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半導体 　[ メーカー:IXYS ]の検索結果

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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【IXBH32N300】IGBT 3000V 80A TO-247AD

    【IXBH32N300】IGBT 3000V 80A TO-247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：BIMOSFET™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：3000 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：80 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：280 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.2V @ 15V、32A・電力 - 最大：400 W・スイッチングエネルギー：-・
    ￥12,597.71 税込￥13,857.48
  • 2

    【MDD95-12N1B】DIODE MOD GP 1200V 120A TO-240AA

    【MDD95-12N1B】DIODE MOD GP 1200V 120A TO-240AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオード構成：1組直列接続・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1200 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：120A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.43 V @ 300 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr
    ￥6,412.65 税込￥7,053.91
  • 3

    【DSA1-16D】DIODE AVALANCHE 1600V 2.3A

    【DSA1-16D】DIODE AVALANCHE 1600V 2.3A
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1600 V・電流 - 平均整流（Io）：2.3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.34 V @ 7 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：700 µA @ 1600 V・
    ￥1,209.59 税込￥1,330.54
  • 4

    【IXYT30N450HV】IGBT 4500V 60A TO-268HV

    【IXYT30N450HV】IGBT 4500V 60A TO-268HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：60 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：200 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大：430 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイプ
    ￥9,377.02 税込￥10,314.72
  • 5

    【IRFP264】MOSFET N-CH 250V 38A TO247AD

    【IRFP264】MOSFET N-CH 250V 38A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小150個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：38A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 23A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥344.70 税込￥379.17
  • 6

    【DSEP2X101-04A】DIODE MOD GP 400V 100A SOT227B

    【DSEP2X101-04A】DIODE MOD GP 400V 100A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：100A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.54 V @ 100 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：30 ns・電流 - V
    ￥7,405.75 税込￥8,146.32
  • 7

    【IXTA02N450HV】MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263

    【IXTA02N450HV】MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小50個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：750オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs
    ￥1,472.20 税込￥1,619.42
  • 8

    【IXYX40N450HV】IGBT 4500V 95A TO-247PLUS-HV

    【IXYX40N450HV】IGBT 4500V 95A TO-247PLUS-HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：95 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：350 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、40A・電力 - 最大：660 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイプ
    ￥11,036.79 税込￥12,140.46
  • 9

    【IXFX50N50】MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3

    【IXFX50N50】MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 25A、10V・Id印
  • 10

    【IXFK50N50】MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA

    【IXFK50N50】MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小25個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    ￥2,105.07 税込￥2,315.57
  • 11

    【IXTF02N450】MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC

    【IXTF02N450】MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：750オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs
    ￥7,731.04 税込￥8,504.14
  • 12

    【IXTH24N50】MOSFET N-CH 500V 24A TO247

    【IXTH24N50】MOSFET N-CH 500V 24A TO247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：MegaMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：24A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：230ミリオーム @ 12A、10V・Id印加
  • 13

    【IXFH16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD

    【IXFH16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 8A、1
    ￥1,225.34 税込￥1,347.87
  • 14

    【IXFQ50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO3P

    【IXFQ50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO3P
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar3™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：120ミリオーム @ 25
    ￥2,063.53 税込￥2,269.88
  • 15

    【IXTX1R4N450HV】MOSFET N-CH 4500V 1.4A TO247PLUS

    【IXTX1R4N450HV】MOSFET N-CH 4500V 1.4A TO247PLUS
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.4A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40オーム @ 50mA、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥12,098.86 税込￥13,308.74
  • 16

    【DSS2X101-015A】DIODE MOD SCHOTTKY 150V SOT227B

    【DSS2X101-015A】DIODE MOD SCHOTTKY 150V SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：150 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：100A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：910 mV @ 100 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - V
    ￥5,275.87 税込￥5,803.45
  • 17

    【W0944WC120】DIODE STANDARD 1200V 944A W1

    【W0944WC120】DIODE STANDARD 1200V 944A W1
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1200 V・電流 - 平均整流（Io）：944A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.45 V @ 1930 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：15 mA @ 1200 V・V
    ￥12,155.18 税込￥13,370.69
  • 18

    【IXGN320N60A3】Nチャンネル IGBTモジュール 600 V 320 A 4-Pin SOT-227B コモンエミッタ

    【IXGN320N60A3】Nチャンネル IGBTモジュール 600 V 320 A 4-Pin SOT-227B コモンエミッタ
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    提携先在庫数：26個（2025/10/06 9:00 現在）　●仕様最大連続コレクタ電流320 A最大コレクタ- エミッタ間電圧600 V最大ゲート-エミッタ間電圧±20V最大パワー消費735 WパッケージタイプSOT-227B回路構成シングル実装タイプ表面実装チャンネルタイプNピン数4スイッチングスピード5kHzトランジスタ構成コモンエミッタ寸法38.23 x 25
    ￥8,050.00 税込￥8,855.00
  • 19

    【IXYH30N450HV】IGBT PT 4500V 60A TO-247HV

    【IXYH30N450HV】IGBT PT 4500V 60A TO-247HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：60 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：200 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大：430 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイ
    ￥11,897.71 税込￥13,087.48
  • 20

    【IXFH50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD

    【IXFH50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar3™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：120ミリオーム @ 25
    ￥2,092.95 税込￥2,302.24
  • 21

    【IXSH60N65L2KHV】650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET

    【IXSH60N65L2KHV】650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：53ミリオーム @ 20A、18V・Id印加時のVg
    ￥1,677.39 税込￥1,845.12
  • 22

    【IXYF30N450】IGBT 4500V 23A ISOPLUS I4-PAC

    【IXYF30N450】IGBT 4500V 23A ISOPLUS I4-PAC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：23 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：190 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大：230 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイプ
    ￥20,947.13 税込￥23,041.84
  • 23

    【VUM33-06PH】BRIDGE RECT 1PHASE 600V 106A

    【VUM33-06PH】BRIDGE RECT 1PHASE 600V 106A
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相（PFCモジュール）・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：106 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.39 V @ 50 A・電圧に結合された電流 - Ifでの順方向（Vf）（最大）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：30 µA @ 60
    ￥11,974.72 税込￥13,172.19
  • 24

    【IXDI609SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

    【IXDI609SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：9A、9A・入力タイプ：反転・ハ
    ￥557.15 税込￥612.86
  • 25

    【DSS60-0045B】DIODE SCHOTTKY 45V 60A TO247AD

    【DSS60-0045B】DIODE SCHOTTKY 45V 60A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：45 V・電流 - 平均整流（Io）：60A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：600 mV @ 60 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 mA @ 45 V・V
    ￥1,216.00 税込￥1,337.60
  • 26

    【IXBX50N360HV】IGBT 3600V 125A TO-247PLUS-HV

    【IXBX50N360HV】IGBT 3600V 125A TO-247PLUS-HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：BIMOSFET™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：3600 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：125 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：420 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.9V @ 15V、50A・電力 - 最大：660 W・スイッチングエネルギー：-
  • 27

    【IXFB150N65X2】MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264

    【IXFB150N65X2】MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Ultra X2・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：150A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7
    ￥5,571.27 税込￥6,128.39
  • 28

    【IXDD609YI】IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263

    【IXDD609YI】IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：9A、9A・入力タイプ：非反転・
    ￥648.62 税込￥713.48
  • 29

    【MIO2400-17E10】IGBT MODULE 1700V 2400A E10

    【MIO2400-17E10】IGBT MODULE 1700V 2400A E10
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・IGBTタイプ：NPT・構成：シングルスイッチ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1700 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：2400 A・電力 - 最大：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.6V @ 15V、2400A・電流 - コレクタ遮断（最大）：120 mA・入力静電容量（Cies）
    ￥259,472.35 税込￥285,419.58
  • 30

    【IXD2012NTR】Half-Bridge Driver 200V 1.4A SO

    【IXD2012NTR】Half-Bridge Driver 200V 1.4A SO
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：1.9A、2.3A・入力タイプ：非
    ￥187.15 税込￥205.86
  • 31

    【IX4341NTR】ローサイドMOSFETゲートドライバ

    【IX4341NTR】ローサイドMOSFETゲートドライバ
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：-・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～18V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：5A、5A・入力タイプ：反転・ハ
    ￥394.29 税込￥433.71
  • 32

    【DSS2X61-01A】DIODE MOD SCHOT 100V 60A SOT227B

    【DSS2X61-01A】DIODE MOD SCHOT 100V 60A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：60A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：910 mV @ 60 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印
    ￥4,484.71 税込￥4,933.18
  • 33

    【DSEI60-12A】整流ダイオード 52A 1200V スルーホール 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 2.55V

    【DSEI60-12A】整流ダイオード 52A 1200V スルーホール 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 2.55V
    メーカー名：
    IXYS
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    提携先在庫数：30個（2025/10/06 9:00 現在）　●仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-247AD最大連続 順方向電流 = 52Aピーク逆繰返し電圧 = 1200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.55V1チップ当たりのエレメ
    ￥1,330.00 税込￥1,463.00
  • 34

    【MCO500-12IO1】SCR MODULE 1.2KV 880A Y1-CU

    【MCO500-12IO1】SCR MODULE 1.2KV 880A Y1-CU
    メーカー名：
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・構造：シングル・SCR、ダイオードの数：1 SCR・電圧 - オフ状態：1.2 kV・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：560 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：880 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：2 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：300 mA・電流 - 非繰り返しサー
    ￥26,643.19 税込￥29,307.50
  • 35

    【DNA30E2200PA】DIODE STANDARD 2200V 30A TO220AC

    【DNA30E2200PA】DIODE STANDARD 2200V 30A TO220AC
    メーカー名：
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：2200 V・電流 - 平均整流（Io）：30A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.26 V @ 30 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：40 µA @ 2200 V・V
    ￥983.57 税込￥1,081.92
  • 36

    【IXYH100N65C3】IGBT PT 650V 200A TO-247

    【IXYH100N65C3】IGBT PT 650V 200A TO-247
    メーカー名：
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：GenX3™, XPT™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：650 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：200 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：420 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.3V @ 15V、70A・電力 - 最大：830 W・スイッチングエネルギ
    ￥2,737.65 税込￥3,011.41
  • 37

    【IXSH100N65L2KHV】650V 25M (100A @ 25C) SIC MOSFET

    【IXSH100N65L2KHV】650V 25M (100A @ 25C) SIC MOSFET
    メーカー名：
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印
    ￥2,014.12 税込￥2,215.53
  • 38

    【IXSH65N120L2KHV】1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET

    【IXSH65N120L2KHV】1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
    メーカー名：
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印
    ￥1,816.48 税込￥1,998.12
  • 39

    【IXSG110N65L2K】650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET [digi-reel品] DigiReel商品

    【IXSG110N65L2K】650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET [digi-reel品]
    メーカー名：
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：
    ￥1,974.12 税込￥2,171.53
  • 40

    【IXSG110N65L2K】650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET

    【IXSG110N65L2K】650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥1,974.12 税込￥2,171.53
  • 41

    【IXSG110N65L2K】650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET

    【IXSG110N65L2K】650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
    メーカー名：
    IXYS
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    最小2,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥843.87 税込￥928.25
  • 42

    【IXSA110N65L2-7TR】650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET DigiReel商品

    【IXSA110N65L2-7TR】650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
    メーカー名：
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ：-・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印加時の
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    【IXSA65N120L2-7TR】1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET [digi-reel品] DigiReel商品

    【IXSA65N120L2-7TR】1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET [digi-reel品]
    メーカー名：
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：
    ￥1,776.48 税込￥1,954.12
  • 44

    【IXSA65N120L2-7TR】1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET

    【IXSA65N120L2-7TR】1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
    メーカー名：
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥1,776.48 税込￥1,954.12
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    【IXSA110N65L2-7TR】650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET

    【IXSA110N65L2-7TR】650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
    メーカー名：
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥1,974.12 税込￥2,171.53
  • 46

    【IXSA110N65L2-7TR】650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET

    【IXSA110N65L2-7TR】650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小800個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥843.87 税込￥928.25
  • 47

    【IXSA65N120L2-7TR】1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET

    【IXSA65N120L2-7TR】1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
    メーカー名：
    IXYS
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    出荷予定日：
    最小800個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥735.03 税込￥808.53
  • 48

    【IX4352NEAU】9A LOW SIDE SIC MOSFET & IGBT DR

    【IX4352NEAU】9A LOW SIDE SIC MOSFET & IGBT DR
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：-・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：16.5V ~ 35V・論理電圧 - VIL、VIH：1V、2.3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：9A、9A・入力タイプ：非反転・ハイサイド電圧 - 最
    ￥894.45 税込￥983.89
  • 49

    【IX4352NEAUTR】9A LOW SIDE SIC MOSFET & IGBT DR [digi-reel品] DigiReel商品

    【IX4352NEAUTR】9A LOW SIDE SIC MOSFET & IGBT DR [digi-reel品]
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：-・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：16.5V ~ 35V・論理電圧 - VIL、VIH：1V、2.3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：9A、9A・入力タイプ：非反転・ハイサイド
    ￥894.45 税込￥983.89
  • 50

    【IX4352NEAUTR】9A LOW SIDE SIC MOSFET & IGBT DR

    【IX4352NEAUTR】9A LOW SIDE SIC MOSFET & IGBT DR
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：-・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：MOSFET（Nチャンネル）・電圧 - 供給：16.5V ~ 35V・論理電圧 - VIL、VIH：1V、2.3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：9A、9A・入力タイプ：非反転・ハイサイ
    ￥894.45 税込￥983.89
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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