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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【IXYH30N450HV】IGBT PT 4500V 60A TO-247HV

    【IXYH30N450HV】IGBT PT 4500V 60A TO-247HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：60 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：200 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大：430 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイ
    ￥15,555.18 税込￥17,110.69
  • 2

    【CPC1301GRTR】OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 4-SMD

    【CPC1301GRTR】OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 4-SMD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・チャンネル数：1・電圧 - 絶縁：5000Vrms・電流伝達率（最小）：1000% @ 1mA・電流伝達率（最大）：8000% @ 1mA・ターンオン/ターンオフ時間（標準）：1µs、80µs・立ち上がり/立ち下がり時間（標準）：40µs、2.6µs・入力タイプ：DC・出力タイプ：ダーリントン・電圧 - 出力
    ￥963.02 税込￥1,059.32
  • 3

    【IXYP60N65A5】IGBT PT 650V 134A TO-220

    【IXYP60N65A5】IGBT PT 650V 134A TO-220
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™, GenX5™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：650 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：134 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：260 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.35V @ 15V、36A・電力 - 最大：395 W・スイッチングエネル
    ￥1,474.40 税込￥1,621.84
  • 4

    【IXFP12N50P】MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

    【IXFP12N50P】MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:12A Drain Source Voltage Vds:500V On Resistance Rds(on):0.5ohm Rds(on) Test Voltage Vgs:10V Thresho
    ￥1,888.00 税込￥2,076.00
  • 5

    【IXDN604SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

    【IXDN604SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：4A、4A・入力タイプ：非反転・ハイ
    ￥868.06 税込￥954.86
  • 6

    【MMIX4B22N300】IGBT ARR FBRIDGE 3000V 38A 24SMD

    【MMIX4B22N300】IGBT ARR FBRIDGE 3000V 38A 24SMD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：BIMOSFET™・IGBTタイプ：-・構成：フルブリッジ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：3000 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：38 A・電力 - 最大：150 W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.7V @ 15V、22A・電流 - コレクタ遮断（最大）：35 µA・入力静電容量（
    ￥22,733.34 税込￥25,006.67
  • 7

    【IXFP12N50P】MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB

    【IXFP12N50P】MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小50個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500ミリオーム @ 6A、1
    ￥564.98 税込￥621.47
  • 8

    【IXFH26N50P3】MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD

    【IXFH26N50P3】MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar3™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：26A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：230ミリオーム @ 13
    ￥2,122.36 税込￥2,334.59
  • 9

    【IXDN614PI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

    【IXDN614PI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入力タイプ：非反
    ￥779.17 税込￥857.08
  • 10

    【IXYX40N450HV】IGBT 4500V 95A TO-247PLUS-HV

    【IXYX40N450HV】IGBT 4500V 95A TO-247PLUS-HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：95 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：350 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、40A・電力 - 最大：660 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイプ
    ￥14,355.18 税込￥15,790.69
  • 11

    【IXFP12N50PM】MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB

    【IXFP12N50PM】MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小50個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500ミリオーム @ 6A、10
    ￥332.00 税込￥365.20
  • 12

    【IXTP10P50P】MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB

    【IXTP10P50P】MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PolarP™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥1,948.24 税込￥2,143.06
  • 13

    【MCC310-18IO1】SCR MODULE 1.8KV 500A MODULE

    【MCC310-18IO1】SCR MODULE 1.8KV 500A MODULE
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・構造：直列接続 - 全SCR・SCR、ダイオードの数：2 SCRs・電圧 - オフ状態：1.8 kV・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：320 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：500 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：2 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：150 mA・電流
    ￥32,953.77 税込￥36,249.14
  • 14

    【IXDN614SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

    【IXDN614SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入力タイプ：非反
    ￥1,128.77 税込￥1,241.64
  • 15

    【IXTA02N250HV】MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB

    【IXTA02N250HV】MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450オーム @ 50mA、10V・Id印加時のVgs
    ￥3,360.00 税込￥3,696.00
  • 16

    【IXDN614SITR】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【IXDN614SITR】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入力
    ￥1,128.77 税込￥1,241.64
  • 17

    【IXYL60N450】IGBT 4500V 90A ISOPLUSI5-PAK

    【IXYL60N450】IGBT 4500V 90A ISOPLUSI5-PAK
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：90 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：680 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.3V @ 15V、60A・電力 - 最大：417 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイプ
    ￥23,020.46 税込￥25,322.50
  • 18

    【IXTA02N250HV-TRL】MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263HV

    【IXTA02N250HV-TRL】MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小800個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450オーム @ 50mA、10V・Id
    ￥1,797.14 税込￥1,976.85
  • 19

    【IXFH26N50P】MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD

    【IXFH26N50P】MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：26A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：230ミリオーム @ 13A、
    ￥2,151.77 税込￥2,366.94
  • 20

    【IXTP16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB

    【IXTP16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVg
    ￥1,398.77 税込￥1,538.64
  • 21

    【IRFP260】MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD

    【IRFP260】MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小150個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：55ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥377.05 税込￥414.75
  • 22

    【IXTH1N450HV】MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV

    【IXTH1N450HV】MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80オーム @ 50mA、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥10,185.06 税込￥11,203.56
  • 23

    【IXFH16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD

    【IXFH16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 8A、1
    ￥1,628.92 税込￥1,791.81
  • 24

    【IXBOD2-22RD】TVS DEVICE MIXED 2200V BOD

    【IXBOD2-22RD】TVS DEVICE MIXED 2200V BOD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小20個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・電圧 - クランピング：-・技術：-・回路数：-・用途：-・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥17,036.33 税込￥18,739.96
  • 25

    【CPC3701CTR】MOSFET N-CH 60V SOT89 [digi-reel品] DigiReel商品

    【CPC3701CTR】MOSFET N-CH 60V SOT89 [digi-reel品]
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 300mA、0V・Id印加時
    ￥558.58 税込￥614.43
  • 26

    【IXTL2N450】MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK

    【IXTL2N450】MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥27,810.23 税込￥30,591.25
  • 27

    【CPC3710CTR】MOSFET N-CH 250V SOT89

    【CPC3710CTR】MOSFET N-CH 250V SOT89
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10オーム @ 220mA、0V・Id
    ￥540.00 税込￥594.00
  • 28

    【CPC1018N】SSR RELAY SPST-NO 600MA 0-60V

    【CPC1018N】SSR RELAY SPST-NO 600MA 0-60V
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CPC, OptoMOS®・取り付けタイプ：・リレータイプ：・回路：・出力タイプ：・電圧 - 入力：・電圧 - 負荷：・負荷電流：・オン状態抵抗値（最大）：・終端スタイル：・動作温度：・パッケージ/ケース：・サプライヤデバイスパッケージ：・承認機関：・グレード：・認定：
    ￥1,189.05 税込￥1,307.95
  • 29

    【IXTH2N150L】MOSFET N-CH 1500V 2A TO247

    【IXTH2N150L】MOSFET N-CH 1500V 2A TO247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Linear・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15オーム @ 1A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥3,709.42 税込￥4,080.36
  • 30

    【IXDN614YI】IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5

    【IXDN614YI】IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入力タイプ：非反
    ￥1,310.26 税込￥1,441.28
  • 31

    【CLA60MT1200NTZ-TRL】TRIAC 1.2KV 66A TO268AA

    【CLA60MT1200NTZ-TRL】TRIAC 1.2KV 66A TO268AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小400個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・トライアックタイプ：標準・電圧 - オフ状態：1.2 kV・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：66 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.7 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：380A、410A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：60 mA・電流 - ホ
    ￥1,338.06 税込￥1,471.86
  • 32

    【CPC3708CTR】MOSFET N-CH 350V 5MA SOT89

    【CPC3708CTR】MOSFET N-CH 350V 5MA SOT89
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：350 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0.35V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14オーム @ 50
    ￥136.51 税込￥150.16
  • 33

    【IXFH50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD

    【IXFH50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar3™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：120ミリオーム @ 25
    ￥2,472.95 税込￥2,720.24
  • 34

    【DSEI30-10A】DIODE STANDARD 1000V 30A TO247AD

    【DSEI30-10A】DIODE STANDARD 1000V 30A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1000 V・電流 - 平均整流（Io）：30A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：2.4 V @ 36 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：50 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：750 µA @ 1000
    ￥1,573.18 税込￥1,730.49
  • 35

    【IXXK200N60B3】IGBT PT 600V 380A TO-264

    【IXXK200N60B3】IGBT PT 600V 380A TO-264
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小300個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：GenX3™, XPT™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：600 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：380 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：900 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.7V @ 15V、100A・電力 - 最大：1630 W・スイッチングエネ
    ￥3,517.30 税込￥3,869.03
  • 36

    【DSEI2X61-06C】DIODE MODULE GP 600V 60A SOT227B

    【DSEI2X61-06C】DIODE MODULE GP 600V 60A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：FRED・ダイオード構成：2独立・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：60A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.8 V @ 60 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：50 ns・電流 - V
    ￥7,079.32 税込￥7,787.25
  • 37

    【IXGN320N60A3】Nチャンネル IGBTモジュール 600 V 320 A 4-Pin SOT-227B コモンエミッタ

    【IXGN320N60A3】Nチャンネル IGBTモジュール 600 V 320 A 4-Pin SOT-227B コモンエミッタ
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
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    ●仕様最大連続コレクタ電流320 A最大コレクタ- エミッタ間電圧600 V最大ゲート-エミッタ間電圧±20V最大パワー消費735 WパッケージタイプSOT-227B回路構成シングル実装タイプ表面実装チャンネルタイプNピン数4スイッチングスピード5kHzトランジスタ構成コモンエミッタ寸法38.23 x 25.07 x 9.6mm動作温度 Min-55 ℃動作温度 Ma
    ￥8,200.00 税込￥9,020.00
  • 38

    【IXTN210P10T】MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B

    【IXTN210P10T】MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TrenchP™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：210A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5ミリオーム @ 105A、10V・Id
    ￥11,374.72 税込￥12,512.19
  • 39

    【IXYK30N170CV1】IGBT PT 1700V 100A TO-264

    【IXYK30N170CV1】IGBT PT 1700V 100A TO-264
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小300個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1700 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：250 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：4V @ 15V、30A・電力 - 最大：937 W・スイッチングエネルギー：3.6mJ（電
    ￥5,104.29 税込￥5,614.71
  • 40

    【IXBA16N170AHV-TRL】IGBT 1700V 16A TO-263HV

    【IXBA16N170AHV-TRL】IGBT 1700V 16A TO-263HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小800個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：BIMOSFET™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1700 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：16 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：40 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：6V @ 15V、10A・電力 - 最大：150 W・スイッチングエネルギ
    ￥5,174.56 税込￥5,692.01
  • 41

    【CPC1017NTR】SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-60V

    【CPC1017NTR】SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-60V
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CPC, OptoMOS®・取り付けタイプ：・リレータイプ：・回路：・出力タイプ：・電圧 - 入力：・電圧 - 負荷：・負荷電流：・オン状態抵抗値（最大）：・終端スタイル：・動作温度：・パッケージ/ケース：・サプライヤデバイスパッケージ：・承認機関：・グレード：・認定：
    ￥464.29 税込￥510.71
  • 42

    【CPC1056N】1-FORM-A, OPTO MOSFET SEMICONDUC

    【CPC1056N】1-FORM-A, OPTO MOSFET SEMICONDUC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CPC, OptoMOS®・取り付けタイプ：・リレータイプ：・回路：・出力タイプ：・電圧 - 入力：・電圧 - 負荷：・負荷電流：・オン状態抵抗値（最大）：・終端スタイル：・動作温度：・パッケージ/ケース：・サプライヤデバイスパッケージ：・承認機関：・グレード：・認定：
    ￥590.28 税込￥649.30
  • 43

    【CLA60MT1200NTZ-TUB】TRIAC 1.2KV 66A TO268AA

    【CLA60MT1200NTZ-TUB】TRIAC 1.2KV 66A TO268AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：標準・電圧 - オフ状態：1.2 kV・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：66 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.3 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：380A、410A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：60 mA・電流 - ホールド（Ih）
    ￥2,322.36 税込￥2,554.59
  • 44

    【DSEP2X101-04A】IXYS ファストリカバリー 整流ダイオード 絶縁型 100A 400V パネルマウント 4-Pin SOT-227B シリコンジャンクション 1.95V

    【DSEP2X101-04A】IXYS ファストリカバリー 整流ダイオード 絶縁型 100A 400V パネルマウント 4-Pin SOT-227B シリコンジャンクション 1.95V
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    ●仕様実装タイプパネルマウントパッケージタイプSOT-227B最大連続 順方向電流100Aピーク逆繰返し電圧400Vダイオード構成絶縁型整流タイプファストリカバリーダイオードタイプ整流器ピン数4最大順方向降下電圧1.95V1チップ当たりのエレメント数2ダイオードテクノロジーシリコンジャンクションピーク逆回復時間85nsピーク非繰返し順方向サージ電流1kA
    ￥8,120.00 税込￥8,932.00
  • 45

    【FBS16-06SC】BRIDGE RECT 1P 600V 11A I4-PAC

    【FBS16-06SC】BRIDGE RECT 1P 600V 11A I4-PAC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小25個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：シリコンカーバイドショットキー・電圧 - ピーク逆方向（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：11 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.8 V @ 6 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：200 µA @ 600 V・動作温度：-55°C～175°C（TJ）・グレ
    ￥11,732.00 税込￥12,905.20
  • 46

    【DSEP8-12A】スイッチングダイオード スルーホール シングル エレメント数 1 TO-220AC 2-Pin 2.94V

    【DSEP8-12A】スイッチングダイオード スルーホール シングル エレメント数 1 TO-220AC 2-Pin 2.94V
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    ●仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 10.66mm幅 = 4.82mm高さ = 16.51mm寸法 = 10.66 x 4.82 x 16.51mmローム整流
    ￥641.00 税込￥705.00
  • 47

    【DSEI60-12A】整流ダイオード 52A 1200V スルーホール 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 2.55V

    【DSEI60-12A】整流ダイオード 52A 1200V スルーホール 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 2.55V
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    ●仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-247AD最大連続 順方向電流 = 52Aピーク逆繰返し電圧 = 1200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.55V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクショ
    ￥1,643.00 税込￥1,807.00
  • 48

    【IXFN420N10T】Nチャンネル MOSFET100 V 420 A 表面実装 パッケージSOT-227 4 ピン

    【IXFN420N10T】Nチャンネル MOSFET100 V 420 A 表面実装 パッケージSOT-227 4 ピン
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流420 A最大ドレイン-ソース間電圧100 VパッケージタイプSOT-227実装タイプスクリュー マウントピン数4最大ドレイン-ソース間抵抗2.3 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧5V最低ゲートしきい値電圧2.5V最大パワー消費1.07 kW最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V標準ゲー
    ￥6,030.00 税込￥6,633.00
  • 49

    【IXTH75N10L2】MOSFET N-CH 100V 75A TO247

    【IXTH75N10L2】MOSFET N-CH 100V 75A TO247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Linear L2™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：75A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：21ミリオーム @ 500mA、10V・I
    ￥4,163.53 税込￥4,579.88
  • 50

    【CPC1706Y】SSR RELAY SPST-NO 4A 0-60V

    【CPC1706Y】SSR RELAY SPST-NO 4A 0-60V
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CPC, OptoMOS®・取り付けタイプ：・リレータイプ：・回路：・出力タイプ：・電圧 - 入力：・電圧 - 負荷：・負荷電流：・オン状態抵抗値（最大）：・終端スタイル：・動作温度：・パッケージ/ケース：・サプライヤデバイスパッケージ：・承認機関：・グレード：・認定：
    ￥1,510.98 税込￥1,662.07
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