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トランジスタ - JFET

検索結果 865件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 865
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):650 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:85 A・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)
    3,925.89 税込¥4,318.47
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):20 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):600 m
    221.43 税込¥243.57
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):14 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:14 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @
    170.00 税込¥187.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 1 µA・Vds印加時
    121.43 税込¥133.57
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):5 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 1 µA・Vds印加時の入力
    132.86 税込¥146.14
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1.2 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:6.5 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):400 m
    148.58 税込¥163.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):7 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):3 V @ 10 nA・
    154.29 税込¥169.71
  • メーカー名:
    Central Semiconductor Corp
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):750 mV @ 1 µA・Vds印加時
    73.60 税込¥80.96
  • メーカー名:
    Navitas Semiconductor Inc.
    型番:
    出荷予定日:
    最小90個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1.7 kV・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):500 nA @ 1.7 kV・電流ドレイン(Id) - 最大:100 A・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の
    29,149.77 税込¥32,064.74
  • メーカー名:
    Navitas Semiconductor Inc.
    型番:
    出荷予定日:
    最小150個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1.2 kV・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):10 µA @ 1.2 kV・電流ドレイン(Id) - 最大:100 A・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入
    13,839.37 税込¥15,223.30
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):1200 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1.2 kV・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):300 µA @ 1.2 kV・電流ドレイン(Id) - 最大:120 A・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vd
    11,239.09 税込¥12,362.99
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):5 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 10 nA・Vd
    12.91 税込¥14.20
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1.5 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):800 mV @ 1
    18.73 税込¥20.60
  • メーカー名:
    Central Semiconductor Corp
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):25 mA @ 20 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):2 V @ 1 nA・Vds印加時の入
    934.73 税込¥1,028.20
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 1 µ
    107.15 税込¥117.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):1200 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:63 A・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入力静電容量(Cis
    5,452.88 税込¥5,998.16
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):650 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:32 A・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)
    2,165.89 税込¥2,382.47
  • メーカー名:
    Navitas Semiconductor Inc.
    型番:
    出荷予定日:
    最小870個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1.2 kV・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):100 nA @ 1.2 kV・電流ドレイン(Id) - 最大:25 A・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入
    1,945.49 税込¥2,140.03
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):600 µA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:6.5 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):400 m
    148.58 税込¥163.43
  • メーカー名:
    Navitas Semiconductor Inc.
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:20 A・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):
    38,129.79 税込¥41,942.76
  • メーカー名:
    Navitas Semiconductor Inc.
    型番:
    出荷予定日:
    最小150個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1.7 kV・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):100 nA @ 1.7 kV・電流ドレイン(Id) - 最大:45 A・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入
    13,692.05 税込¥15,061.25
  • メーカー名:
    Navitas Semiconductor Inc.
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:20 A・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):
    40,296.18 税込¥44,325.79
  • メーカー名:
    Navitas Semiconductor Inc.
    型番:
    出荷予定日:
    最小510個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1.2 kV・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 µA @ 1.2 kV・電流ドレイン(Id) - 最大:45 A・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入力静
    3,890.97 税込¥4,280.06
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 10 nA・Vd
    27.42 税込¥30.16
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):200 mV
    247.15 税込¥271.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):20 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.8 V
    165.72 税込¥182.29
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2.6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:6.5 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):400 mV
    141.43 税込¥155.57
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:LSK170B・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:10 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):200 mV
    1,432.24 税込¥1,575.46
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):200 mV
    43.96 税込¥48.35
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):20 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):3 V @ 1 µA・Vds印加時の入
    107.15 税込¥117.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱入りテープ(TB)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 10 n
    11.64 税込¥12.80
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:J201・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):200 µA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:10 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV @
    1,113.70 税込¥1,225.07
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小33,334個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):20 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):100 µA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:1 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):600 mV @ 1 µA・Vd
    2.38 税込¥2.61
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2.6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):400 mV @ 100
    164.29 税込¥180.71
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:25 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入力静電容量(Ci
    1,824.71 税込¥2,007.18
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):200 µA @ 20 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV
    125.72 税込¥138.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):1 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 10
    140.00 税込¥154.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):15 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):15 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):32 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):700 m
    221.43 税込¥243.57
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:LSK389・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2.6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:10 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ
    2,969.42 税込¥3,266.36
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):200 µA @ 20 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV
    20.84 税込¥22.92
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):15 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):10 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV @
    200.00 税込¥220.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):200 mV @ 100 nA
    275.72 税込¥303.29
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @ 100 nA・Vds印加
    1,312.00 税込¥1,443.20
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):7 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):3 V @ 10 nA・V
    118.58 税込¥130.43
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @ 100 n
    197.15 税込¥216.86
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):24 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V
    558.34 税込¥614.17
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):30 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):5 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 1
    102.86 税込¥113.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):15 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):15 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):32 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):700 mV
    221.43 税込¥243.57
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):50 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):300 µA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:6.5 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):400 mV
    154.29 税込¥169.71
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):200 mV @
    247.15 税込¥271.86
DigiReelの説明
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