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半導体  [ メーカー:インフィニオン ]の検索結果

検索結果 35,467件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
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    インフィニオン
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    M4356-2011
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・構造:直列接続 - 全SCR・SCR、ダイオードの数:1 SCR・電圧 - オフ状態:1.6 kV・電流 - オン状態(It(AV))(最大):669 A・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):1050 A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):2.2 V・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):250 mA・
    40,223.66 税込¥44,246.02
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    M3082-8329
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):260A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.9ミリオーム @
    1,309.34 税込¥1,440.27
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    M4309-2962
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:揮発性・メモリフォーマット:SRAM・技術:SRAM - 非同期・メモリサイズ:16Mビット・メモリ構成:512K x 32・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:10ns・アクセス時間:10 ns・電圧 - 供給:
    14,355.18 税込¥15,790.69
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    M4308-8303
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:PSOC™ 6・DigiKeyプログラマブル:未検証・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M4・コアサイズ:32ビット・速度:150MHz・接続性:I2C、LINbus、QSPI、SPI、UART/USART、USB・ペリフェラル:ブラウンアウト検出/リセット、Cap Sense、DMA、I2S、POR、PWM、WDT・I
    1,780.96 税込¥1,959.05
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    M5072-9316
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SIPMOS®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):240ミリオーム @ 10.6A、
    633.34 税込¥696.67
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    M2695-1980
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):36A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):32ミリオーム @ 36A、10V
    873.62 税込¥960.98
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M4247-9252
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:*・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgsでのゲートチャージ(Q
    786.12 税込¥864.73
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M4309-2865
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:FL-L・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:フラッシュ・技術:FLASH - NOR・メモリサイズ:128Mビット・メモリ構成:16M x 8・メモリインターフェース:SPI - クワッドI/O、QPI・クロック周波数:133 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-・
    676.39 税込¥744.02
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M4888-4819
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolGaN™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):21A(Ta)、76A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.3ミリオーム
    1,047.95 税込¥1,152.74
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    M4356-0118
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TRENCHSTOP™・IGBTタイプ:トレンチ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):55 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):90 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2.1V @ 15V、30A・電力 - 最大:188 W・スイッチングエネルギー
    975.35 税込¥1,072.88
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    M2690-4769
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチタイプ:汎用・出力数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・出力構成:ハイサイド・出力タイプ:Nチャンネル・インターフェース:オン/オフ・電圧 - 負荷:8V~18V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):不要・電流 - 出力(最大):33A・Rds On(標準):-・入力タイプ:非反転・特長:-・フォール
    1,310.67 税込¥1,441.73
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    インフィニオン
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    M4355-2057
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・タイプ:ツエナー・一方向チャンネル:-・双方向チャンネル:1・電圧 - 逆スタンドオフ(標準):7V・電圧 - ブレークダウン(最小):-・電圧 - クランピング(最大)@ Ipp:10V(標準)・電流 - ピークパルス(10/1000μs):2A(8/20µs)・電力 - ピークパルス:24W・パワーライン
    58.58 税込¥64.43
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    インフィニオン
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    M4165-6088
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):450A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):7V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.64ミリオーム @ 1
    1,266.67 税込¥1,393.33
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    M1218-9443
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:PSOC™ 4 CY8C4000・DigiKeyプログラマブル:未検証・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M0・コアサイズ:32ビット・速度:16MHz・接続性:I2C・ペリフェラル:ブラウンアウト検出/リセット、POR、PWM、WDT・I/O数:20・プログラムメモリサイズ:16KB(16K x 8)・プログラムメモ
    640.28 税込¥704.30
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    インフィニオン
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    M3556-2915
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):74A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7ミリオーム @ 2
    681.95 税込¥750.14
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    インフィニオン
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    M0278-9603
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    パラレルインターフェースを備えた産業グレードの8MビットSRAM超低アクティブ電流と自動パワーダウン機能を備えているため、携帯電話などに最適なSRAMです。デバイスの選択を解除すると、最小限の電力消費と入力/出力ピンの高インピーダンス状態が保証され、ポータブルアプリケーションにおけるパフォーマンスが最適化されます。●特長・CY62157DV30とピン互換・標準スタンバ
    2,530.00 税込¥2,783.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    M0257-4068
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    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流50 A最大ドレイン-ソース間電圧200 VパッケージタイプTO-247AC実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗40 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧4V最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費300 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V動
    1,254.00 税込¥1,379.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    M1290-7890
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):180A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.7ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時
    512.86 税込¥564.14
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    M1578-8329
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.5ミリオーム @ 42A、10V
    412.86 税込¥454.14
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    M4348-2224
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・タイプ:ファンアウト分配、周波数乗算器、ゼロディレイバッファ・PLL:あり・入力:LVCMOS、LVTTL・出力:LVCMOS・回路数:1・レシオ - 入力:出力:1:2・差動 - 入力:出力:なし/なし・周波数 - 最大:133MHz・分割器/乗算器:あり/あり・電圧
    1,943.53 税込¥2,137.88
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    インフィニオン
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    M4356-0250
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):650 V・電流 - 平均整流(Io):150A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.7 V @ 75 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):108 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:40 µA @ 650
    1,012.33 税込¥1,113.56
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M5100-7905
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):4V・電流 - 最大:110 mA・Vr、F印加時の静電容量:0.2pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗:-・電力散逸(最大):100 mW・動作温度:150°C(TJ)・グレード:-・認定:-・パッケージ/ケース:020
    90.00 税込¥99.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M0257-4049
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    20個
    20個単位で購入可能
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    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流33 A最大ドレイン-ソース間電圧100 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗44 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧4V最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費130 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V動
    244.70 税込¥268.70
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M0278-7753
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    200.00 税込¥220.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M4355-9205
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):80A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.2ミリオーム @ 80A、10V・I
    688.89 税込¥757.77
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M1578-8791
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 10A、1
    240.00 税込¥264.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M2695-1826
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:単相・技術:ショットキー・電圧 - ピーク逆方向(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):900 mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):700 mV @ 900 mA・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:350 µA @ 30 V・動作温度:150°C(TJ)・グレード:自
    260.00 税込¥286.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M4888-4798
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:CoolGaN™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Ta)、23A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):11ミリオーム @
    556.95 税込¥612.64
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M1290-6362
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:3.3V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:6V、9.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):2A、2A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧
    970.84 税込¥1,067.92
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M0134-7413
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    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 74 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジス
    656.00 税込¥721.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M0278-7754
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    出荷予定日:
    250.00 税込¥275.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M1625-7135
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):290mA、600mA・入力タ
    301.43 税込¥331.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M2695-1838
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):4V・電流 - 最大:130 mA・Vr、F印加時の静電容量:0.75pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗:15オーム @ 5mA、10kHz・電力散逸(最大):150 mW・動作温度:150°C(TJ)・グレード:-・認
    31.43 税込¥34.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M0256-3333
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    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。極めて低いオン抵抗を実現した55V/19AのPチャネルパワーMOSFETです。約50Wまでのアプリケーションに適した低熱抵抗でコストパフォーマンスのよいパッケージで提供されます。●特長・100kHz以下のスイッチングアプリケーションに最適化・大電流に対応したパッケージ・ウェーブは
    93.00 税込¥102.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M0223-0468
    型番:
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    商品説明
    高性能CMOS非同期SRAM●仕様メモリタイプ揮発性メモリフォーマットSRAMメモリサイズ256kBメモリインターフェースパラレル動作電源電圧4.5V~5.5Vアクセス時間15ns書き込みサイクル時間15nsパッケージ/ピン28-DIP動作温度0℃~70℃
    370.00 税込¥407.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M1291-5262
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    427.15 税込¥469.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M0278-9599
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    商品説明
    HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
    45.00 税込¥49.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M4873-1937
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):82A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 34
    2,724.71 税込¥2,997.18
  • メーカー名:
    インフィニオン
    マルツコード:
    M4309-2916
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:MOBL™・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:揮発性・メモリフォーマット:SRAM・技術:SRAM - 非同期・メモリサイズ:8Mビット・メモリ構成:512K x 16・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:45ns・アクセス時間:45 ns・電圧 -
    2,052.95 税込¥2,258.24
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    M3453-9698
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:1.1V、1.7V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):2.5A、2.5A・入力タイプ:
    487.15 税込¥535.86
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    M2894-8321
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオード構成:1組直列接続・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):200mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 150 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(tr
    88.58 税込¥97.43
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    M2807-4408
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Ta)、100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.6
    361.43 税込¥397.57
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    M4356-0143
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TRENCHSTOP™・IGBTタイプ:-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):80 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):150 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2.1V @ 15V、50A・電力 - 最大:305 W・スイッチングエネルギー:5
    1,221.34 税込¥1,343.47
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    M3184-1009
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・機能:ユニポーラスイッチ・技術:ホール効果・極性:南極・センシング範囲:13.5mTトリップ、5.4mTリリース・テスト条件:25°C・電圧 - 供給:3V~32V・電流 - 供給(最大):2.5mA・電流 - 出力(最大):25mA・出力タイプ:オープンドレイン・特長:温度補正付き・動作温度:-40°C~17
    132.86 税込¥146.14
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    M1291-5746
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハイサイド、ローサイド・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):4A、4A・入力タイプ:非反転・ハイ
    943.06 税込¥1,037.36
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    M3512-8984
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給:20V・論理電圧 - VIL、VIH:-、1.65V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):4A、8A・入力タイプ:非反転
    797.23 税込¥876.95
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    M5107-4216
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・タイプ:トランシーバ・プロトコル:CANbus・ドライバ/レシーバ数:1/1・デュプレックス:ハーフ・受信機ヒステリシス:-・データレート:8Mbps・電圧 - 供給:4.75V~5.25V・動作温度:-40°C~150°C(TJ)・グレード:自動車・認定:AEC-Q100・取り付けタイプ:面実装、濡れ性フラ
    412.86 税込¥454.14
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    M1290-8128
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    350個
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):62A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.8V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):12ミリオーム @ 15A、10V・Id
    210.63 税込¥231.69
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    M4673-0251
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:磁気抵抗・軸:シングル・出力タイプ:アナログ電圧、ホイートストンブリッジ・センシング範囲:±5mT・電圧 - 供給:1V~5.5V・電流 - 供給(最大):-・電流 - 出力(最大):-・分解能:-・帯域幅:5kHz・動作温度:-40°C~125°C・グレード:-・認定:-・特長:-・サプライヤデバイス
    532.86 税込¥586.14
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    M4881-1993
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDRIVER™・DigiKeyプログラマブル:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:8V~17V・論理電圧 - VIL、VIH:2.1V、1.9V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):3A、6A・入力タイプ:非
    372.86 税込¥410.14
DigiReelの説明
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