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半導体  [ メーカー:インフィニオン ]の検索結果

検索結果 49,860件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
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    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EZ-USB FX2LP™・DigiKeyプログラマブル:未検証・用途:USBマイクロコントローラ・コアプロセッサ:8051・プログラムメモリタイプ:ROMなし・コントローラシリーズ:CY7C680xx・RAMサイズ:16K x 8・インターフェース:I2C、USB、USART・I/O数:24・電圧 - 供給:3
    3,180.00 税込¥3,498.00
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.7A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):455ミリオーム @ 2A、18V
    1,189.05 税込¥1,307.95
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TRENCHSTOP™ 5・IGBTタイプ:トレンチ型フィールドストップ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):80 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):200 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.7V @ 15V、50A・電力 -
    858.34 税込¥944.17
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):210mA、360mA・入力タイプ:非反転・ハイ
    691.67 税込¥760.83
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハイサイドまたはローサイド・チャンネルタイプ:-・ドライバ数:-・ゲートタイプ:-・電圧 - 供給:-・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:-・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-・立ち上がり/立
    167.15 税込¥183.86
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    インフィニオン
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    自社在庫数:
    130個
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    低ドロップアウト電圧トラッキングレギュレータOPTIREGリニアシリーズのTLE4250-2Gは、優れた耐熱性を備えた小型SMDパッケージ(PG-SCT595-5)に収められたモノリシック統合型低ドロップアウト電圧レギュレータです。車載環境でオフボード負荷に電力を供給するように設計されています。このIC には、過負荷、過熱、逆極性、バッテリーとグランドへの出力短絡が発
    137.00 税込¥150.00
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):290mA、600mA・入力タ
    228.58 税込¥251.43
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・技術:磁気性カップリング・チャンネル数:1・電圧 - 絶縁:5700Vrms・コモンモード過渡耐性(最小):-・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):38ns、38ns・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):-・電流 - 出力高、低:5A、9A・電流 - ピーク出力:
    368.58 税込¥405.43
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:6V、9.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):3A、3A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧
    880.56 税込¥968.61
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:PSOC™ 4 CY8C4100・DigiKeyプログラマブル:未検証・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M0・コアサイズ:32ビットシングルコア・速度:24MHz・接続性:I2C、IrDA、LINbus、Microwire、スマートカード、SPI、SSP、UART/USART・ペリフェラル:電圧低下検出/リセット、L
    591.67 税込¥650.83
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.2ミリオーム @ 40A、10V・I
    128.58 税込¥141.43
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolMOS™ P7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):800 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2オーム @ 1.7A、10V・I
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ P2・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):90A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.1ミリオーム @ 90A、10
    528.58 税込¥581.43
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):65A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 46A、10V・Id印加時の
    634.73 税込¥698.20
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PROFET®・スイッチタイプ:汎用・出力数:2・レシオ - 入力:出力:1:1・出力構成:ハイサイド・出力タイプ:Nチャンネル・インターフェース:論理・電圧 - 負荷:2.7V~28V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):2.7V~28V・電流 - 出力(最大):-・Rds On(標準):50ミリオーム・入力タイ
    317.15 税込¥348.86
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OPTIGA™ TPM・DigiKeyプログラマブル:未検証・用途:トラステッドプラットフォームモジュール(TPM)・コアプロセッサ:16ビット・プログラムメモリタイプ:NVM(7.04kB)・コントローラシリーズ:-・RAMサイズ:-・インターフェース:LPC・I/O数:1・電圧 - 供給:3V~3.6V・動作
    843.06 税込¥927.36
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    271.43 税込¥298.57
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolGaN™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):21A(Ta)、76A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.3ミリオーム
    658.34 税込¥724.17
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 5.
    77.15 税込¥84.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):110A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8ミリオーム @ 62A、10V・Id印加時のV
    314.29 税込¥345.71
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):45ミリオーム @ 4
    90.00 税込¥99.00
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 3
    87.15 税込¥95.86
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):260A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.95ミリオーム @ 60A、10V
    351.43 税込¥386.57
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):120A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時のV
    722.23 税込¥794.45
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・DigiKeyプログラマブル:-・駆動構成:ハイサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:8V~125V・論理電圧 - VIL、VIH:1V、1.15V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-、1A・入力タイプ:非反
    330.00 税込¥363.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオード構成:1組直列接続・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):200mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):800 mV @ 100 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間
    68.58 税込¥75.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:-・チャンネル数:-・電圧 - 絶縁:-・コモンモード過渡耐性(最小):-・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):-・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):-・電流 - 出力高、低:-・電流 - ピーク出力:-・電圧 - 順方向(Vf)(標準):-・電流 - DC順方向(If)(最
    335.72 税込¥369.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・周波数:1.55GHz~1.615GHz・P1dB:-16dBm・ゲイン:20dB・雑音指数:0.65dB・RFタイプ:GPS/GNSS・電圧 - 供給:1.5V~3.6V・電流 - 供給:3.6mA・テスト周波数:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:6-XFDFN・サプラ
    85.72 税込¥94.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):70ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のV
    95.72 税込¥105.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    箱番号:
    2552-10
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    1,628個
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:TO-220Full-Pak・構造:・VDSS:55V・ID:14A・Pc(Tc=25℃):29W・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):70mΩ(Vgs=10V Id=7.8A)・Qg:20nC (最大)・Td(on):4.9ns (標準) (Vdd=28V Id=10A Rg=24Ω)・コンプリ:・用途:・入数:1個・備考
    274.00 税込¥301.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):115ミリオーム @ 10A、10
    188.58 税込¥207.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    提携先在庫数:100個(2025/06/16 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流2.6 A最大ドレイン-ソース間電圧20 VパッケージタイプSOT-23実装タイプ表面実装ピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗236 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧1.1V最低ゲートしきい値電圧0.4V最大パワー消費1.3 Wトランジ
    83.00 税込¥91.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 10A、10V・Id
    284.29 税込¥312.71
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    232個
    商品説明
    HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
    41.00 税込¥45.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    31個
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:TO-220Full-Pak・構造:・VDSS:・ID:14A・Pc(Tc=25℃):29W・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):71mΩ(Vgs=10V Id=7.8A)・Qg:20nC (最大)・Td(on):4.7ns (標準) (Vdd=28V Id=10A Rg=24Ω)・コンプリ:・用途:・入数:1個・備考:●全
    280.00 税込¥308.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    439個
    商品説明
    極めて低いオン抵抗を実現した55V/19AのPチャネルパワーMOSFETです。約50Wまでのアプリケーションに適した低熱抵抗でコストパフォーマンスのよいパッケージで提供されます。●特長・100kHz以下のスイッチングアプリケーションに最適化・大電流に対応したパッケージ・ウェーブはんだ付けが可能・業界標準の表面実装パワーパッケージを採用●仕様ID(ドレイン電流) @25
    186.00 税込¥204.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):195A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.4ミリオーム @ 165A、10V
    804.17 税込¥884.58
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:EconoDUAL™ 3・IGBTタイプ:トレンチ型フィールドストップ・構成:ハーフブリッジ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1200 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):900 A・電力 - 最大:-・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.8V @ 15V、900A・電流 - コレクタ遮断(最大)
    32,938.71 税込¥36,232.58
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™+・技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1200 V・電流 - 平均整流(Io):2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.65 V @ 2 A・速度:回復時間なし > 500mA(Io)・逆回復時間(trr):0 ns・電流 -
    616.67 税込¥678.33
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TRENCHSTOP™・IGBTタイプ:NPTおよびトレンチ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1200 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):50 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):75 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2V @ 15V、25A・電力 - 最大:231 W・スイッチング
    880.56 税込¥968.61
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 6・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):12.8A(Ta)、95A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V、15V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7
    834.73 税込¥918.20
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:EiceDRIVER™・技術:磁気性カップリング・チャンネル数:2・電圧 - 絶縁:5700Vrms・コモンモード過渡耐性(最小):150V/ns・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):38ns、38ns・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):-・電流 - 出力高、低:9A、5A・電流 - ピ
    368.58 税込¥405.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,300個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:EZ-USB FX2LP™・DigiKeyプログラマブル:未検証・用途:USBマイクロコントローラ・コアプロセッサ:8051・プログラムメモリタイプ:ROMなし・コントローラシリーズ:CY7C680xx・RAMサイズ:16K x 8・インターフェース:I2C、USB、USART・I/O数:24・電圧 - 供給:3V~3.6V・動
    4,403.53 税込¥4,843.88
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ Powerstage・出力構成:-・用途:-・インターフェース:-・負荷タイプ:-・技術:-・Rds On(標準):-・電流 - 出力/チャンネル:-・電流 - ピーク出力:-・電圧 - 供給:4.25V~16V・電圧 - 負荷:-・動作温度:-40°C~125°C・グレード:-・認定:-・特長
    961.65 税込¥1,057.81
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:EZ-USB FX2LP™・DigiKeyプログラマブル:未検証・用途:USBマイクロコントローラ・コアプロセッサ:8051・プログラムメモリタイプ:ROMなし・コントローラシリーズ:CY7C680xx・RAMサイズ:16K x 8・インターフェース:I2C、USB、USART・I/O数:24・電圧 - 供給:3V~3.6V・
    4,060.00 税込¥4,466.00
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    最小2,500個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・タイプ:トランシーバ・プロトコル:CANbus・ドライバ/レシーバ数:1/1・デュプレックス:ハーフ・受信機ヒステリシス:-・データレート:8Mbps・電圧 - 供給:3.3V、5V・動作温度:-40°C~125°C・グレード:自動車・認定:AEC-Q100・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:8-S
    134.18 税込¥147.59
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):4A、4A・入力タイプ:CMOS
    417.15 税込¥458.86
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TRENCHSTOP™・IGBTタイプ:トレンチ型フィールドストップ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):160 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):480 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.65V @ 15V、120A・電力 - 最大:498
    1,963.53 税込¥2,159.88
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):12V・周波数 - トランジション:6GHz・雑音指数(fあたりの標準dB):1.5dB~2.6dB @ 900MHz~1.8GHz・ゲイン:10.5dB~15.5dB・電力 - 最大:300mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン
    55.72 税込¥61.29
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:XPhase3™・用途:多相コントローラ・電流 - 供給:10mA・電圧 - 供給:4.75V~7.5V・動作温度:0°C~100°C(TJ)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:32-VFQFN露出パッド・サプライヤデバイスパッケージ:32-MLPQ(5x5)
    1,329.34 税込¥1,462.27
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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DigiReelの説明
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