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半導体  [ メーカー:インフィニオン ]の検索結果

検索結果 48,787件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™ Gen 2・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):103A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.2ミリオーム @
    3,111.77 税込¥3,422.94
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・プロトコル:USB・機能:ブリッジ、USB~UART・インターフェース:UART・標準:USB 2.0・電圧 - 供給:1.71V~5.5V・電流 - 供給:20mA・動作温度:-40°C~85°C・パッケージ/ケース:28-SSOP(幅0.209インチ、5.30mm)・サ
    770.84 税込¥847.92
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:F-RAM™・DigiKeyプログラマブル:検証済み・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:FRAM・技術:FRAM(強誘電体RAM)・メモリサイズ:64Kビット・メモリ構成:8K x 8・メモリインターフェース:I2C・クロック周波数:1 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-・アクセス時間
    511.43 税込¥562.57
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    インフィニオン
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    2363-00
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    15個
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    【仕様】・内容:HIGH AND LOW SIDE DRIVER・パッケージ:DIP14・動作電圧:・機能1:Voffset 600V(max)・機能2:Gate drive supply range 10 ~ 20V・機能3:logic supply range3.3V ~ 20V・動作温度:-40℃~+125℃
    1,659.00 税込¥1,824.00
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):4.7V・周波数 - トランジション:46GHz・雑音指数(fあたりの標準dB):0.6dB~2dB @ 150MHz~10GHz・ゲイン:7dB~30dB・電力 - 最大:200mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(
    114.29 税込¥125.71
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:12V~18V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.2V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):1.6A、3.3A・入力タイプ:非反転・ハイ
    722.23 税込¥794.45
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・タイプ:トランシーバ・プロトコル:CANbus・ドライバ/レシーバ数:1/1・デュプレックス:-・受信機ヒステリシス:-・データレート:-・電圧 - 供給:4.5V~5.5V・動作温度:-40°C~150°C(TJ)・グレード:自動車・認定:AEC-Q100・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:8-S
    381.43 税込¥419.57
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・RFタイプ:Bluetooth、UWB、WiFi、WLAN・トポロジ:反射型・回路:SPDT・周波数範囲:50MHz~9GHz・絶縁:22dB・挿入損失:1.12dB・テスト周波数:9GHz・P1dB:-・IIP3:70dBm・特長:DC阻止・インピーダンス:50オーム・電圧 - 供給:1.65V~3.6V・
    61.43 税込¥67.57
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):120A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時の
    763.89 税込¥840.27
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):4V・電流 - 最大:110 mA・Vr、F印加時の静電容量:0.35pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗:-・電力散逸(最大):100 mW・動作温度:150°C(TJ)・グレード:-・認定:-・パッケージ/ケース:SC
    180.00 税込¥198.00
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):290mA、600mA・入力タ
    191.43 税込¥210.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:5V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.9V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):200mA、350mA・入力タイ
    312.86 税込¥344.14
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):65A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 46A、10V・Id印加時の
    673.62 税込¥740.98
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EZ-PD™ CCG5・DigiKeyプログラマブル:未検証・用途:USB Type C・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M0・プログラムメモリタイプ:フラッシュ(128kB)・コントローラシリーズ:-・RAMサイズ:12K x 8・インターフェース:I2C、SPI、UART/USART、USB・I/O
    1,168.50 税込¥1,285.35
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:F-RAM™・DigiKeyプログラマブル:検証済み・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:FRAM・技術:FRAM(強誘電体RAM)・メモリサイズ:64Kビット・メモリ構成:8K x 8・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:130ns・アクセス時間:-・電圧
    1,289.34 税込¥1,418.27
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):36A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):26.5ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    174.29 税込¥191.71
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolMOS™ P6・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):380ミリオーム @
    438.58 税込¥482.43
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大
    254.29 税込¥279.71
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 10A
    157.15 税込¥172.86
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    347.15 税込¥381.86
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.4A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs(
    397.15 税込¥436.86
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TRENCHSTOP™・IGBTタイプ:トレンチ型フィールドストップ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1200 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):60 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):90 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.85V @ 15V、30A・電力 - 最大:330 W
    822.23 税込¥904.45
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):40V・電圧 - 出力(最小/固定):5V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):0.5V @ 250mA・電流 - 出力:400mA・電流 - 静止(Iq):75 µA・電流 - 供給(最大):80 µA・
    315.72 税込¥347.29
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・DigiKeyプログラマブル:-・駆動構成:ハイサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:8V~125V・論理電圧 - VIL、VIH:1V、1.15V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-、1A・入力タイプ:非反
    350.00 税込¥385.00
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    インフィニオン
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    2552-10
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    1,542個
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:TO-220Full-Pak・構造:・VDSS:55V・ID:14A・Pc(Tc=25℃):29W・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):70mΩ(Vgs=10V Id=7.8A)・Qg:20nC (最大)・Td(on):4.9ns (標準) (Vdd=28V Id=10A Rg=24Ω)・コンプリ:・用途:・入数:1個・備考
    289.00 税込¥317.00
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):180mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.5オーム @ 1
    54.29 税込¥59.71
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    即納在庫数:
    94個
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    HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
    41.00 税込¥45.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSIC™ M1・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):34ミリオーム @ 38.3A、18V・
    2,382.36 税込¥2,620.59
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):150A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.5ミリオーム @
    758.34 税込¥834.17
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:PROFET®・スイッチタイプ:汎用・出力数:4・レシオ - 入力:出力:1:1・出力構成:ハイサイド・出力タイプ:Nチャンネル・インターフェース:オン/オフ・電圧 - 負荷:5.5V~40V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):不要・電流 - 出力(最大):2.3A・Rds On(標準):110ミリオーム・入力タ
    380.40 税込¥418.44
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハイサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:6V、9.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):250mA、500mA・入力タイプ:反転・ハイサ
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:MERUS™・タイプ:クラスD・出力タイプ:2チャンネル(ステレオ)・負荷時の最大出力 x チャンネル数:40W x 2 @ 4オーム・電圧 - 供給:4V~18V・特長:デジタル入力、I2C、ミュート、短絡および熱保護、不足電圧、音量制御・取り付けタイプ:面実装・動作温度:0°C~85°C(TA)・グレード:-
    455.57 税込¥501.12
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):11ミリオーム @ 2
    341.43 税込¥375.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):45A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):20ミリオーム @ 13.5A、6V・Id印加
    1,206.85 税込¥1,327.53
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):360A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.4ミリオーム @ 10
    1,272.00 税込¥1,399.20
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 6・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):26A(Ta)、264A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V、15V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.4
    1,815.30 税込¥1,996.83
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:PROFET®・スイッチタイプ:汎用・出力数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・出力構成:ハイサイド・出力タイプ:Nチャンネル・インターフェース:オン/オフ・電圧 - 負荷:5.5V~38V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):不要・電流 - 出力(最大):9.5A・Rds On(標準):7ミリオーム・入力タイプ:非反転・特長
    1,045.21 税込¥1,149.73
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:CY7C・タイプ:トランシーバ・プロトコル:HOTlink™・ドライバ/レシーバ数:1/1・デュプレックス:フル・受信機ヒステリシス:-・データレート:-・電圧 - 供給:4.5V~5.5V・動作温度:-55°C~125°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:100-LQFP・サプライヤデバイス
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):1.9A、2.3A・入力タイプ:
    480.00 税込¥528.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小5,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・IGBTタイプ:-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):-・電流 - コレクタ(Ic)(最大):-・電流 - パルス形コレクタ(Icm):-・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:-・電力 - 最大:-・スイッチングエネルギー:-・入力タイプ:-・ゲート充電:-・25°CでのTd(オン/オフ
    304.51 税込¥334.96
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):293A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.26ミリオーム
    943.06 税込¥1,037.36
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:MERUS™・タイプ:クラスD・出力タイプ:2チャンネル(ステレオ)・負荷時の最大出力 x チャンネル数:40W x 2 @ 4オーム・電圧 - 供給:4V~18V・特長:デジタル入力、I2C、ミュート、短絡および熱保護、不足電圧、音量制御・取り付けタイプ:面実装・動作温度:0°C~85°C(TA)・グレード:-
    1,337.18 税込¥1,470.89
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・
    775.00 税込¥852.50
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):40ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時の
    1,100.00 税込¥1,210.00
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・タイプ:トランシーバ・プロトコル:LINbus・ドライバ/レシーバ数:1/1・デュプレックス:-・受信機ヒステリシス:120 mV・データレート:20kbps・電圧 - 供給:5.5V~27V・動作温度:-40°C~150°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:8-SOIC(
    281.43 税込¥309.57
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):64A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8ミリオーム @ 34A、10V・Id印加時のVg
    759.73 税込¥835.70
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    最小1,980個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.7V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):1.9A、2.3A・入力タイプ:反転、非反転
    393.73 税込¥433.10
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):540mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):650ミリオーム @
    50.00 税込¥55.00
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.7V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):1.9A、2.3A・入力タイプ:反転、非反転
    1,360.50 税込¥1,496.55
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.9V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):200mA、350mA・入力タイプ:非反転・
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