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半導体  [ メーカー:インフィニオン ]の検索結果

検索結果 36,528件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.7ミリオーム @
    950.00 税込¥1,045.00
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CIPOS™・タイプ:IGBT・構成:3相・電流:30 A・電圧:600 V・電圧 - 絶縁:2000Vrms・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:スルーホール・パッケージ/ケース:24-PowerDIPモジュール(1.028インチ、26.10mm)
    3,895.30 税込¥4,284.83
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:12V~18V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.2V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):1.6A、3.3A・入力タイプ:非反転・ハイ
    818.06 税込¥899.86
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):35A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):74ミリオーム @ 16.7A、18V・Id印
    1,584.15 税込¥1,742.56
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給:20V・論理電圧 - VIL、VIH:-、1.65V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):4A、8A・入力タイプ:非反転
    768.06 税込¥844.86
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:EZ-PD™ CCG2・DigiKeyプログラマブル:未検証・用途:USB Type C・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M0・プログラムメモリタイプ:フラッシュ(32KB)・コントローラシリーズ:-・RAMサイズ:4K x 8・インターフェース:I2C、SPI、UART/USART、USB・I/O数:14・電圧 -
    418.58 税込¥460.43
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:F-RAM™・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:FRAM・技術:FRAM(強誘電体RAM)・メモリサイズ:256Kビット・メモリ構成:32K x 8・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:130ns・アクセス時間:-・電圧
    2,869.42 税込¥3,156.36
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):15V・周波数 - トランジション:5GHz・雑音指数(fあたりの標準dB):1.4dB~2dB @ 900MHz~1.8GHz・ゲイン:10.5dB~16dB・電力 - 最大:280mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE
    72.86 税込¥80.14
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):4V・電流 - 最大:110 mA・Vr、F印加時の静電容量:0.35pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗:-・電力散逸(最大):100 mW・動作温度:150°C(TJ)・グレード:-・認定:-・パッケージ/ケース:04
    138.58 税込¥152.43
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):35A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):39ミリオーム @ 21A、10V・Id印加時の
    488.58 税込¥537.43
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:3層・ドライバ数:6・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.2V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):250mA、500mA・入力タ
    1,662.66 税込¥1,828.92
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハイサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:6V、9.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):250mA、500mA・入力タイプ:非反転・ハイ
    510.00 税込¥561.00
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):290mA、600mA・入力タイプ:非反転・
    440.00 税込¥484.00
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    14個
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    【仕様】・パッケージ:14Lead PDIP・機能:HIGH AND LOW SIDE DRIVER・動作電圧:10V〜20V
    684.00 税込¥752.00
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):290mA、600mA・入力タイプ:非反
    217.15 税込¥238.86
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    提携先在庫数:77個(2026/03/30 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲー
    387.00 税込¥425.00
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:F-RAM™・DigiKeyプログラマブル:検証済み・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:FRAM・技術:FRAM(強誘電体RAM)・メモリサイズ:16Kビット・メモリ構成:2K x 8・メモリインターフェース:I2C・クロック周波数:1 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-・アクセス時間
    392.86 税込¥432.14
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):4V・電流 - 最大:110 mA・Vr、F印加時の静電容量:0.35pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗:-・電力散逸(最大):100 mW・動作温度:150°C(TJ)・グレード:-・認定:-・パッケージ/ケース:SO
    154.29 税込¥169.71
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    提携先在庫数:38個(2026/03/30 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流23 A最大ドレイン-ソース間電圧100 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗117 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧4V最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費140 Wトランジス
    412.00 税込¥453.00
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolMOS™ P7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):600ミリオーム @ 1.8A、10V
    312.86 税込¥344.14
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:揮発性・メモリフォーマット:SRAM・技術:SRAM - 非同期・メモリサイズ:256Kビット・メモリ構成:32K x 8・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:10ns・アクセス時間:10 ns・電圧 - 供給:
    754.17 税込¥829.58
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー - 1ペア直列接続・電圧 - ピーク逆方向(最大):4V・電流 - 最大:110 mA・Vr、F印加時の静電容量:0.35pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗:5.8オーム @ 50mA、1MHz・電力散逸(最大):100 mW・動作温度:150°C(TJ)・グレード
    118.58 税込¥130.43
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~15.6V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:RC入力回路・ハイサイド電圧 - 最
    460.00 税込¥506.00
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    最小2個から購入可能
    2個単位で購入可能
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    提携先在庫数:20個(2026/03/30 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流260 A最大ドレイン-ソース間電圧30 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗2 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧2.35V最低ゲートしきい値電圧1.35V最大パワー消費230 Wト
    507.00 税込¥557.00
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・周波数:0Hz~3GHz・P1dB:-2.5dBm・ゲイン:13dB・雑音指数:2.3dB・RFタイプ:汎用・電圧 - 供給:3V~6V・電流 - 供給:6.7mA・テスト周波数:1GHz・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:SC-82A、SOT-343・サプライヤデバイスパッ
    202.86 税込¥223.14
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:GL-S・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:フラッシュ・技術:FLASH - NOR・メモリサイズ:64Mビット・メモリ構成:8M x 8、4M x 16・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:60ns・アクセス時間:70
    978.09 税込¥1,075.89
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~15.6V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:RC入力回路・ハイサイド電圧 - 最大(ブートスト
    831.95 税込¥915.14
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・周波数:0Hz~2.7GHz・P1dB:18dBm・ゲイン:19dB・雑音指数:2.5dB・RFタイプ:CDMA、GSM、PCS・電圧 - 供給:-・電流 - 供給:-・テスト周波数:1GHz・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:SC-82A、SOT-343・サプライヤデバイス
    311.43 税込¥342.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    415.72 税込¥457.29
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):65A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 46A、10V・Id印加時の
    570.84 税込¥627.92
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    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):150ミリオーム @ 11A、10V・Id印加時
    447.15 税込¥491.86
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    インフィニオン
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    提携先在庫数:152個(2026/03/30 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲ
    840.00 税込¥924.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    即納在庫数:
    379個
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    HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
    45.00 税込¥49.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    即納在庫数:
    624個
    商品説明
    高性能CMOS非同期SRAM●仕様メモリタイプ揮発性メモリフォーマットSRAMメモリサイズ256kBメモリインターフェースパラレル動作電源電圧4.5V~5.5Vアクセス時間15ns書き込みサイクル時間15nsパッケージ/ピン28-DIP動作温度0℃~70℃
    370.00 税込¥407.00
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 3
    107.15 税込¥117.86
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):300mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.7オーム @ 3
    84.29 税込¥92.71
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PSOC™ 4 CY8C4000S・DigiKeyプログラマブル:-・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M0+・コアサイズ:32ビット・速度:24MHz・接続性:I2C、IrDA、LINbus、Microwire、スマートカード、SPI、SSP、UART/USART・ペリフェラル:ブラウンアウト検出/リセッ
    966.67 税込¥1,063.33
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8.9A(Ta)、55A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):
    577.78 税込¥635.55
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:C・IGBTタイプ:トレンチ型フィールドストップ・構成:シングル・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1700 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1200 A・電力 - 最大:3350 W・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2.3V @ 15V、600A・電流 - コレクタ遮断(最大):1 mA・入力
    25,737.50 税込¥28,311.25
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolMOS™ P7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):76A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):37ミリオーム @ 29.5A、10V・
    1,708.34 税込¥1,879.17
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:MOBL™・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:揮発性・メモリフォーマット:SRAM・技術:SRAM - 非同期・メモリサイズ:8Mビット・メモリ構成:512K x 16・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:45ns・アクセス時間:45
    1,315.43 税込¥1,446.97
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PSOC™1 CY8C29xxx・DigiKeyプログラマブル:検証済み・コアプロセッサ:M8C・コアサイズ:8ビット・速度:24MHz・接続性:I2C、SPI、UART/USART・ペリフェラル:POR、PWM、WDT・I/O数:24・プログラムメモリサイズ:32KB(32K x 8)・プログラムメモリタイプ:
    2,827.06 税込¥3,109.76
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:C・IGBTタイプ:トレンチ型フィールドストップ・構成:シングル・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1200 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):900 A・電力 - 最大:4300 W・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2.1V @ 15V、900A・電流 - コレクタ遮断(最大):5 mA・入力静
    26,189.78 税込¥28,808.75
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・タイプ:ホール効果・出力タイプ:アナログ電圧・アクチュエータ材料:磁石・終端スタイル:-・周波数:10 kHz・電圧 - 供給:4V~16V・感動値:120mT・開放値:-120mT・動作温度:-40°C~175°C(TJ)・グレード:-・認定:-・パッケージ/ケース:4-SIP、SSO-4-1
    559.73 税込¥615.70
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PROFET®・スイッチタイプ:汎用・出力数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・出力構成:ハイサイド・出力タイプ:Nチャンネル・インターフェース:オン/オフ・電圧 - 負荷:6V~18V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):不要・電流 - 出力(最大):10A・Rds On(標準):9ミリオーム・入力タイプ:非反転
    415.72 税込¥457.29
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolSiC™+・技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):600 V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):2.3 V @ 3 A・速度:-・逆回復時間(trr):0 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:
    521.43 税込¥573.57
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・タイプ:ホール効果・出力タイプ:アナログ電圧、PWM・アクチュエータ材料:磁石・終端スタイル:-・周波数:10 kHz・電圧 - 供給:4V~16V・感動値:120mT・開放値:-120mT・動作温度:-40°C~175°C(TJ)・グレード:-・認定:-・パッケージ/ケース:4-SIP、SSO-4-1
    559.73 税込¥615.70
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):1.9A、2.3A・入力タイプ
    542.86 税込¥597.14
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14A(Ta)、66A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.3
    563.89 税込¥620.27
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14A(Ta)、66A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.
    563.89 税込¥620.27
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