トランジスタ - JFET

【仕様】・パッケージング：Digi-Reel®・シリーズ：174DFN・FETタイプ：Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：30 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：20 mA @ 15 V・電流ドレイン（Id） - 最大：50 mA・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ

【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：174DFN・FETタイプ：Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：30 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：20 mA @ 15 V・電流ドレイン（Id） - 最大：50 mA・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオ

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：Military, MIL-PRF-19500/295・FETタイプ：Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：30 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：1 mA @ 5 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・抵抗 - RDS

【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・

【仕様】・パッケージング：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：30 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：2 mA @ 5 V・電流ドレイン（Id） - 最大：10 mA・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：750 mV @ 1 A・Vd

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：Military, MIL-PRF-19500/375・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：50 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：2.5 mA @ 15 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：Military, MIL-PRF-19500/375・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：30 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：20 mA @ 15 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・抵抗 - RDS

【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・抵抗 - RDS

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：30 mA @ 20 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：30 mA @ 20 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容

【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：30 mA @ 20 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：15 mA @ 20 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：15 mA @ 20 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容

【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：15 mA @ 20 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：8 mA @ 20 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量

【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：8 mA @ 20 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：50 mA @ 20 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：4 V @ 1 nA・Vds印加時

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：150 mA @ 20 V・電流ドレイン（Id） - 最大：100 pA・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：10 V @ 1 nA

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・抵抗 - RDS

【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・抵抗 - RDS

【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・抵抗 - RDS

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：25 mA @ 20 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：2 V @ 1 nA・Vds印加時

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：2N4392・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：25 mA @ 20 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：2 V @ 1 nA・V

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・抵抗 - RDS

【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・抵抗 - RDS

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：5 mA @ 20 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：500 mV @ 1 nA・Vds印

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：2N4393・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：5 mA @ 20 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：500 mV @ 1 nA

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・抵抗 - RDS

【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・抵抗 - RDS

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・抵抗 - RDS

【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・抵抗 - RDS

【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：Military, MIL-PRF-19500/385・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：175 mA @ 15 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・抵抗 - RDS

【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：Military, MIL-PRF-19500/385・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：100 mA @ 15 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・抵抗 - RDS

【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：8 mA @ 15 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：4 V @ 500 pA・Vd

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：8 mA @ 15 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：800 mV @ 0.5 nA・Vd

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・抵抗 - RDS

【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：*・FETタイプ：-・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・