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検索結果 7,201件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    IXYS
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    DIODE STANDARD 2X45A 1600V Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1.6kV Forward Current If(AV):45A Diode Configuration:Dual Series Forward Voltage VF Max:1.23V Reverse Recovery Time trr Ma
    1,240.00 税込¥1,364.00
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    DIODE STANDARD 2X45A 1200V Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1.2kV Forward Current If(AV):45A Diode Configuration:Dual Series Forward Voltage VF Max:1.6V Reverse Recovery Time trr Max
    1,427.00 税込¥1,569.00
  • メーカー名:
    IXYS
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    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:BIMOSFET™・IGBTタイプ:-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):3000 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):80 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):280 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:3.2V @ 15V、32A・電力 - 最大:400 W・スイッチングエネルギー:-・
    12,671.27 税込¥13,938.39
  • メーカー名:
    IXYS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:XPT™・IGBTタイプ:-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):4500 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):95 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):350 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:3.9V @ 15V、40A・電力 - 最大:660 W・スイッチングエネルギー:-・入力タイプ
    11,102.30 税込¥12,212.53
  • メーカー名:
    IXYS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1200 V・電流 - 平均整流(Io):944A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.45 V @ 1930 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:15 mA @ 1200 V・V
    12,226.44 税込¥13,449.08
  • メーカー名:
    IXYS
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    MOSFET MODULE N-CH 600V 40A SOT-227B Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:40A Drain Source Voltage Vds:600V On Resistance Rds(on):0.14ohm Rds(on) Test Voltage V
    6,184.00 税込¥6,802.00
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):750オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs
    7,829.89 税込¥8,612.87
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・ダイオードタイプ:単相(PFCモジュール)・技術:標準・電圧 - ピーク逆方向(最大):600 V・電流 - 平均整流(Io):106 A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.39 V @ 50 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:30 µA @ 600 V・動作温度:-40°C~150°C(TJ)・グレード:-
    12,044.83 税込¥13,249.31
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HiPerFET™, Polar3™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):120ミリオーム @ 25
    2,075.30 税込¥2,282.83
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HiPerFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):100ミリオーム @ 25A、10V・Id印
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    最小25個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HiPerFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):80ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    2,117.41 税込¥2,329.15
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HiPerFET™, Polar3™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):120ミリオーム @ 25
    2,062.36 税込¥2,268.59
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:XPT™・IGBTタイプ:-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):4500 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):60 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):200 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大:430 W・スイッチングエネルギー:-・入力タイプ
    9,432.19 税込¥10,375.40
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.4A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):40オーム @ 50mA、10V・Id印加時のVgs(t
    12,168.97 税込¥13,385.86
  • メーカー名:
    IXYS
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    MOSFET P-CH 500V 10A TO-220AB
    1,732.00 税込¥1,905.00
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:2独立・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):150 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):100A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):910 mV @ 100 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - V
    5,306.90 税込¥5,837.59
  • メーカー名:
    IXYS
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    最小100個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・技術:アバランチ・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1600 V・電流 - 平均整流(Io):3.6A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 7 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:2 mA @ 1600 V・
    591.08 税込¥650.18
  • メーカー名:
    IXYS
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    提携先在庫数:26個(2025/09/08 9:00 現在) ●仕様最大連続コレクタ電流320 A最大コレクタ- エミッタ間電圧600 V最大ゲート-エミッタ間電圧±20V最大パワー消費735 WパッケージタイプSOT-227B回路構成シングル実装タイプ表面実装チャンネルタイプNピン数4スイッチングスピード5kHzトランジスタ構成コモンエミッタ寸法38.23 x 25
    8,050.00 税込¥8,855.00
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル、Pチャンネル)・電圧 - 供給:4.5V~35V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):9A、9A・入力タイプ:非反転・
    652.78 税込¥718.05
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:MegaMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):24A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):230ミリオーム @ 12A、10V・Id印加
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):45 V・電流 - 平均整流(Io):60A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):600 mV @ 60 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 mA @ 45 V・V
    1,224.00 税込¥1,346.40
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル、Pチャンネル)・電圧 - 供給:4.5V~35V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):9A、9A・入力タイプ:反転・ハ
    560.00 税込¥616.00
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・IGBTタイプ:NPT・構成:シングルスイッチ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1700 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):2400 A・電力 - 最大:-・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2.6V @ 15V、2400A・電流 - コレクタ遮断(最大):120 mA・入力静電容量(Cies)
    260,992.56 税込¥287,091.81
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:BIMOSFET™・IGBTタイプ:-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):3600 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):125 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):420 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2.9V @ 15V、50A・電力 - 最大:660 W・スイッチングエネルギー:-
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HiPerFET™, Ultra X2・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):150A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17ミリオーム @ 7
    5,751.73 税込¥6,326.90
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:GenX3™, XPT™・IGBTタイプ:-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):900 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):310 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):840 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2.7V @ 15V、140A・電力 - 最大:1630 W・スイッチングエネル
    5,056.48 税込¥5,562.12
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HiPerFET™, Ultra X3・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):140A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.6ミリオーム @
    2,535.30 税込¥2,788.83
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:Polar・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):96A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 500mA、10V・Id印加時の
    1,307.70 税込¥1,438.47
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:Gen5 XPT™・IGBTタイプ:-・構成:シングル・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):510 A・電力 - 最大:1.2 kW・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.35V @ 15V、100A・電流 - コレクタ遮断(最大):25 µA・入力静電容量(
    6,472.42 税込¥7,119.66
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル)・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):1.9A、2.3A・入力タイプ:非
    188.58 税込¥207.43
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・IGBTタイプ:NPT、PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):600 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):300 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):-・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:-・電力 - 最大:-・スイッチングエネルギー:-・入力タイプ:標準・ゲート充電:-・25°CでのT
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:XPT™・IGBTタイプ:-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):4500 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):23 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):190 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大:230 W・スイッチングエネルギー:-・入力タイプ
    21,070.12 税込¥23,177.13
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:2独立・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):60A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):910 mV @ 60 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印
    4,510.59 税込¥4,961.64
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:XPT™, GenX4™・IGBTタイプ:PT・構成:シングル・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):215 A・電力 - 最大:750 W・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2.1V @ 15V、110A・電流 - コレクタ遮断(最大):50 µA・入力静電
    5,345.98 税込¥5,880.57
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    最小24個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:MDMA425P1600PTSF・ダイオード構成:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1600 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):425A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・動作温度 - ジャンクション:-・
    19,583.91 税込¥21,542.30
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:QJxx30xHx・トライアックタイプ:標準・電圧 - オフ状態:800 V・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):30 A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):1.3 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz(Itsm):290A、350A・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):50 mA・電流 - ホ
    1,298.67 税込¥1,428.53
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・電圧 - オフ状態:4.2 kV・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):3 V・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):300 mA・電圧 - オン状態(Vtm)(最大):2.8 V・電流 - オン状態(It(AV))(最大):634 A・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):1228 A・電流 - ホールド(Ih
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:-・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル、Pチャンネル)・電圧 - 供給:4.5V~18V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):5A、5A・入力タイプ:反転、非反
    397.15 税込¥436.86
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:-・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル、Pチャンネル)・電圧 - 供給:4.5V~18V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):5A、5A・入力タイプ:反転・ハ
    397.15 税込¥436.86
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:Gen5 XPT™・IGBTタイプ:-・構成:シングル・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):340 A・電力 - 最大:940 W・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.35V @ 15V、100A・電流 - コレクタ遮断(最大):25 µA・入力静電容量(C
    5,566.67 税込¥6,123.33
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:Gen5 XPT™・IGBTタイプ:-・構成:シングル・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):390 A・電力 - 最大:1.2 kW・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.45V @ 15V、100A・電流 - コレクタ遮断(最大):25 µA・入力静電容量(
    6,472.42 税込¥7,119.66
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ダイオードタイプ:単相・技術:標準・電圧 - ピーク逆方向(最大):1.6 kV・電流 - 平均整流(Io):40 A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.15 V @ 20 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:40 µA @ 1600 V・動作温度:-40°C~150°C(TJ)・グレード:-・認定:-・
    5,196.56 税込¥5,716.21
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):2200 V・電流 - 平均整流(Io):30A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.26 V @ 30 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:40 µA @ 2200 V・V
    989.05 税込¥1,087.95
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・構造:シングル・SCR、ダイオードの数:1 SCR・電圧 - オフ状態:1.2 kV・電流 - オン状態(It(AV))(最大):560 A・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):880 A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):2 V・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):300 mA・電流 - 非繰り返しサー
    26,800.00 税込¥29,480.00
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:GenX3™, XPT™・IGBTタイプ:PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):200 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):420 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2.3V @ 15V、70A・電力 - 最大:830 W・スイッチングエネルギ
    2,754.12 税込¥3,029.53
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    DIODE SCHOTTKY TO-247AD Diode Configuration:Dual Common Cathode Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:200V Forward Current If(AV):45A Forward Voltage VF Max:860mV Forward Surge Current
    2,000.00 税込¥2,200.00
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
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    商品説明
    DIODE FAST 2X30A Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V Forward Current If(AV):30A Forward Voltage VF Max:1.6V Diode Module Configuration:Dual Isolated Packaging:Each Product Range:
    6,582.00 税込¥7,240.00
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    最小800個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・ダイオード構成:1組共通カソード・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):25A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):440 mV @ 20 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr)
    264.95 税込¥291.44
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル、デプレッションモード・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):0V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):10オーム @ 220mA、0V・Id印
    281.43 税込¥309.57
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル、デプレッションモード・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):0V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):10オーム @ 220mA、0V・Id
    281.43 税込¥309.57
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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DigiReelの説明
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