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半導体 　[ メーカー:IXYS ]の検索結果

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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【IXYH30N450HV】IGBT PT 4500V 60A TO-247HV

    【IXYH30N450HV】IGBT PT 4500V 60A TO-247HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：60 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：200 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大：430 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイ
    ￥15,673.57 税込￥17,240.92
  • 2

    【IXDN614SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

    【IXDN614SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入力タイプ：非反
    ￥1,138.36 税込￥1,252.19
  • 3

    【IXTN600N04T2】MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B

    【IXTN600N04T2】MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TrenchT2™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：600A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.05ミリオーム @ 100A、10V・I
    ￥8,296.56 税込￥9,126.21
  • 4

    【IXYH50N120C3】IGBT 1200V 100A TO-247

    【IXYH50N120C3】IGBT 1200V 100A TO-247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：GenX3™, XPT™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1200 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：240 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.5V @ 15V、50A・電力 - 最大：750 W・スイッチングエネルギ
    ￥2,751.77 税込￥3,026.94
  • 5

    【IXTA02N250HV-TRL】MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263HV

    【IXTA02N250HV-TRL】MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小800個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450オーム @ 50mA、10V・Id
    ￥1,810.87 税込￥1,991.95
  • 6

    【IXDN604SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

    【IXDN604SI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：4A、4A・入力タイプ：非反転・ハイ
    ￥875.00 税込￥962.50
  • 7

    【IXTA02N250HV】MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB

    【IXTA02N250HV】MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450オーム @ 50mA、10V・Id印加時のVgs
    ￥3,385.89 税込￥3,724.47
  • 8

    【IXFP12N50P】MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB

    【IXFP12N50P】MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小50個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500ミリオーム @ 6A、1
    ￥569.30 税込￥626.23
  • 9

    【IXYH55N120C4】IGBT 1200V 140A TO-247

    【IXYH55N120C4】IGBT 1200V 140A TO-247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1200 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：140 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：290 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.5V @ 15V、55A・電力 - 最大：650 W・スイッチングエネルギー：3.5mJ（
    ￥2,800.00 税込￥3,080.00
  • 10

    【MMIX4B22N300】IGBT ARR FBRIDGE 3000V 38A 24SMD

    【MMIX4B22N300】IGBT ARR FBRIDGE 3000V 38A 24SMD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：BIMOSFET™・IGBTタイプ：-・構成：フルブリッジ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：3000 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：38 A・電力 - 最大：150 W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.7V @ 15V、22A・電流 - コレクタ遮断（最大）：35 µA・入力静電容量（
    ￥22,906.90 税込￥25,197.59
  • 11

    【IRFP264】MOSFET N-CH 250V 38A TO247AD

    【IRFP264】MOSFET N-CH 250V 38A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小150個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：38A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 23A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥379.93 税込￥417.92
  • 12

    【IXYX40N450HV】IGBT 4500V 95A TO-247PLUS-HV

    【IXYX40N450HV】IGBT 4500V 95A TO-247PLUS-HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：95 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：350 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、40A・電力 - 最大：660 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイプ
    ￥14,465.52 税込￥15,912.07
  • 13

    【IXTH1N450HV】MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV

    【IXTH1N450HV】MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80オーム @ 50mA、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥10,263.22 税込￥11,289.54
  • 14

    【IXCP10M90S】IC CURRENT REGULATOR TO220-3

    【IXCP10M90S】IC CURRENT REGULATOR TO220-3
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：IXC・機能：電流レギュレータ・センシング方法：-・精度：-・電圧 - 入力：900V・電流 - 出力：100mA・動作温度：-55°C～150°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：TO-220-3・サプライヤデバイスパッケージ：TO-220-3
    ￥1,237.34 税込￥1,361.07
  • 15

    【IXTY1R6N50D2-TRL】MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA

    【IXTY1R6N50D2-TRL】MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：Depletion・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.6A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.3オ
    ￥343.50 税込￥377.85
  • 16

    【IXYH55N120C4H1】IGBT TRENCH 1200V 126A TO-247

    【IXYH55N120C4H1】IGBT TRENCH 1200V 126A TO-247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：トレンチ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1200 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：126 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：290 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.5V @ 15V、55A・電力 - 最大：650 W・スイッチングエネルギー：3.5
    ￥3,571.77 税込￥3,928.94
  • 17

    【IXFP12N50PM】MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB

    【IXFP12N50PM】MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小50個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500ミリオーム @ 6A、10
    ￥334.53 税込￥367.98
  • 18

    【IXTP10P50P】MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB

    【IXTP10P50P】MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PolarP™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥1,962.36 税込￥2,158.59
  • 19

    【IXDN614SITR】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【IXDN614SITR】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入力
    ￥1,205.48 税込￥1,326.02
  • 20

    【IXYL60N450】IGBT 4500V 90A ISOPLUSI5-PAK

    【IXYL60N450】IGBT 4500V 90A ISOPLUSI5-PAK
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：90 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：680 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.3V @ 15V、60A・電力 - 最大：417 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイプ
    ￥23,196.60 税込￥25,516.26
  • 21

    【CPC7512Z】IC ANALOG SW ARRAY DUAL 20SOIC

    【CPC7512Z】IC ANALOG SW ARRAY DUAL 20SOIC
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・用途：超音波・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路：3：1・スイッチ回路：-・チャンネル数：2・オン状態抵抗値（最大）：29オーム（標準）・電圧 - 供給、シングル（V+）：4.5V～5.5V・電圧 - 供給、デュアル（V±）：-・帯域幅-3db：-・特長：フォールト保護、Tスイッチ構成・動作温度：-40°C～85°C（T
    ￥3,805.89 税込￥4,186.47
  • 22

    【IXFH26N50P】MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD

    【IXFH26N50P】MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：26A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：230ミリオーム @ 13A、
    ￥2,168.24 税込￥2,385.06
  • 23

    【IXDN614PI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

    【IXDN614PI】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入力タイプ：非反
    ￥786.12 税込￥864.73
  • 24

    【IXFH26N50P3】MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD

    【IXFH26N50P3】MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar3™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：26A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：230ミリオーム @ 13
    ￥2,265.89 税込￥2,492.47
  • 25

    【IXTL2N450】MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK

    【IXTL2N450】MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥28,022.73 税込￥30,825.00
  • 26

    【IXDN614YI】IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5

    【IXDN614YI】IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、MOSFET（Nチャンネル、Pチャンネル）・電圧 - 供給：4.5V～35V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：14A、14A・入力タイプ：非反
    ￥1,319.24 税込￥1,451.16
  • 27

    【IXTP16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB

    【IXTP16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVg
    ￥1,409.88 税込￥1,550.86
  • 28

    【IXFH16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD

    【IXFH16N50P】MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Polar・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 8A、1
    ￥1,640.97 税込￥1,805.06
  • 29

    【IRFP260】MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD

    【IRFP260】MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小150個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：55ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥379.93 税込￥417.92
  • 30

    【IXGN320N60A3】Nチャンネル IGBTモジュール 600 V 320 A 4-Pin SOT-227B コモンエミッタ

    【IXGN320N60A3】Nチャンネル IGBTモジュール 600 V 320 A 4-Pin SOT-227B コモンエミッタ
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    ●仕様最大連続コレクタ電流320 A最大コレクタ- エミッタ間電圧600 V最大ゲート-エミッタ間電圧±20V最大パワー消費735 WパッケージタイプSOT-227B回路構成シングル実装タイプ表面実装チャンネルタイプNピン数4スイッチングスピード5kHzトランジスタ構成コモンエミッタ寸法38.23 x 25.07 x 9.6mm動作温度 Min-55 ℃動作温度 Ma
    ￥12,330.00 税込￥13,563.00
  • 31

    【IXXK200N60B3】IGBT PT 600V 380A TO-264

    【IXXK200N60B3】IGBT PT 600V 380A TO-264
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小300個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：GenX3™, XPT™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：600 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：380 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：900 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.7V @ 15V、100A・電力 - 最大：1630 W・スイッチングエネ
    ￥3,544.18 税込￥3,898.59
  • 32

    【IXYK30N170CV1】IGBT PT 1700V 100A TO-264

    【IXYK30N170CV1】IGBT PT 1700V 100A TO-264
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小300個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1700 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：250 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：4V @ 15V、30A・電力 - 最大：937 W・スイッチングエネルギー：3.6mJ（電
    ￥5,143.30 税込￥5,657.63
  • 33

    【IXBA16N170AHV-TRL】IGBT 1700V 16A TO-263HV

    【IXBA16N170AHV-TRL】IGBT 1700V 16A TO-263HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    最小800個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：BIMOSFET™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1700 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：16 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：40 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：6V @ 15V、10A・電力 - 最大：150 W・スイッチングエネルギ
    ￥5,214.10 税込￥5,735.51
  • 34

    【CPC1301GRTR】OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 4-SMD

    【CPC1301GRTR】OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 4-SMD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・チャンネル数：1・電圧 - 絶縁：5000Vrms・電流伝達率（最小）：1000% @ 1mA・電流伝達率（最大）：8000% @ 1mA・ターンオン/ターンオフ時間（標準）：1µs、80µs・立ち上がり/立ち下がり時間（標準）：40µs、2.6µs・入力タイプ：DC・出力タイプ：ダーリントン・電圧 - 出力
    ￥969.87 税込￥1,066.85
  • 35

    【CLA60MT1200NTZ-TRL】TRIAC 1.2KV 66A TO268AA

    【CLA60MT1200NTZ-TRL】TRIAC 1.2KV 66A TO268AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    最小400個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・トライアックタイプ：標準・電圧 - オフ状態：1.2 kV・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：66 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.7 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：380A、410A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：60 mA・電流 - ホ
    ￥1,348.28 税込￥1,483.10
  • 36

    【DSEP2X101-04A】IXYS ファストリカバリー 整流ダイオード 絶縁型 100A 400V パネルマウント 4-Pin SOT-227B シリコンジャンクション 1.95V

    【DSEP2X101-04A】IXYS ファストリカバリー 整流ダイオード 絶縁型 100A 400V パネルマウント 4-Pin SOT-227B シリコンジャンクション 1.95V
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    商品説明
    ●仕様実装タイプパネルマウントパッケージタイプSOT-227B最大連続 順方向電流100Aピーク逆繰返し電圧400Vダイオード構成絶縁型整流タイプファストリカバリーダイオードタイプ整流器ピン数4最大順方向降下電圧1.95V1チップ当たりのエレメント数2ダイオードテクノロジーシリコンジャンクションピーク逆回復時間85nsピーク非繰返し順方向サージ電流1kA
    ￥10,270.00 税込￥11,297.00
  • 37

    【IXFN420N10T】Nチャンネル MOSFET100 V 420 A 表面実装 パッケージSOT-227 4 ピン

    【IXFN420N10T】Nチャンネル MOSFET100 V 420 A 表面実装 パッケージSOT-227 4 ピン
    メーカー名：
    IXYS
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    ・極性：Nチャネル・Vdss[V]：100V・Id[A]：420A・Ron[Ohm]：0.0023Ω・Vth[V]：5.0V・Qg[C]：670nC・パッケージ：SOT-227
    ￥9,385.00 税込￥10,323.00
  • 38

    【IXYP60N65A5】IGBT PT 650V 134A TO-220

    【IXYP60N65A5】IGBT PT 650V 134A TO-220
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™, GenX5™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：650 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：134 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：260 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.35V @ 15V、36A・電力 - 最大：395 W・スイッチングエネル
    ￥1,485.37 税込￥1,633.90
  • 39

    【DSEP8-12A】スイッチングダイオード スルーホール シングル エレメント数 1 TO-220AC 2-Pin 2.94V

    【DSEP8-12A】スイッチングダイオード スルーホール シングル エレメント数 1 TO-220AC 2-Pin 2.94V
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    ●仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 10.66mm幅 = 4.82mm高さ = 16.51mm寸法 = 10.66 x 4.82 x 16.51mmローム整流
    ￥882.00 税込￥970.00
  • 40

    【IXFK120N65X2】MOSFET N-CH 650V 120A TO264

    【IXFK120N65X2】MOSFET N-CH 650V 120A TO264
    メーカー名：
    IXYS
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HiPerFET™, Ultra X2・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 6
    ￥5,934.49 税込￥6,527.93
  • 41

    【IXTH75N10L2】MOSFET N-CH 100V 75A TO247

    【IXTH75N10L2】MOSFET N-CH 100V 75A TO247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Linear L2™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：75A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：21ミリオーム @ 500mA、10V・I
    ￥4,195.30 税込￥4,614.83
  • 42

    【IXTH02N450HV】MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV

    【IXTH02N450HV】MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：4500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：625オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs
    ￥6,252.88 税込￥6,878.16
  • 43

    【IXSH150N120L3KHV】SIC MOSFET 1200V 13M IN TO247

    【IXSH150N120L3KHV】SIC MOSFET 1200V 13M IN TO247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgsでのゲートチャージ（Q
    ￥4,918.83 税込￥5,410.71
  • 44

    【IXSH110N120L3KHV】SIC MOSFET 1200V 18M IN TO247

    【IXSH110N120L3KHV】SIC MOSFET 1200V 18M IN TO247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgsでのゲートチャージ（Q
    ￥3,815.30 税込￥4,196.83
  • 45

    【IXSH50N120L3KHV】SIC MOSFET 1200V 55M IN TO247

    【IXSH50N120L3KHV】SIC MOSFET 1200V 55M IN TO247
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgsでのゲートチャージ（Q
    ￥1,998.83 税込￥2,198.71
  • 46

    【MCC501-18IO3】BIPOLAR MODULE

    【MCC501-18IO3】BIPOLAR MODULE
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・構造：直列接続 - 全SCR・SCR、ダイオードの数：2 SCRs・電圧 - オフ状態：1.8 kV・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：500 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：1.215 kA・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：3 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：200 mA
    ￥35,004.31 税込￥38,504.74
  • 47

    【MCD501-18IO3】BIPOLAR MODULE

    【MCD501-18IO3】BIPOLAR MODULE
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・構造：直列接続 - SCR/ダイオード・SCR、ダイオードの数：1 SCR、1ダイオード・電圧 - オフ状態：1.8 kV・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：500 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：1.215 kA・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：3 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）
    ￥34,506.46 税込￥37,957.10
  • 48

    【MCC501-16IO3】BIPOLAR MODULE

    【MCC501-16IO3】BIPOLAR MODULE
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・構造：直列接続 - 全SCR・SCR、ダイオードの数：2 SCRs・電圧 - オフ状態：1.6 kV・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：500 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：1.215 kA・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：3 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：200 mA
    ￥33,568.82 税込￥36,925.70
  • 49

    【MCD501-16IO3】BIPOLAR MODULE

    【MCD501-16IO3】BIPOLAR MODULE
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・構造：直列接続 - SCR/ダイオード・SCR、ダイオードの数：1 SCR、1ダイオード・電圧 - オフ状態：1.6 kV・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：500 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：1.215 kA・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：3 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）
    ￥33,116.13 税込￥36,427.74
  • 50

    【MCC501-14IO3】BIPOLAR MODULE

    【MCC501-14IO3】BIPOLAR MODULE
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・構造：直列接続 - 全SCR・SCR、ダイオードの数：2 SCRs・電圧 - オフ状態：1.4 kV・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：500 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：1.215 kA・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：3 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：200 mA
    ￥32,986.03 税込￥36,284.63
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