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すべてのジャンル  [ メーカー:IXYS ]の検索結果

検索結果 7,953件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    IXYS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:BIMOSFET™・IGBTタイプ:-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):3000 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):80 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):280 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:3.2V @ 15V、32A・電力 - 最大:400 W・スイッチングエネルギー:-・
    13,000.00 税込¥14,300.00
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:LCB, OptoMOS®・取り付けタイプ:スルーホール・回路:SPST-NC(1フォームB)・出力タイプ:AC、DC・電圧 - 入力:1.2VDC・電圧 - 負荷:0 V ~ 350 V・負荷電流:120 mA・オン状態抵抗値(最大):35 Ohms・終端スタイル:PCピン・動作温度:-40°C~85°C・パッケージ/ケース
    672.23 税込¥739.45
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:LCA, OptoMOS®・取り付けタイプ:スルーホール・回路:SPST-NO(1フォームA)・出力タイプ:AC、DC・電圧 - 入力:1.2VDC・電圧 - 負荷:0 V ~ 350 V・負荷電流:120 mA・オン状態抵抗値(最大):35 Ohms・終端スタイル:PCピン・動作温度:-40°C~85°C・パッケージ/ケース
    500.00 税込¥550.00
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・タイプ:-・色:-・サイズ/寸法:
    1,084.94 税込¥1,193.43
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・タイプ:キー溝付きゲート陰極ツインプラグ・色:-・サイズ/寸法:
    1,017.81 税込¥1,119.59
  • メーカー名:
    IXYS
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    DIODE FAST 14A Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V Forward Current If(AV):14A Diode Configuration:Single Forward Voltage VF Max:1.7V Reverse Recovery Time trr Max:35ns Forward Su
    682.00 税込¥750.00
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル、Pチャンネル)・電圧 - 供給:4.5V~35V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):14A、14A・入力タイプ:非反
    816.67 税込¥898.33
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル、Pチャンネル)・電圧 - 供給:4.5V~35V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):14A、14A・入力
    961.12 税込¥1,057.23
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:Linear L2™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):64A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):32ミリオーム @ 32A、10V・Id印
    1,750.00 税込¥1,925.00
  • メーカー名:
    IXYS
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    DIODE STANDARD 2X45A 1600V Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1.6kV Forward Current If(AV):45A Diode Configuration:Dual Series Forward Voltage VF Max:1.23V Reverse Recovery Time trr Ma
    1,249.00 税込¥1,373.00
  • メーカー名:
    IXYS
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    DIODE STANDARD 2X45A 1200V Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1.2kV Forward Current If(AV):45A Diode Configuration:Dual Series Forward Voltage VF Max:1.6V Reverse Recovery Time trr Max
    1,437.00 税込¥1,580.00
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:IGBT、MOSFET(Nチャンネル、Pチャンネル)・電圧 - 供給:4.5V~35V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):14A、14A・入
    961.12 税込¥1,057.23
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・技術:アバランチ・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1600 V・電流 - 平均整流(Io):2.3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.34 V @ 7 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:700 µA @ 1600 V・
    1,225.34 税込¥1,347.87
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:XPT™・IGBTタイプ:-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):4500 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):60 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):200 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大:430 W・スイッチングエネルギー:-・入力タイプ
    9,677.02 税込¥10,644.72
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:LCA, OptoMOS®・取り付けタイプ:スルーホール・回路:SPST-NO(1フォームA)・出力タイプ:AC、DC・電圧 - 入力:1.2VDC・電圧 - 負荷:0 V ~ 250 V・負荷電流:170 mA・オン状態抵抗値(最大):20 Ohms・終端スタイル:PCピン・動作温度:-40°C~85°C・パッケージ/ケース
    709.73 税込¥780.70
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:GenX3™・IGBTタイプ:PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):600 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):120 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):300 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.35V @ 15V、32A・電力 - 最大:300 W・スイッチングエネルギー:950
    1,209.34 税込¥1,330.27
  • メーカー名:
    IXYS
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    最小50個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):750オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs
    1,519.24 税込¥1,671.16
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:光学カップリング・チャンネル数:2・電圧 - 絶縁:3750Vrms・コモンモード過渡耐性(最小):-・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):2ms、0.5ms・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):-・電流 - 出力高、低:-・電流 - ピーク出力:-・電圧 - 順方向(Vf)(標準):1.2
    790.28 税込¥869.30
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・ダイオード構成:1組直列接続・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1200 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):120A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.43 V @ 300 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr
    6,618.40 税込¥7,280.24
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:2独立・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):400 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):100A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.54 V @ 100 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):30 ns・電流 - V
    7,641.38 税込¥8,405.51
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル、デプレッションモード・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):400 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):300mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):0V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9オーム @ 300m
    284.29 税込¥312.71
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:XPT™・IGBTタイプ:-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):4500 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):95 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):350 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:3.9V @ 15V、40A・電力 - 最大:660 W・スイッチングエネルギー:-・入力タイプ
    11,389.66 税込¥12,528.62
  • メーカー名:
    IXYS
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    MOSFET MODULE N-CH 600V 40A SOT-227B Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:40A Drain Source Voltage Vds:600V On Resistance Rds(on):0.14ohm Rds(on) Test Voltage V
    6,227.00 税込¥6,849.00
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):750オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs
    7,978.17 税込¥8,775.98
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:PolarP™・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):40A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):230ミリオーム @ 500mA、10V・Id印
    6,683.91 税込¥7,352.30
  • メーカー名:
    IXYS
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    最小150個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):38A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 23A、10V・Id印加時のVgs(th
    355.71 税込¥391.28
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:PolarP™・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):32A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):350ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時
    4,198.83 税込¥4,618.71
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:PolarP™・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):32A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):350ミリオーム @ 500mA、10V・Id印
    6,683.91 税込¥7,352.30
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:LCA, OptoMOS®・取り付けタイプ:面実装・回路:SPST-NO(1フォームA)・出力タイプ:AC、DC・電圧 - 入力:1.2VDC・電圧 - 負荷:0 V ~ 250 V・負荷電流:170 mA・オン状態抵抗値(最大):20 Ohms・終端スタイル:ガルウィング・動作温度:-40°C~85°C・パッケ
    372.85 税込¥410.13
  • メーカー名:
    IXYS
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    出荷予定日:
    最小25個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HiPerFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):80ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    2,172.35 税込¥2,389.58
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):23オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs(th)(最
    22,041.38 税込¥24,245.51
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.4A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):40オーム @ 50mA、10V・Id印加時のVgs(t
    12,485.06 税込¥13,733.56
  • メーカー名:
    IXYS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HiPerFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):100ミリオーム @ 25A、10V・Id印
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:PolarP™・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):40A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):230ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時
    4,198.83 税込¥4,618.71
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HiPerFET™, Polar3™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):120ミリオーム @ 25
    2,129.42 税込¥2,342.36
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1200 V・電流 - 平均整流(Io):944A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.45 V @ 1930 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:15 mA @ 1200 V・V
    12,543.68 税込¥13,798.04
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):750オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs
    5,847.13 税込¥6,431.84
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85オーム @ 50mA、10V・Id印加時のVgs(th)
    8,885.06 税込¥9,773.56
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
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    提携先在庫数:26個(2025/10/27 9:00 現在) ●仕様最大連続コレクタ電流320 A最大コレクタ- エミッタ間電圧600 V最大ゲート-エミッタ間電圧±20V最大パワー消費735 WパッケージタイプSOT-227B回路構成シングル実装タイプ表面実装チャンネルタイプNピン数4スイッチングスピード5kHzトランジスタ構成コモンエミッタ寸法38.23 x 25
    8,050.00 税込¥8,855.00
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
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    MOSFET P-CH 500V 10A TO-220AB
    1,791.00 税込¥1,970.00
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):60A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):53ミリオーム @ 20A、18V・Id印加時のVg
    1,730.96 税込¥1,904.05
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HiPerFET™, Polar・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):400ミリオーム @ 8A、1
    1,264.00 税込¥1,390.40
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CPC, OptoMOS®・取り付けタイプ:面実装・回路:SPST-NO(1フォームA)・出力タイプ:AC、DC・電圧 - 入力:1.2VDC・電圧 - 負荷:0 V ~ 60 V・負荷電流:400 mA・オン状態抵抗値(最大):2 Ohms・終端スタイル:ガルウィング・動作温度:-40°C~85°C・パッケージ/ケース:4-
    372.86 税込¥410.14
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:MegaMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):24A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):230ミリオーム @ 12A、10V・Id印加
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:XPT™・IGBTタイプ:PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):4500 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):60 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):200 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大:430 W・スイッチングエネルギー:-・入力タイ
    12,278.17 税込¥13,505.98
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HiPerFET™, Polar3™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):120ミリオーム @ 25
    2,332.95 税込¥2,566.24
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HiPerFET™, TrenchT2™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):75 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):520A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.2ミリオーム @
    3,165.89 税込¥3,482.47
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:XPT™・IGBTタイプ:-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):4500 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):23 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):190 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大:230 W・スイッチングエネルギー:-・入力タイプ
    21,617.25 税込¥23,778.97
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):625オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs
    5,012.95 税込¥5,514.24
  • メーカー名:
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HiPerFET™, Ultra X3・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):300 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):56A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):27ミリオーム @ 28
    2,141.18 税込¥2,355.29
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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