ
    91.43 税込¥100.57
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:J201・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):200 µA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:10 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV @
    1,060.28 税込¥1,166.30
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 1 µA・Vds印加時
    95.72 税込¥105.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):4 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):700 mV @ 1 nA・Vds印加時
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バッグ・シリーズ:LSK489・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):60 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2.5 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V
    1,608.44 税込¥1,769.28
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):5 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 10 nA・Vd
    12.28 税込¥13.50
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):200 mV
    41.83 税込¥46.01
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):20 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):600 m
    36.34 税込¥39.97
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):20 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):600 mV
    160.00 税込¥176.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):20 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):600 m
    160.00 税込¥176.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):20 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):3 V @ 1 µA・Vds印加時の入
    95.72 税込¥105.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 10 nA・Vd
    26.09 税込¥28.69
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):7 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):3 V @ 10 nA・
    135.72 税込¥149.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱入りテープ(TB)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 10 n
    11.20 税込¥12.32
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):200 µA @ 20 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV @ 10 nA・
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1.2 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):200 mV
    221.43 税込¥243.57
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 10 nA・
    11.20 税込¥12.32
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 10 nA・
    117.15 税込¥128.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):20 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ
    245.72 税込¥270.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):7 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):3 V @ 10 nA・
    26.43 税込¥29.07
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:LSK389・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2.6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:10 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ
    2,824.71 税込¥3,107.18
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 10 nA・
    11.20 税込¥12.32
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):600 µA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:6.5 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):400 mV
    141.43 税込¥155.57
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):200 mV @
    210.00 税込¥231.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1.5 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):800 mV @ 1
    61.43 税込¥67.57
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @
    124.29 税込¥136.71
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):15 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):10 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):200 mV @
    21.03 税込¥23.13
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 10 nA・Vds印加
    44.31 税込¥48.74
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:LSK389・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):17 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV
    2,542.36 税込¥2,796.59
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):15 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):15 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):32 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V
    121.43 税込¥133.57
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):200 mV
    210.00 税込¥231.00
  • メーカー名:
    Central Semiconductor Corp
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 10 nA・Vd
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:J174・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-
    1,224.00 税込¥1,346.40
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):600 µA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:6.5 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):400 m
    141.43 税込¥155.57
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):30 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):600 mV @ 100 nA・Vds
    13.17 税込¥14.48
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):14 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:14 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @
    124.29 税込¥136.71
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):20 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオ
    58.78 税込¥64.65
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):200 µA @ 20 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV
    100.00 税込¥110.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):14 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:14 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @
    137.15 税込¥150.86
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:LSK170C・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):10 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:10 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):200 mV
    1,314.11 税込¥1,445.52
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):20 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.8 V
    128.58 税込¥141.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):60 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):600 mV @ 10 nA・Vds印
    13.17 税込¥14.48
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):30 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):600 mV @ 100 nA・Vds
    13.17 税込¥14.48
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小5,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 10 nA・Vds印加
    19.36 税込¥21.29
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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DigiReelの説明
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