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半導体 　[ メーカー:インフィニオン ]の検索結果

検索結果 36,093件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【CY7C1062G30-10BGXI】IC SRAM 16MBIT PARALLEL 119PBGA

    【CY7C1062G30-10BGXI】IC SRAM 16MBIT PARALLEL 119PBGA
    メーカー名：
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・メモリタイプ：揮発性・メモリフォーマット：SRAM・技術：SRAM - 非同期・メモリサイズ：16Mビット・メモリ構成：512K x 32・メモリインターフェース：パラレル・クロック周波数：-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：10ns・アクセス時間：10 ns・電圧 - 供給：
    ￥14,547.13 税込￥16,001.84
  • 2

    【IAUT260N10S5N019ATMA1】MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF

    【IAUT260N10S5N019ATMA1】MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
    メーカー名：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：260A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.9ミリオーム @
    ￥1,249.34 税込￥1,374.27
  • 3

    【CY8C6136BZI-F34】IC MCU 32BIT 512KB FLASH 124BGA

    【CY8C6136BZI-F34】IC MCU 32BIT 512KB FLASH 124BGA
    メーカー名：
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：PSOC™ 6・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M4・コアサイズ：32ビット・速度：150MHz・接続性：I2C、LINbus、QSPI、SPI、UART/USART、USB・ペリフェラル：ブラウンアウト検出/リセット、Cap Sense、DMA、I2S、POR、PWM、WDT・I
    ￥1,735.72 税込￥1,909.29
  • 4

    【FP50R12KT3BOSA1】IGBT MOD 1200V 75A 280W MOD

    【FP50R12KT3BOSA1】IGBT MOD 1200V 75A 280W MOD
    メーカー名：
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・IGBTタイプ：-・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1200 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：75 A・電力 - 最大：280 W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.15V @ 15V、50A・電流 - コレクタ遮断（最大）：5 mA・入力静電容量（Cies） @
    ￥18,668.97 税込￥20,535.86
  • 5

    【S25FL128LAGMFI010】IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC

    【S25FL128LAGMFI010】IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：FL-L・DigiKeyプログラマブル：未検証・メモリタイプ：不揮発性・メモリフォーマット：フラッシュ・技術：FLASH - NOR・メモリサイズ：128Mビット・メモリ構成：16M x 8・メモリインターフェース：SPI - クワッドI/O、QPI・クロック周波数：133 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：-・
    ￥686.12 税込￥754.73
  • 6

    【IKW30N65H5XKSA1】IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3

    【IKW30N65H5XKSA1】IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3
    メーカー名：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TRENCHSTOP™・IGBTタイプ：トレンチ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：650 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：55 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：90 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.1V @ 15V、30A・電力 - 最大：188 W・スイッチングエネルギー
    ￥967.13 税込￥1,063.84
  • 7

    【CY62157EV30LL-45ZSXIT】IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

    【CY62157EV30LL-45ZSXIT】IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：MOBL™・DigiKeyプログラマブル：未検証・メモリタイプ：揮発性・メモリフォーマット：SRAM・技術：SRAM - 非同期・メモリサイズ：8Mビット・メモリ構成：512K x 16・メモリインターフェース：パラレル・クロック周波数：-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：45ns・アクセス時間：45
    ￥2,081.18 税込￥2,289.29
  • 8

    【CY8C4245PVI-482】IC MCU 32BIT 32KB FLASH 28SSOP

    【CY8C4245PVI-482】IC MCU 32BIT 32KB FLASH 28SSOP
    メーカー名：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PSOC™ 4 CY8C42xx・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M0・コアサイズ：32ビット・速度：48MHz・接続性：I2C、IrDA、LINbus、Microwire、スマートカード、SPI、SSP、UART/USART・ペリフェラル：ブラウンアウト検出/リセット、CapS
    ￥1,248.00 税込￥1,372.80
  • 9

    【BTS500151TADATMA2】IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-7

    【BTS500151TADATMA2】IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-7
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・スイッチタイプ：汎用・出力数：1・レシオ - 入力：出力：1：1・出力構成：ハイサイド・出力タイプ：Nチャンネル・インターフェース：オン/オフ・電圧 - 負荷：8V～18V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：不要・電流 - 出力（最大）：33A・Rds On（標準）：-・入力タイプ：非反転・特長：-・フォール
    ￥1,328.00 税込￥1,460.80
  • 10

    【CY8C4014PVI-422】IC MCU 32BIT 16KB FLASH 28SSOP

    【CY8C4014PVI-422】IC MCU 32BIT 16KB FLASH 28SSOP
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PSOC™ 4 CY8C4000・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M0・コアサイズ：32ビット・速度：16MHz・接続性：I2C・ペリフェラル：ブラウンアウト検出/リセット、POR、PWM、WDT・I/O数：20・プログラムメモリサイズ：16KB（16K x 8）・プログラムメモ
    ￥622.23 税込￥684.45
  • 11

    【S80KS2562GABHI020】IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 24FBGA

    【S80KS2562GABHI020】IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 24FBGA
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：HYPERRAM™・DigiKeyプログラマブル：未検証・メモリタイプ：揮発性・メモリフォーマット：PSRAM・技術：PSRAM（擬似SRAM）・メモリサイズ：256Mビット・メモリ構成：32M x 8・メモリインターフェース：HyperBus・クロック周波数：200 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：35ns・
    ￥1,787.06 税込￥1,965.76
  • 12

    【BSZ070N08LS5ATMA1】MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON

    【BSZ070N08LS5ATMA1】MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：74A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7ミリオーム @ 2
    ￥651.39 税込￥716.52
  • 13

    【BSC025N08LS5ATMA1】MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7

    【BSC025N08LS5ATMA1】MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.5ミリオーム
    ￥637.50 税込￥701.25
  • 14

    【IPB65R065C7ATMA2】MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3

    【IPB65R065C7ATMA2】MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
    メーカー名：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolMOS™ C7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：33A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 17.
    ￥1,858.83 税込￥2,044.71
  • 15

    【IR2302STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

    【IR2302STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    メーカー名：
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    型番：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：5V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.9V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：200mA、350mA・入力タイ
    ￥372.86 税込￥410.14
  • 16

    【IR2106STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

    【IR2106STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    メーカー名：
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    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.9V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：200mA、350mA・入力タ
    ￥371.43 税込￥408.57
  • 17

    【IDW75D65D1XKSA1】DIODE STD 650V 150A PGTO2473

    【IDW75D65D1XKSA1】DIODE STD 650V 150A PGTO2473
    メーカー名：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：650 V・電流 - 平均整流（Io）：150A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.7 V @ 75 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：108 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：40 µA @ 650
    ￥962.50 税込￥1,058.75
  • 18

    【IRF1404ZPBF】MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB

    【IRF1404ZPBF】MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.7ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時
    ￥520.00 税込￥572.00
  • 19

    【IRFP9140NPBF】MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC

    【IRFP9140NPBF】MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：23A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：117ミリオーム @ 13A、10V・Id印加時
    ￥727.78 税込￥800.55
  • 20

    【CY2302SXI-1T】IC FANOUT DIST 8SOIC

    【CY2302SXI-1T】IC FANOUT DIST 8SOIC
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・タイプ：ファンアウト分配、周波数乗算器、ゼロディレイバッファ・PLL：あり・入力：LVCMOS、LVTTL・出力：LVCMOS・回路数：1・レシオ - 入力：出力：1：2・差動 - 入力：出力：なし/なし・周波数 - 最大：133MHz・分割器/乗算器：あり/あり・電圧
    ￥1,969.42 税込￥2,166.36
  • 21

    【IAUA250N04S6N006AUMA1】MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5

    【IAUA250N04S6N006AUMA1】MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：450A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：7V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：0.64ミリオーム @ 1
    ￥1,200.00 税込￥1,320.00
  • 22

    【IPP072N10N3GXKSA1】MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

    【IPP072N10N3GXKSA1】MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.2ミリオーム @ 80A、10V・I
    ￥652.78 税込￥718.05
  • 23

    【IRS2186STRPBF】IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【IRS2186STRPBF】IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハイサイド、ローサイド・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：4A、4A・入力タイプ：
    ￥527.15 税込￥579.86
  • 24

    【IRS2104STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

    【IRS2104STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：290mA、600mA・入力タ
    ￥288.58 税込￥317.43
  • 25

    【BSP170PH6327XTSA1】MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

    【BSP170PH6327XTSA1】MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SIPMOS®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.9A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 1.9A、1
    ￥302.86 税込￥333.14
  • 26

    【BAS3007ARPPE6327HTSA1】BRIDGE RECT 1P 30V 900MA SOT143

    【BAS3007ARPPE6327HTSA1】BRIDGE RECT 1P 30V 900MA SOT143
    メーカー名：
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    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：ショットキー・電圧 - ピーク逆方向（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：900 mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：700 mV @ 900 mA・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：350 µA @ 30 V・動作温度：150°C（TJ）・グレード：自
    ￥257.15 税込￥282.86
  • 27

    【IPB110P06LMATMA1】MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3

    【IPB110P06LMATMA1】MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11ミリオーム @ 1
    ￥1,242.67 税込￥1,366.93
  • 28

    【IRLML2502TRPBF】MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

    【IRLML2502TRPBF】MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：45ミリオーム @ 4
    ￥134.29 税込￥147.71
  • 29

    【IR2104PBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

    【IR2104PBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：210mA、360mA・入力タイプ：非反転・ハイ
    ￥931.95 税込￥1,025.14
  • 30

    【IRFZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB

    【IRFZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：49A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.5ミリオーム @ 25A、10V・Id印加時
    ￥327.15 税込￥359.86
  • 31

    【IPI086N10N3GXKSA1】MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

    【IPI086N10N3GXKSA1】MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8.6ミリオーム @ 73A、10V・I
    ￥597.23 税込￥656.95
  • 32

    【IRLR7843TRPBF】MOSFET N-CH 30V 161A DPAK [digi-reel品] DigiReel商品

    【IRLR7843TRPBF】MOSFET N-CH 30V 161A DPAK [digi-reel品]
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：161A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.3ミリオーム @ 15
    ￥491.43 税込￥540.57
  • 33

    【BAS5202VH6327XTSA1】DIODE SCHOTTKY 45V 750MA PGSC792

    【BAS5202VH6327XTSA1】DIODE SCHOTTKY 45V 750MA PGSC792
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：45 V・電流 - 平均整流（Io）：750mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：600 mV @ 200 mA・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10
    ￥134.29 税込￥147.71
  • 34

    【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB

    【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    ￥432.86 税込￥476.14
  • 35

    【IRF530NPBF】Nチャンネル MOSFET100 V 17 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    【IRF530NPBF】Nチャンネル MOSFET100 V 17 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
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    ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 70 Wトランジス
    ￥328.00 税込￥360.00
  • 36

    【IRLR7843TRLPBF】MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

    【IRLR7843TRLPBF】MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
    メーカー名：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：161A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.3ミリオーム @ 1
    ￥361.43 税込￥397.57
  • 37

    【IRLML6344TRPBF】Nチャンネル MOSFET30 V 5 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン

    【IRLML6344TRPBF】Nチャンネル MOSFET30 V 5 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
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    190個
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    HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
    ￥45.00 税込￥49.00
  • 38

    【IRL540NPBF】Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    【IRL540NPBF】Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
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    ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 140 Wトランジ
    ￥383.00 税込￥421.00
  • 39

    【IPDD60R037CM8XTMA1】IPDD60R037CM8XTMA1

    【IPDD60R037CM8XTMA1】IPDD60R037CM8XTMA1
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：72A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：37ミリオーム @ 27A、10
    ￥1,847.06 税込￥2,031.76
  • 40

    【IMYH200R075M1HXKSA1】SIC DISCRETE

    【IMYH200R075M1HXKSA1】SIC DISCRETE
    メーカー名：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2000 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：98ミリオーム @ 13A、18V
    ￥4,129.42 税込￥4,542.36
  • 41

    【CY2077FS】IC CLOCK GENERATOR 8SOIC

    【CY2077FS】IC CLOCK GENERATOR 8SOIC
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・タイプ：クロックジェネレータ・PLL：あり・入力：クロック、推奨・出力：CMOS、TTL・回路数：1・レシオ - 入力：出力：1：1・差動 - 入力：出力：なし/なし・周波数 - 最大：100MHz、133MHz・分割器/乗算器：あり/あり・電圧 - 供給：3.3V、5V・動作温度：0
    ￥763.89 税込￥840.27
  • 42

    【IRLML0040TRPBF】MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23

    【IRLML0040TRPBF】MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：56ミリオーム @ 3.
    ￥125.72 税込￥138.29
  • 43

    【CY2300SXC】IC CLOCK MULTIPLIER 8SOIC

    【CY2300SXC】IC CLOCK MULTIPLIER 8SOIC
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・タイプ：クロック乗算器、ファンアウト分配・PLL：あり・入力：LVCMOS、LVTTL・出力：LVCMOS・回路数：1・レシオ - 入力：出力：1：4・差動 - 入力：出力：なし/なし・周波数 - 最大：166.67MHz・分割器/乗算器：あり/あり・電圧 - 供給：3V～3.6V・動
    ￥4,429.42 税込￥4,872.36
  • 44

    【CY8C4025LQI-S401】IC MCU 32BIT 32KB FLASH 24QFN

    【CY8C4025LQI-S401】IC MCU 32BIT 32KB FLASH 24QFN
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：PSOC™ 4 CY8C4000S・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M0+・コアサイズ：32ビット・速度：24MHz・接続性：I2C、IrDA、LINbus、Microwire、スマートカード、SPI、SSP、UART/USART・ペリフェラル：ブラウンアウト検出/リセット、Cap
    ￥583.34 税込￥641.67
  • 45

    【IMBG120R030M1HXTMA1】SICFET N-CH 1200V 56A TO263 [digi-reel品] DigiReel商品

    【IMBG120R030M1HXTMA1】SICFET N-CH 1200V 56A TO263 [digi-reel品]
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：56A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 25A、18V・
    ￥3,148.24 税込￥3,463.06
  • 46

    【BAR8802VH6327XTSA1】RF DIODE PIN 80V 250MW PG-SC79-2

    【BAR8802VH6327XTSA1】RF DIODE PIN 80V 250MW PG-SC79-2
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：PIN - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：80V・電流 - 最大：100 mA・Vr、F印加時の静電容量：0.4pF @ 1V、1MHz・If、F印加時の抵抗：600ミリオーム @ 10mA、100MHz・電力散逸（最大）：250 mW・動作温度：150°C（TJ）・グレード：-
    ￥48.58 税込￥53.43
  • 47

    【IR35201MTRPBF】IC CTRLR PWM MULTIPHASE 56QFN

    【IR35201MTRPBF】IC CTRLR PWM MULTIPHASE 56QFN
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・用途：多相コントローラ・電流 - 供給：-・電圧 - 供給：3.3V・動作温度：-40°C～85°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：56-QFN（7x7）
    ￥1,375.31 税込￥1,512.84
  • 48

    【IMLT65R020M2HXTMA1】SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16

    【IMLT65R020M2HXTMA1】SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolSiC™ Gen 2・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：107A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオ
    ￥2,987.06 税込￥3,285.76
  • 49

    【ICE2QR1765XKLA1】IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP

    【ICE2QR1765XKLA1】IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolMOS™, CoolSET™-Q1・出力絶縁：絶縁型・内部スイッチ：あり・電圧 - ブレークダウン：650V・トポロジ：フライバック・電圧 - スタートアップ：18 V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：10.5V～27V・デューティサイクル：50%・周波数 - スイッチング：52kHz・電力（ワット）：56.4 W・
    ￥554.29 税込￥609.71
  • 50

    【TLE8457DLEXUMA1】IC TRANSCEIVER 1/1 PGTDSON81

    【TLE8457DLEXUMA1】IC TRANSCEIVER 1/1 PGTDSON81
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    最小5,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・タイプ：トランシーバ・プロトコル：LIN・ドライバ/レシーバ数：1/1・デュプレックス：-・受信機ヒステリシス：-・データレート：20kbps・電圧 - 供給：-・動作温度：-・グレード：自動車・認定：AEC-Q100・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：8-PowerTDFN・サプライヤデバイスパッ
    ￥141.90 税込￥156.09
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