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半導体 　[ メーカー:IXYS ]の検索結果

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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【IXBH32N300】IGBT 3000V 80A TO-247AD

    【IXBH32N300】IGBT 3000V 80A TO-247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：BIMOSFET™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：3000 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：80 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：280 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.2V @ 15V、32A・電力 - 最大：400 W・スイッチングエネルギー：-・
    ￥13,000.00 税込￥14,300.00
  • 2

    【IXDN614SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

    【IXDN614SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入力タイプ：非反
    ￥811.12 税込￥892.23
  • 3

    【IXDN614SITR】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【IXDN614SITR】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入力
    ￥954.17 税込￥1,049.58
  • 4

    【IXDD614YI】IC PWR DRIVER 1:1 TO263-5

    【IXDD614YI】IC PWR DRIVER 1:1 TO263-5
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・スイッチタイプ：汎用・出力数：1・レシオ - 入力：出力：1：1・出力構成：ローサイド・出力タイプ：-・インターフェース：オン/オフ・電圧 - 負荷：4.5V～35V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：不要・電流 - 出力（最大）：4A・Rds On（標準）：-・入力タイプ：非反転・特長：-・フォールト保護：-・動作温度：
    ￥1,168.50 税込￥1,285.35
  • 5

    【DSA1-16D】DIODE AVALANCHE 1600V 2.3A

    【DSA1-16D】DIODE AVALANCHE 1600V 2.3A
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1600 V・電流 - 平均整流（Io）：2.3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.34 V @ 7 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：700 µA @ 1600 V・
    ￥1,225.34 税込￥1,347.87
  • 6

    【IXDN614SITR】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

    【IXDN614SITR】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入
    ￥954.17 税込￥1,049.58
  • 7

    【IXYT30N450HV】IGBT 4500V 60A TO-268HV

    【IXYT30N450HV】IGBT 4500V 60A TO-268HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：60 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：200 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大：430 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイプ
    ￥9,677.02 税込￥10,644.72
  • 8

    【IXTA02N450HV】MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263

    【IXTA02N450HV】MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小50個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：750オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs
    ￥1,519.24 税込￥1,671.16
  • 9

    【FDA217S】OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

    【FDA217S】OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：光学カップリング・チャンネル数：2・電圧 - 絶縁：3750Vrms・コモンモード過渡耐性（最小）：-・伝搬遅延tpLH/tpHL（最大）：2ms、0.5ms・パルス幅歪み（最大）：-・立ち上がり/立ち下がり時間（標準）：-・電流 - 出力高、低：-・電流 - ピーク出力：-・電圧 - 順方向（Vf）（標準）：1.2
    ￥790.28 税込￥869.30
  • 10

    【IXGH48N60A3】IGBT PT 600V 120A TO-247AD

    【IXGH48N60A3】IGBT PT 600V 120A TO-247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：GenX3™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：600 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：120 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：300 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.35V @ 15V、32A・電力 - 最大：300 W・スイッチングエネルギー：950
    ￥1,209.34 税込￥1,330.27
  • 11

    【MDD95-12N1B】DIODE MOD GP 1200V 120A TO-240AA

    【MDD95-12N1B】DIODE MOD GP 1200V 120A TO-240AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオード構成：1組直列接続・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1200 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：120A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.43 V @ 300 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr
    ￥6,618.40 税込￥7,280.24
  • 12

    【CPC3909CTR】MOSFET N-CH 400V 300MA SOT89

    【CPC3909CTR】MOSFET N-CH 400V 300MA SOT89
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：400 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9オーム @ 300m
    ￥284.29 税込￥312.71
  • 13

    【IXTN40P50P】MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B

    【IXTN40P50P】MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PolarP™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：230ミリオーム @ 500mA、10V・Id印
    ￥6,683.91 税込￥7,352.30
  • 14

    【IXTF02N450】MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC

    【IXTF02N450】MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：750オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs
    ￥7,978.17 税込￥8,775.98
  • 15

    【IXTH64N10L2】MOSFET N-CH 100V 64A TO247

    【IXTH64N10L2】MOSFET N-CH 100V 64A TO247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Linear L2™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：64A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 32A、10V・Id印
    ￥1,875.30 税込￥2,062.83
  • 16

    【IXYX40N450HV】IGBT 4500V 95A TO-247PLUS-HV

    【IXYX40N450HV】IGBT 4500V 95A TO-247PLUS-HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：95 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：350 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、40A・電力 - 最大：660 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイプ
    ￥11,389.66 税込￥12,528.62
  • 17

    【IXTX32P60P】MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3

    【IXTX32P60P】MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PolarP™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：32A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：350ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時
    ￥4,198.83 税込￥4,618.71
  • 18

    【IXTN32P60P】MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B

    【IXTN32P60P】MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PolarP™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：32A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：350ミリオーム @ 500mA、10V・Id印
    ￥6,683.91 税込￥7,352.30
  • 19

    【IXFK50N50】MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA

    【IXFK50N50】MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小25個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    ￥2,172.35 税込￥2,389.58
  • 20

    【DSEP2X101-04A】DIODE MOD GP 400V 100A SOT227B

    【DSEP2X101-04A】DIODE MOD GP 400V 100A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：100A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.54 V @ 100 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：30 ns・電流 - V
    ￥7,641.38 税込￥8,405.51
  • 21

    【IXTX40P50P】MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3

    【IXTX40P50P】MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PolarP™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：230ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時
    ￥4,198.83 税込￥4,618.71
  • 22

    【IRFP264】MOSFET N-CH 250V 38A TO247AD

    【IRFP264】MOSFET N-CH 250V 38A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小150個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：38A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 23A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥355.71 税込￥391.28
  • 23

    【IXTL2N450】MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK

    【IXTL2N450】MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥22,041.38 税込￥24,245.51
  • 24

    【IXTX1R4N450HV】MOSFET N-CH 4500V 1.4A TO247PLUS

    【IXTX1R4N450HV】MOSFET N-CH 4500V 1.4A TO247PLUS
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.4A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40オーム @ 50mA、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥12,722.99 税込￥13,995.28
  • 25

    【IXFX50N50】MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3

    【IXFX50N50】MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 25A、10V・Id印
  • 26

    【IXFQ50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO3P

    【IXFQ50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO3P
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar3™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：120ミリオーム @ 25
    ￥2,129.42 税込￥2,342.36
  • 27

    【W0944WC120】DIODE STANDARD 1200V 944A W1

    【W0944WC120】DIODE STANDARD 1200V 944A W1
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1200 V・電流 - 平均整流（Io）：944A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.45 V @ 1930 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：15 mA @ 1200 V・V
    ￥12,543.68 税込￥13,798.04
  • 28

    【IXTT02N450HV】MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268

    【IXTT02N450HV】MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：750オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs
    ￥5,847.13 税込￥6,431.84
  • 29

    【IXTT1N450HV】MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

    【IXTT1N450HV】MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85オーム @ 50mA、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥8,885.06 税込￥9,773.56
  • 30

    【IXFH16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD

    【IXFH16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 8A、1
    ￥1,278.67 税込￥1,406.53
  • 31

    【IXGN320N60A3】Nチャンネル IGBTモジュール 600 V 320 A 4-Pin SOT-227B コモンエミッタ

    【IXGN320N60A3】Nチャンネル IGBTモジュール 600 V 320 A 4-Pin SOT-227B コモンエミッタ
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    提携先在庫数：26個（2025/11/04 9:00 現在）　●仕様最大連続コレクタ電流320 A最大コレクタ- エミッタ間電圧600 V最大ゲート-エミッタ間電圧±20V最大パワー消費735 WパッケージタイプSOT-227B回路構成シングル実装タイプ表面実装チャンネルタイプNピン数4スイッチングスピード5kHzトランジスタ構成コモンエミッタ寸法38.23 x 25
    ￥8,050.00 税込￥8,855.00
  • 32

    【IXSH60N65L2KHV】650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET

    【IXSH60N65L2KHV】650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：53ミリオーム @ 20A、18V・Id印加時のVg
    ￥1,730.96 税込￥1,904.05
  • 33

    【IXYH30N450HV】IGBT PT 4500V 60A TO-247HV

    【IXYH30N450HV】IGBT PT 4500V 60A TO-247HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：60 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：200 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大：430 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイ
    ￥12,278.17 税込￥13,505.98
  • 34

    【IXFX520N075T2】MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247-3

    【IXFX520N075T2】MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247-3
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, TrenchT2™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：75 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：520A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.2ミリオーム @
    ￥3,165.89 税込￥3,482.47
  • 35

    【IXFH50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD

    【IXFH50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar3™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：120ミリオーム @ 25
    ￥2,332.95 税込￥2,566.24
  • 36

    【IXYF30N450】IGBT 4500V 23A ISOPLUS I4-PAC

    【IXYF30N450】IGBT 4500V 23A ISOPLUS I4-PAC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：23 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：190 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大：230 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイプ
    ￥21,617.25 税込￥23,778.97
  • 37

    【IXTH02N450HV】MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV

    【IXTH02N450HV】MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：625オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs
    ￥5,012.95 税込￥5,514.24
  • 38

    【IXFH56N30X3】MOSFET N-CH 300V 56A TO247

    【IXFH56N30X3】MOSFET N-CH 300V 56A TO247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Ultra X3・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：300 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：56A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 28
    ￥2,141.18 税込￥2,355.29
  • 39

    【IXFB150N65X2】MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264

    【IXFB150N65X2】MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Ultra X2・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：150A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7
    ￥5,632.19 税込￥6,195.40
  • 40

    【IXDD609YI】IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263

    【IXDD609YI】IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：9A、9A・入力タイプ：非反転・
    ￥663.89 税込￥730.27
  • 41

    【IXD2012NTR】Half-Bridge Driver 200V 1.4A SO

    【IXD2012NTR】Half-Bridge Driver 200V 1.4A SO
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：1.9A、2.3A・入力タイプ：非
    ￥191.43 税込￥210.57
  • 42

    【IX4341NTR】ローサイドMOSFETゲートドライバ

    【IX4341NTR】ローサイドMOSFETゲートドライバ
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：-・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～18V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：5A、5A・入力タイプ：反転・ハ
    ￥404.29 税込￥444.71
  • 43

    【MIO2400-17E10】IGBT MODULE 1700V 2400A E10

    【MIO2400-17E10】IGBT MODULE 1700V 2400A E10
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・IGBTタイプ：NPT・構成：シングルスイッチ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1700 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：2400 A・電力 - 最大：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.6V @ 15V、2400A・電流 - コレクタ遮断（最大）：120 mA・入力静電容量（Cies）
    ￥267,762.77 税込￥294,539.04
  • 44

    【VUM33-06PH】BRIDGE RECT 1PHASE 600V 106A

    【VUM33-06PH】BRIDGE RECT 1PHASE 600V 106A
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相（PFCモジュール）・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：106 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.39 V @ 50 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：30 µA @ 600 V・動作温度：-40°C～150°C（TJ）・グレード：-
    ￥11,682.76 税込￥12,851.03
  • 45

    【DSS2X101-015A】DIODE MOD SCHOTTKY 150V SOT227B

    【DSS2X101-015A】DIODE MOD SCHOTTKY 150V SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：150 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：100A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：910 mV @ 100 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - V
    ￥5,444.83 税込￥5,989.31
  • 46

    【DSEI60-12A】整流ダイオード 52A 1200V スルーホール 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 2.55V

    【DSEI60-12A】整流ダイオード 52A 1200V スルーホール 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 2.55V
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    提携先在庫数：25個（2025/11/04 9:00 現在）　●仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-247AD最大連続 順方向電流 = 52Aピーク逆繰返し電圧 = 1200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.55V1チップ当たりのエレメ
    ￥1,330.00 税込￥1,463.00
  • 47

    【DSS60-0045B】DIODE SCHOTTKY 45V 60A TO247AD

    【DSS60-0045B】DIODE SCHOTTKY 45V 60A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：45 V・電流 - 平均整流（Io）：60A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：600 mV @ 60 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 mA @ 45 V・V
    ￥1,256.00 税込￥1,381.60
  • 48

    【MCO500-12IO1】SCR MODULE 1.2KV 880A Y1-CU

    【MCO500-12IO1】SCR MODULE 1.2KV 880A Y1-CU
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・構造：シングル・SCR、ダイオードの数：1 SCR・電圧 - オフ状態：1.2 kV・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：560 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：880 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：2 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：300 mA・電流 - 非繰り返しサー
    ￥27,494.32 税込￥30,243.75
  • 49

    【DNA30E2200PA】DIODE STANDARD 2200V 30A TO220AC

    【DNA30E2200PA】DIODE STANDARD 2200V 30A TO220AC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：2200 V・電流 - 平均整流（Io）：30A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.26 V @ 30 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：40 µA @ 2200 V・V
    ￥1,015.07 税込￥1,116.57
  • 50

    【IXYH100N65C3】IGBT PT 650V 200A TO-247

    【IXYH100N65C3】IGBT PT 650V 200A TO-247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：GenX3™, XPT™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：650 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：200 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：420 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.3V @ 15V、70A・電力 - 最大：830 W・スイッチングエネルギ
    ￥2,825.89 税込￥3,108.47
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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