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半導体 　[ メーカー:IXYS ]の検索結果

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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【CPC1301GRTR】OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 4-SMD

    【CPC1301GRTR】OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 4-SMD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・チャンネル数：1・電圧 - 絶縁：5000Vrms・電流伝達率（最小）：1000% @ 1mA・電流伝達率（最大）：8000% @ 1mA・ターンオン/ターンオフ時間（標準）：1µs、80µs・立ち上がり/立ち下がり時間（標準）：40µs、2.6µs・入力タイプ：DC・出力タイプ：ダーリントン・電圧 - 出力
    ￥965.28 税込￥1,061.80
  • 2

    【IXYP60N65A5】IGBT PT 650V 134A TO-220

    【IXYP60N65A5】IGBT PT 650V 134A TO-220
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™, GenX5™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：650 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：134 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：260 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.35V @ 15V、36A・電力 - 最大：395 W・スイッチングエネル
    ￥1,471.61 税込￥1,618.77
  • 3

    【IXYK30N170CV1】IGBT PT 1700V 100A TO-264

    【IXYK30N170CV1】IGBT PT 1700V 100A TO-264
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小300個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1700 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：250 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：4V @ 15V、30A・電力 - 最大：937 W・スイッチングエネルギー：3.6mJ（電
    ￥5,031.40 税込￥5,534.54
  • 4

    【IXBA16N170AHV-TRL】IGBT 1700V 16A TO-263HV

    【IXBA16N170AHV-TRL】IGBT 1700V 16A TO-263HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小800個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：BIMOSFET™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1700 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：16 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：40 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：6V @ 15V、10A・電力 - 最大：150 W・スイッチングエネルギ
    ￥5,100.66 税込￥5,610.72
  • 5

    【IXTA02N250HV-TRL】MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263HV

    【IXTA02N250HV-TRL】MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小800個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450オーム @ 50mA、10V・Id
    ￥1,771.47 税込￥1,948.61
  • 6

    【IXTA02N250HV】MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB

    【IXTA02N250HV】MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450オーム @ 50mA、10V・Id印加時のVgs
    ￥3,311.77 税込￥3,642.94
  • 7

    【IXTP16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB

    【IXTP16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVg
    ￥1,379.02 税込￥1,516.92
  • 8

    【IRFP260】MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD

    【IRFP260】MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小150個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：55ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥371.66 税込￥408.82
  • 9

    【IXFH16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD

    【IXFH16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 8A、1
    ￥1,606.03 税込￥1,766.63
  • 10

    【IXBOD2-22RD】TVS DEVICE MIXED 2200V BOD

    【IXBOD2-22RD】TVS DEVICE MIXED 2200V BOD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小20個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・電圧 - クランピング：-・技術：-・回路数：-・用途：-・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：
    ￥16,793.04 税込￥18,472.34
  • 11

    【IXDN614SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

    【IXDN614SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入力タイプ：非反
    ￥1,117.81 税込￥1,229.59
  • 12

    【IXTH1N450HV】MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV

    【IXTH1N450HV】MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80オーム @ 50mA、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥10,040.23 税込￥11,044.25
  • 13

    【CPC3701CTR】MOSFET N-CH 60V SOT89 [digi-reel品] DigiReel商品

    【CPC3701CTR】MOSFET N-CH 60V SOT89 [digi-reel品]
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 300mA、0V・Id印加時
    ￥551.43 税込￥606.57
  • 14

    【CLA60MT1200NTZ-TRL】TRIAC 1.2KV 66A TO268AA

    【CLA60MT1200NTZ-TRL】TRIAC 1.2KV 66A TO268AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小400個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・トライアックタイプ：標準・電圧 - オフ状態：1.2 kV・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：66 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.7 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：380A、410A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：60 mA・電流 - ホ
    ￥1,318.95 税込￥1,450.84
  • 15

    【CPC7695ZC】IC TELECOM INTERFACE 20SOIC

    【CPC7695ZC】IC TELECOM INTERFACE 20SOIC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小240個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・機能：ラインカードアクセススイッチ・インターフェース：TTL・回路数：1・電圧 - 供給：4.5V～5.5V・電流 - 供給：2mA・電力（ワット）：10.5 mW・動作温度：-40°C～110°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：20-SOIC（幅0.295インチ、7.50mm）・サプ
    ￥2,437.50 税込￥2,681.25
  • 16

    【CPC3710CTR】MOSFET N-CH 250V SOT89

    【CPC3710CTR】MOSFET N-CH 250V SOT89
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10オーム @ 220mA、0V・Id
    ￥531.43 税込￥584.57
  • 17

    【IXTL2N450】MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK

    【IXTL2N450】MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥27,413.64 税込￥30,155.00
  • 18

    【IXTH2N150L】MOSFET N-CH 1500V 2A TO247

    【IXTH2N150L】MOSFET N-CH 1500V 2A TO247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Linear・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15オーム @ 1A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥3,656.48 税込￥4,022.12
  • 19

    【IXFH26N50P】MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD

    【IXFH26N50P】MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：26A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：230ミリオーム @ 13A、
    ￥2,121.18 税込￥2,333.29
  • 20

    【IXDN614YI】IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5

    【IXDN614YI】IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入力タイプ：非反
    ￥1,296.16 税込￥1,425.77
  • 21

    【DSEI30-10A】DIODE STANDARD 1000V 30A TO247AD

    【DSEI30-10A】DIODE STANDARD 1000V 30A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1000 V・電流 - 平均整流（Io）：30A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：2.4 V @ 36 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：50 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：750 µA @ 1000
    ￥1,550.00 税込￥1,705.00
  • 22

    【CPC3708CTR】MOSFET N-CH 350V 5MA SOT89

    【CPC3708CTR】MOSFET N-CH 350V 5MA SOT89
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：350 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0.35V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14オーム @ 50
    ￥134.56 税込￥148.01
  • 23

    【IXFH50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD

    【IXFH50N50P3】MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar3™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：120ミリオーム @ 25
    ￥2,437.65 税込￥2,681.41
  • 24

    【IXFT80N15Q】MOSFET N-CH 150V 80A TO268

    【IXFT80N15Q】MOSFET N-CH 150V 80A TO268
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小30個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22.5ミリオーム @ 40A、10V・Id
    ￥1,622.13 税込￥1,784.34
  • 25

    【DSEI2X61-06C】DIODE MODULE GP 600V 60A SOT227B

    【DSEI2X61-06C】DIODE MODULE GP 600V 60A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：FRED・ダイオード構成：2独立・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：60A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.8 V @ 60 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：50 ns・電流 - V
    ￥6,978.17 税込￥7,675.98
  • 26

    【IXTN210P10T】MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B

    【IXTN210P10T】MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TrenchP™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：210A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5ミリオーム @ 105A、10V・Id
    ￥11,212.65 税込￥12,333.91
  • 27

    【IXFK80N15Q】MOSFET N-CH 150V 80A TO264AA

    【IXFK80N15Q】MOSFET N-CH 150V 80A TO264AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小25個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Q Class・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22.5ミリオーム @ 4
    ￥1,448.35 税込￥1,593.18
  • 28

    【CLA60MT1200NTZ-TUB】TRIAC 1.2KV 66A TO268AA

    【CLA60MT1200NTZ-TUB】TRIAC 1.2KV 66A TO268AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：標準・電圧 - オフ状態：1.2 kV・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：66 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.3 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：380A、410A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：60 mA・電流 - ホールド（Ih）
    ￥2,289.42 税込￥2,518.36
  • 29

    【IXTQ82N25P】MOSFET N-CH 250V 82A TO3P

    【IXTQ82N25P】MOSFET N-CH 250V 82A TO3P
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：82A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：35ミリオーム @ 41A、10V・Id印加時のVg
    ￥2,369.42 税込￥2,606.36
  • 30

    【IXTH16P60P】MOSFET P-CH 600V 16A TO247

    【IXTH16P60P】MOSFET P-CH 600V 16A TO247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PolarP™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：720ミリオーム @ 500mA、10V・Id印
    ￥3,072.95 税込￥3,380.24
  • 31

    【IXTQ52N30P】MOSFET N-CH 300V 52A TO3P

    【IXTQ52N30P】MOSFET N-CH 300V 52A TO3P
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：300 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：52A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム @ 26A、10V・Id印加時のVg
    ￥1,719.05 税込￥1,890.95
  • 32

    【IXFQ72N30X3】MOSFET N-CH 300V 72A TO3P

    【IXFQ72N30X3】MOSFET N-CH 300V 72A TO3P
    メーカー名：
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Ultra X3・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：300 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：72A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 36
    ￥2,664.71 税込￥2,931.18
  • 33

    【IXGN320N60A3】Nチャンネル IGBTモジュール 600 V 320 A 4-Pin SOT-227B コモンエミッタ

    【IXGN320N60A3】Nチャンネル IGBTモジュール 600 V 320 A 4-Pin SOT-227B コモンエミッタ
    メーカー名：
    IXYS
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    ●仕様最大連続コレクタ電流320 A最大コレクタ- エミッタ間電圧600 V最大ゲート-エミッタ間電圧±20V最大パワー消費735 WパッケージタイプSOT-227B回路構成シングル実装タイプ表面実装チャンネルタイプNピン数4スイッチングスピード5kHzトランジスタ構成コモンエミッタ寸法38.23 x 25.07 x 9.6mm動作温度 Min-55 ℃動作温度 Ma
    ￥8,200.00 税込￥9,020.00
  • 34

    【IXXH30N60B3D1】IGBT PT 600V 60A TO-247AD

    【IXXH30N60B3D1】IGBT PT 600V 60A TO-247AD
    メーカー名：
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：GenX3™, XPT™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：600 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：60 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：115 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.85V @ 15V、24A・電力 - 最大：270 W・スイッチングエネルギ
    ￥1,670.24 税込￥1,837.26
  • 35

    【FBS16-06SC】BRIDGE RECT 1P 600V 11A I4-PAC

    【FBS16-06SC】BRIDGE RECT 1P 600V 11A I4-PAC
    メーカー名：
    IXYS
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    最小25個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：シリコンカーバイドショットキー・電圧 - ピーク逆方向（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：11 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.8 V @ 6 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：200 µA @ 600 V・動作温度：-55°C～175°C（TJ）・グレ
    ￥11,606.26 税込￥12,766.88
  • 36

    【DSEP8-12A】スイッチングダイオード スルーホール シングル エレメント数 1 TO-220AC 2-Pin 2.94V

    【DSEP8-12A】スイッチングダイオード スルーホール シングル エレメント数 1 TO-220AC 2-Pin 2.94V
    メーカー名：
    IXYS
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    ●仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 10.66mm幅 = 4.82mm高さ = 16.51mm寸法 = 10.66 x 4.82 x 16.51mmローム整流
    ￥633.00 税込￥696.00
  • 37

    【IXFN420N10T】Nチャンネル MOSFET100 V 420 A 表面実装 パッケージSOT-227 4 ピン

    【IXFN420N10T】Nチャンネル MOSFET100 V 420 A 表面実装 パッケージSOT-227 4 ピン
    メーカー名：
    IXYS
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    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流420 A最大ドレイン-ソース間電圧100 VパッケージタイプSOT-227実装タイプスクリュー マウントピン数4最大ドレイン-ソース間抵抗2.3 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧5V最低ゲートしきい値電圧2.5V最大パワー消費1.07 kW最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V標準ゲー
    ￥6,030.00 税込￥6,633.00
  • 38

    【DSEI60-12A】整流ダイオード 52A 1200V スルーホール 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 2.55V

    【DSEI60-12A】整流ダイオード 52A 1200V スルーホール 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 2.55V
    メーカー名：
    IXYS
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    ●仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-247AD最大連続 順方向電流 = 52Aピーク逆繰返し電圧 = 1200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.55V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクショ
    ￥1,628.00 税込￥1,790.00
  • 39

    【DNA30E2200PA】DIODE STANDARD 2200V 30A TO220AC

    【DNA30E2200PA】DIODE STANDARD 2200V 30A TO220AC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：2200 V・電流 - 平均整流（Io）：30A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.26 V @ 30 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：40 µA @ 2200 V・V
    ￥1,419.76 税込￥1,561.73
  • 40

    【IXTH75N10L2】MOSFET N-CH 100V 75A TO247

    【IXTH75N10L2】MOSFET N-CH 100V 75A TO247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Linear L2™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：75A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：21ミリオーム @ 500mA、10V・I
    ￥4,103.53 税込￥4,513.88
  • 41

    【IXTQ52P10P】MOSFET P-CH 100V 52A TO3P

    【IXTQ52P10P】MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PolarP™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：52A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 52A、10V・Id印加時の
    ￥2,002.36 税込￥2,202.59
  • 42

    【IXYH30N450HV】IGBT PT 4500V 60A TO-247HV

    【IXYH30N450HV】IGBT PT 4500V 60A TO-247HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：60 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：200 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大：430 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイ
    ￥15,388.51 税込￥16,927.36
  • 43

    【QK040M4TP】TRIAC 1000V 40A 50-50-50-100MA T

    【QK040M4TP】TRIAC 1000V 40A 50-50-50-100MA T
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：-・電圧 - オフ状態：-・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：-・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：-・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：-・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：-・電流 - ホールド（Ih）（最大）：-・構成：-・動作温度：-・グレード：-
    ￥2,684.71 税込￥2,953.18
  • 44

    【QV8035LH4TP】35A HIGH TJ ALTERNISTOR TO-220

    【QV8035LH4TP】35A HIGH TJ ALTERNISTOR TO-220
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：-・電圧 - オフ状態：-・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：-・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：-・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：-・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：-・電流 - ホールド（Ih）（最大）：-・構成：-・動作温度：-・グレード：-
    ￥2,274.12 税込￥2,501.53
  • 45

    【QV6035LH4TP】35A HIGH TJ ALTERNISTOR TO-220 I

    【QV6035LH4TP】35A HIGH TJ ALTERNISTOR TO-220 I
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：-・電圧 - オフ状態：-・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：-・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：-・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：-・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：-・電流 - ホールド（Ih）（最大）：-・構成：-・動作温度：-・グレード：-
    ￥2,129.42 税込￥2,342.36
  • 46

    【QV8035RH4TP】35A HIGH TJ ALTERNISTOR TO-220 N

    【QV8035RH4TP】35A HIGH TJ ALTERNISTOR TO-220 N
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：-・電圧 - オフ状態：-・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：-・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：-・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：-・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：-・電流 - ホールド（Ih）（最大）：-・構成：-・動作温度：-・グレード：-
    ￥1,396.16 税込￥1,535.77
  • 47

    【QV6035RH4TP】35A HIGH TJ ALTERNISTOR TO-220 N

    【QV6035RH4TP】35A HIGH TJ ALTERNISTOR TO-220 N
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：-・電圧 - オフ状態：-・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：-・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：-・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：-・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：-・電流 - ホールド（Ih）（最大）：-・構成：-・動作温度：-・グレード：-
    ￥1,294.67 税込￥1,424.13
  • 48

    【LX809MBRP】"SEN TRIAC 0.8A 600V 10,10,10,10

    【LX809MBRP】"SEN TRIAC 0.8A 600V 10,10,10,10
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：ロジック - 高感度ゲート・電圧 - オフ状態：600 V・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：800 mA・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.3 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：8A、9.5A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：10 mA・電流
    ￥151.43 税込￥166.57
  • 49

    【MCL10P1200LB-TUB】SIC MOSFET PHASE LEG IN SMPD-B

    【MCL10P1200LB-TUB】SIC MOSFET PHASE LEG IN SMPD-B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・構成：2Nチャンネル（位相レッグ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：19.5A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：200ミリオーム @ 10A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥12,175.87 税込￥13,393.45
  • 50

    【SJ8008DRP】HT SCR 800V 8A TO252

    【SJ8008DRP】HT SCR 800V 8A TO252
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SJxx08xx・電圧 - オフ状態：800 V・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：800 mV・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：200 µA・電圧 - オン状態（Vtm）（最大）：1.6 V・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：5.1 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：8 A・電流
    ￥470.00 税込￥517.00
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