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半導体 　[ メーカー:IXYS ]の検索結果

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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【IXBH32N300】IGBT 3000V 80A TO-247AD

    【IXBH32N300】IGBT 3000V 80A TO-247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：BIMOSFET™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：3000 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：80 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：280 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.2V @ 15V、32A・電力 - 最大：400 W・スイッチングエネルギー：-・
    ￥13,128.74 税込￥14,441.61
  • 2

    【N1467NC260】SCR 2.6KV 2912A W11

    【N1467NC260】SCR 2.6KV 2912A W11
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・電圧 - オフ状態：2.6 kV・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：3 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：300 mA・電圧 - オン状態（Vtm）（最大）：1.69 V・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：1467 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：2912 A・電流 - ホールド（
  • 3

    【IXDD609SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

    【IXDD609SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：9A、9A・入力タイプ：非反転・
    ￥662.50 税込￥728.75
  • 4

    【K0500LC600】SCR 6KV 975A W10

    【K0500LC600】SCR 6KV 975A W10
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・電圧 - オフ状態：6 kV・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：3 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：300 mA・電圧 - オン状態（Vtm）（最大）：2.7 V・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：500 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：975 A・電流 - ホールド（Ih）（最
  • 5

    【K0500LC650】SCR 6.5KV 975A W10

    【K0500LC650】SCR 6.5KV 975A W10
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・電圧 - オフ状態：6.5 kV・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：3 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：300 mA・電圧 - オン状態（Vtm）（最大）：2.7 V・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：500 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：975 A・電流 - ホールド（Ih）
  • 6

    【NCD2400MTR】IC DIGITAL CAPACITOR 6-DFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【NCD2400MTR】IC DIGITAL CAPACITOR 6-DFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・タイプ：デジタルコンデンサ・用途：発振器調整・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：6-WDFN露出パッド・サプライヤデバイスパッケージ：6-DFN（2x2）・グレード：-・認定：
    ￥687.50 税込￥756.25
  • 7

    【FDA117GRTR】OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 4SMD

    【FDA117GRTR】OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 4SMD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：光学カップリング・チャンネル数：1・電圧 - 絶縁：5000Vrms・コモンモード過渡耐性（最小）：-・伝搬遅延tpLH/tpHL（最大）：-・パルス幅歪み（最大）：-・立ち上がり/立ち下がり時間（標準）：-・電流 - 出力高、低：-・電流 - ピーク出力：1A・電圧 - 順方向（Vf）（標準）：1.4
    ￥886.12 税込￥974.73
  • 8

    【IXDN614SITR】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【IXDN614SITR】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入力
    ￥970.84 税込￥1,067.92
  • 9

    【IXDN614SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

    【IXDN614SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入力タイプ：非反
    ￥970.84 税込￥1,067.92
  • 10

    【DSA1-16D】DIODE AVALANCHE 1600V 2.3A

    【DSA1-16D】DIODE AVALANCHE 1600V 2.3A
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1600 V・電流 - 平均整流（Io）：2.3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.34 V @ 7 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：700 µA @ 1600 V・
    ￥1,237.34 税込￥1,361.07
  • 11

    【NCD2400MTR】IC DIGITAL CAPACITOR 6-DFN

    【NCD2400MTR】IC DIGITAL CAPACITOR 6-DFN
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・タイプ：デジタルコンデンサ・用途：発振器調整・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：6-WDFN露出パッド・サプライヤデバイスパッケージ：6-DFN（2x2）・グレード：-・認定：
    ￥687.50 税込￥756.25
  • 12

    【IXGH20N100】IGBT PT 1000V 40A TO-247AD

    【IXGH20N100】IGBT PT 1000V 40A TO-247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1000 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：40 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：80 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3V @ 15V、20A・電力 - 最大：150 W・スイッチングエネルギー：3.5mJ（オフ）・入力
  • 13

    【IXTA02N450HV】MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263

    【IXTA02N450HV】MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小50個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：750オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs
    ￥1,534.18 税込￥1,687.59
  • 14

    【IXDD614YI】IC PWR DRIVER 1:1 TO263-5

    【IXDD614YI】IC PWR DRIVER 1:1 TO263-5
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・スイッチタイプ：汎用・出力数：1・レシオ - 入力：出力：1：1・出力構成：ローサイド・出力タイプ：-・インターフェース：オン/オフ・電圧 - 負荷：4.5V～35V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：不要・電流 - 出力（最大）：4A・Rds On（標準）：-・入力タイプ：非反転・特長：-・フォールト保護：-・動作温度：
    ￥1,187.68 税込￥1,306.44
  • 15

    【IXDN614SITR】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

    【IXDN614SITR】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入
    ￥970.84 税込￥1,067.92
  • 16

    【IXTP3N100D2】MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

    【IXTP3N100D2】MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Depletion・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1000 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.5オーム @ 1.5A
    ￥1,219.18 税込￥1,341.09
  • 17

    【IXFH21N50】MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD

    【IXFH21N50】MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小30個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：21A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：250ミリオーム @ 10.5A、10V・I
    ￥1,163.30 税込￥1,279.63
  • 18

    【IXFK180N25T】MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA

    【IXFK180N25T】MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Trench・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12.9ミリオーム @ 6
    ￥3,812.95 税込￥4,194.24
  • 19

    【IXTL2N450】MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK

    【IXTL2N450】MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥22,257.48 税込￥24,483.22
  • 20

    【FDA217S】OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

    【FDA217S】OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：光学カップリング・チャンネル数：2・電圧 - 絶縁：3750Vrms・コモンモード過渡耐性（最小）：-・伝搬遅延tpLH/tpHL（最大）：2ms、0.5ms・パルス幅歪み（最大）：-・立ち上がり/立ち下がり時間（標準）：-・電流 - 出力高、低：-・電流 - ピーク出力：-・電圧 - 順方向（Vf）（標準）：1.2
    ￥798.62 税込￥878.48
  • 21

    【IXTP3N100P】MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

    【IXTP3N100P】MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Polar P3™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1000 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.8オーム @ 1.5A、10V・Id印加
    ￥1,219.18 税込￥1,341.09
  • 22

    【IXTX40P50P】MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3

    【IXTX40P50P】MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PolarP™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：230ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時
    ￥4,240.00 税込￥4,664.00
  • 23

    【IXYT30N450HV】IGBT 4500V 60A TO-268HV

    【IXYT30N450HV】IGBT 4500V 60A TO-268HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：60 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：200 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大：430 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイプ
    ￥9,772.42 税込￥10,749.66
  • 24

    【IRFP264】MOSFET N-CH 250V 38A TO247AD

    【IRFP264】MOSFET N-CH 250V 38A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小150個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：38A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 23A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥359.21 税込￥395.13
  • 25

    【IXTH64N10L2】MOSFET N-CH 100V 64A TO247

    【IXTH64N10L2】MOSFET N-CH 100V 64A TO247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Linear L2™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：64A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 32A、10V・Id印
    ￥1,892.95 税込￥2,082.24
  • 26

    【IXTX32P60P】MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3

    【IXTX32P60P】MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PolarP™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：32A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：350ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時
    ￥4,240.00 税込￥4,664.00
  • 27

    【IXTN32P60P】MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B

    【IXTN32P60P】MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PolarP™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：32A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：350ミリオーム @ 500mA、10V・Id印
    ￥6,749.43 税込￥7,424.37
  • 28

    【IXTN40P50P】MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B

    【IXTN40P50P】MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PolarP™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：230ミリオーム @ 500mA、10V・Id印
    ￥6,749.43 税込￥7,424.37
  • 29

    【IXFK50N50】MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA

    【IXFK50N50】MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小25個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    ￥2,193.71 税込￥2,413.08
  • 30

    【IXFQ50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO3P

    【IXFQ50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO3P
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar3™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：120ミリオーム @ 25
    ￥2,150.59 税込￥2,365.64
  • 31

    【IXFX50N50】MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3

    【IXFX50N50】MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 25A、10V・Id印
  • 32

    【IXGH48N60A3】IGBT PT 600V 120A TO-247AD

    【IXGH48N60A3】IGBT PT 600V 120A TO-247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：GenX3™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：600 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：120 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：300 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.35V @ 15V、32A・電力 - 最大：300 W・スイッチングエネルギー：950
    ￥1,382.06 税込￥1,520.26
  • 33

    【MDD95-12N1B】DIODE MOD GP 1200V 120A TO-240AA

    【MDD95-12N1B】DIODE MOD GP 1200V 120A TO-240AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオード構成：1組直列接続・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1200 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：120A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.43 V @ 300 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr
    ￥6,682.76 税込￥7,351.03
  • 34

    【DSEP2X101-04A】DIODE MOD GP 400V 100A SOT227B

    【DSEP2X101-04A】DIODE MOD GP 400V 100A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：100A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.54 V @ 100 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：30 ns・電流 - V
    ￥7,717.25 税込￥8,488.97
  • 35

    【IXFH16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD

    【IXFH16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 8A、1
    ￥1,389.75 税込￥1,528.72
  • 36

    【IXTF02N450】MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC

    【IXTF02N450】MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：750オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs
    ￥8,056.33 税込￥8,861.96
  • 37

    【IXFH50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD

    【IXFH50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar3™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：120ミリオーム @ 25
    ￥2,356.48 税込￥2,592.12
  • 38

    【IXYH30N450HV】IGBT PT 4500V 60A TO-247HV

    【IXYH30N450HV】IGBT PT 4500V 60A TO-247HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：60 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：200 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大：430 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイ
    ￥12,398.86 税込￥13,638.74
  • 39

    【IXSH60N65L2KHV】650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET

    【IXSH60N65L2KHV】650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：53ミリオーム @ 20A、18V・Id印加時のVg
    ￥1,747.62 税込￥1,922.38
  • 40

    【IX4341NTR】ローサイドMOSFETゲートドライバ

    【IX4341NTR】ローサイドMOSFETゲートドライバ
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：-・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～18V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：5A、5A・入力タイプ：反転・ハ
    ￥411.43 税込￥452.57
  • 41

    【IXTT1N450HV】MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

    【IXTT1N450HV】MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85オーム @ 50mA、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥8,972.42 税込￥9,869.66
  • 42

    【IXYX40N450HV】IGBT 4500V 95A TO-247PLUS-HV

    【IXYX40N450HV】IGBT 4500V 95A TO-247PLUS-HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：95 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：350 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、40A・電力 - 最大：660 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイプ
    ￥11,502.30 税込￥12,652.53
  • 43

    【VUM33-06PH】BRIDGE RECT 1PHASE 600V 106A

    【VUM33-06PH】BRIDGE RECT 1PHASE 600V 106A
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相（PFCモジュール）・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：106 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.39 V @ 50 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：30 µA @ 600 V・動作温度：-40°C～150°C（TJ）・グレード：-
    ￥11,797.71 税込￥12,977.48
  • 44

    【DSEI60-12A】整流ダイオード 52A 1200V スルーホール 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 2.55V

    【DSEI60-12A】整流ダイオード 52A 1200V スルーホール 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 2.55V
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    提携先在庫数：25個（2025/11/25 9:00 現在）　●仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-247AD最大連続 順方向電流 = 52Aピーク逆繰返し電圧 = 1200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.55V1チップ当たりのエレメ
    ￥1,037.00 税込￥1,140.00
  • 45

    【DSEP8-12A】スイッチングダイオード スルーホール シングル エレメント数 1 TO-220AC 2-Pin 2.94V

    【DSEP8-12A】スイッチングダイオード スルーホール シングル エレメント数 1 TO-220AC 2-Pin 2.94V
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    提携先在庫数：34個（2025/11/25 9:00 現在）　●仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 10.66mm幅 = 4.82mm高さ = 16.51mm寸
    ￥587.00 税込￥645.00
  • 46

    【DSS60-0045B】DIODE SCHOTTKY 45V 60A TO247AD

    【DSS60-0045B】DIODE SCHOTTKY 45V 60A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：45 V・電流 - 平均整流（Io）：60A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：600 mV @ 60 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 mA @ 45 V・V
    ￥1,268.00 税込￥1,394.80
  • 47

    【MCO500-12IO1】SCR MODULE 1.2KV 880A Y1-CU

    【MCO500-12IO1】SCR MODULE 1.2KV 880A Y1-CU
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・構造：シングル・SCR、ダイオードの数：1 SCR・電圧 - オフ状態：1.2 kV・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：560 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：880 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：2 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：300 mA・電流 - 非繰り返しサー
    ￥27,764.78 税込￥30,541.25
  • 48

    【DNA30E2200PA】DIODE STANDARD 2200V 30A TO220AC

    【DNA30E2200PA】DIODE STANDARD 2200V 30A TO220AC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：2200 V・電流 - 平均整流（Io）：30A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.26 V @ 30 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：40 µA @ 2200 V・V
    ￥1,024.66 税込￥1,127.12
  • 49

    【IXSH100N65L2KHV】650V 25M (100A @ 25C) SIC MOSFET

    【IXSH100N65L2KHV】650V 25M (100A @ 25C) SIC MOSFET
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：99A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：33ミリオーム @ 40A、18V・Id印加時のV
    ￥2,098.83 税込￥2,308.71
  • 50

    【IXSH65N120L2KHV】1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET

    【IXSH65N120L2KHV】1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：65A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 20A、18V・Id印加時のV
    ￥1,892.95 税込￥2,082.24
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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