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MOSFET 　[8Pチャンネル8 ]の検索結果

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絞り込み項目 8Pチャンネル8

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【IRF9520PBF】Pチャンネル MOSFET100 V 6.8 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン

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10個以上: ￥189.70(税抜) 税込￥207.70

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メーカー名：: VISHAY

型番：: IRF9520PBF

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●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流6.8 A最大ドレイン-ソース間電圧100 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗600 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費60000 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V長さ10.41mm

【FDS6681Z】Pチャンネル MOSFET30 V 20 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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5個以上: ￥516.00(税抜) 税込￥567.00

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メーカー名：: オンセミコンダクター

型番：: FDS6681Z

出荷予定日：: 2025/5/28

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商品説明

提携先在庫数：15個（2025/05/19 9:00 現在）　●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流20 A最大ドレイン-ソース間電圧30 VパッケージタイプSOIC実装タイプ表面実装ピン数8最大ドレイン-ソース間抵抗5 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧1V最大パワー消費2500 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-

【IRF9520PBF】Pチャンネル MOSFET100 V 6.8 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン

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50個以上: ￥166.60(税抜) 税込￥182.60

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メーカー名：: VISHAY

型番：: IRF9520PBF

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●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲー

【TPC8125】Pチャンネル MOSFET30 V 10 A 表面実装パッケージSOP 8 ピン

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5個以上: ￥153.00(税抜) 税込￥168.00

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メーカー名：: 東芝

型番：: TPC8125

出荷予定日：: 2025/5/28

環境区分：: RoHS対応

品質ランク：: S2

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提携先在庫数：110個（2025/05/19 9:00 現在）　●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流10 A最大ドレイン-ソース間電圧30 VパッケージタイプSOP実装タイプ表面実装ピン数8最大ドレイン-ソース間抵抗17 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費1.9 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-2

【TPC8125.LQ(S】Pチャンネル MOSFET30 V 10 A 表面実装パッケージSOP 8 ピン

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5個以上: ￥215.00(税抜) 税込￥236.00

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メーカー名：: 東芝

型番：: TPC8125.LQ(S

出荷予定日：: 2025/5/28

環境区分：: RoHS対応

品質ランク：: S2

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商品説明

提携先在庫数：15個（2025/05/19 9:00 現在）　●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流10 A最大ドレイン-ソース間電圧30 VパッケージタイプSOP実装タイプ表面実装ピン数8最大ドレイン-ソース間抵抗17 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費1.9 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-25

【TJ8S06M3L】Pチャンネル MOSFET60 V 8 A 表面実装パッケージDPAK 3 ピン

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10個以上: ￥248.70(税抜) 税込￥272.70

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型番：: TJ8S06M3L

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品質ランク：: S2

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提携先在庫数：170個（2025/05/19 9:00 現在）　●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最低ゲートしきい値電

【SI4909DY-T1-GE3】Pチャンネル MOSFET40 V 6.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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20個以上: ￥170.60(税抜) 税込￥187.60

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メーカー名：: VISHAY

型番：: SI4909DY-T1-GE3

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品質ランク：: S2

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●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 3.2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間

【SI4564DY-T1-GE3】N Pチャンネル MOSFET40 V 7.2 A 8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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10個以上: ￥241.50(税抜) 税込￥265.50

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メーカー名：: VISHAY

型番：: SI4564DY-T1-GE3

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品質ランク：: S2

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●仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ, 28 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 Wトランジ

【SI4532DY】onsemi N Pチャンネル MOSFET30 V 3.5 A 3.9 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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10個以上: ￥226.00(税抜) 税込￥248.00

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メーカー名：: オンセミコンダクター

型番：: SI4532DY

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品質ランク：: S2

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●仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、3.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 95 m Ω 、 190 m Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成

【SI4435DDY-T1-GE3】Pチャンネル MOSFET30 V 8.1 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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10個以上: ￥149.80(税抜) 税込￥163.80

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メーカー名：: VISHAY

型番：: SI4435DDY-T1-GE3

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品質ランク：: S2

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●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 24 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース

【FDS6975】ON Semiconductor Pチャンネル MOSFET30 V 6 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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10個以上: ￥219.80(税抜) 税込￥240.80

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型番：: FDS6975

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●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 32 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V動作温度

【FDS4935A】onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 7 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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5個以上: ￥284.00(税抜) 税込￥312.00

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型番：: FDS4935A

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●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2000 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧

【TK16J60W.S1VQ(O】Nチャンネル MOSFET600 V 15.8 A スルーホールパッケージTO-3P 3 ピン

半導体 > MOSFET > MOSFET

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1個以上: ￥704.00(税抜) 税込￥774.00

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型番：: TK16J60W.S1VQ(O

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提携先在庫数：16個（2025/05/19 9:00 現在）　●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流15.8 A最大ドレイン-ソース間電圧600 VパッケージタイプTO-3PN実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗190 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3.7V最大パワー消費130 Wトランジスタ構成シングル最大ゲー

【SH8MA2GZETB】ローム N Pチャンネル MOSFET30 V 表面実装パッケージSOP 8 ピン

半導体 > MOSFET > MOSFET

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20個以上: ￥121.80(税抜) 税込￥133.80

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メーカー名：: ROHM

型番：: SH8MA2GZETB

出荷予定日：: 2025/5/28

品質ランク：: S2

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提携先在庫数：40個（2025/05/19 9:00 現在）　●仕様チャンネルタイプN, P最大連続ドレイン電流4.5 A最大ドレイン-ソース間電圧30 VパッケージタイプSOP実装タイプ表面実装ピン数8最大ドレイン-ソース間抵抗80 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧2 (Tr1) V, 2 (Tr2) V最低ゲートしきい値電圧1 (Tr1

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【IRF9520PBF】Pチャンネル MOSFET100 V 6.8 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン

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VISHAY

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IRF9520PBF

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●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流6.8 A最大ドレイン-ソース間電圧100 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗600 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費60000 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V長さ10.41mm

￥189.70 税込￥207.70
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【FDS6681Z】Pチャンネル MOSFET30 V 20 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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FDS6681Z

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提携先在庫数：15個（2025/05/19 9:00 現在）　●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流20 A最大ドレイン-ソース間電圧30 VパッケージタイプSOIC実装タイプ表面実装ピン数8最大ドレイン-ソース間抵抗5 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧1V最大パワー消費2500 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-

￥516.00 税込￥567.00
3

【IRF9520PBF】Pチャンネル MOSFET100 V 6.8 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン

メーカー名：

VISHAY

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IRF9520PBF

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●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲー

￥166.60 税込￥182.60
4

【TPC8125】Pチャンネル MOSFET30 V 10 A 表面実装パッケージSOP 8 ピン

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東芝

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TPC8125

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提携先在庫数：110個（2025/05/19 9:00 現在）　●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流10 A最大ドレイン-ソース間電圧30 VパッケージタイプSOP実装タイプ表面実装ピン数8最大ドレイン-ソース間抵抗17 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費1.9 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-2

￥153.00 税込￥168.00
5

【TPC8125.LQ(S】Pチャンネル MOSFET30 V 10 A 表面実装パッケージSOP 8 ピン

メーカー名：

東芝

型番：

TPC8125.LQ(S

出荷予定日：

2025/5/28

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提携先在庫数：15個（2025/05/19 9:00 現在）　●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流10 A最大ドレイン-ソース間電圧30 VパッケージタイプSOP実装タイプ表面実装ピン数8最大ドレイン-ソース間抵抗17 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費1.9 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-25

￥215.00 税込￥236.00
6

【TJ8S06M3L】Pチャンネル MOSFET60 V 8 A 表面実装パッケージDPAK 3 ピン

メーカー名：

東芝

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TJ8S06M3L

出荷予定日：

2025/5/28

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提携先在庫数：170個（2025/05/19 9:00 現在）　●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最低ゲートしきい値電

￥248.70 税込￥272.70
7

【SI4909DY-T1-GE3】Pチャンネル MOSFET40 V 6.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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VISHAY

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SI4909DY-T1-GE3

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●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 3.2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間

￥170.60 税込￥187.60
8

【SI4564DY-T1-GE3】N Pチャンネル MOSFET40 V 7.2 A 8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

メーカー名：

VISHAY

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SI4564DY-T1-GE3

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●仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ, 28 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 Wトランジ

￥241.50 税込￥265.50
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【SI4532DY】onsemi N Pチャンネル MOSFET30 V 3.5 A 3.9 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

メーカー名：

オンセミコンダクター

型番：

SI4532DY

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●仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、3.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 95 m Ω 、 190 m Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成

￥226.00 税込￥248.00
10

【SI4435DDY-T1-GE3】Pチャンネル MOSFET30 V 8.1 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

メーカー名：

VISHAY

型番：

SI4435DDY-T1-GE3

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●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 24 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース

￥149.80 税込￥163.80
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【FDS6975】ON Semiconductor Pチャンネル MOSFET30 V 6 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

メーカー名：

オンセミコンダクター

型番：

FDS6975

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●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 32 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V動作温度

￥219.80 税込￥240.80
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【FDS4935A】onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 7 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

メーカー名：

オンセミコンダクター

型番：

FDS4935A

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●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2000 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧

￥284.00 税込￥312.00
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【TK16J60W.S1VQ(O】Nチャンネル MOSFET600 V 15.8 A スルーホールパッケージTO-3P 3 ピン

メーカー名：

東芝

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TK16J60W.S1VQ(O

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提携先在庫数：16個（2025/05/19 9:00 現在）　●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流15.8 A最大ドレイン-ソース間電圧600 VパッケージタイプTO-3PN実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗190 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3.7V最大パワー消費130 Wトランジスタ構成シングル最大ゲー

￥704.00 税込￥774.00
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【SH8MA2GZETB】ローム N Pチャンネル MOSFET30 V 表面実装パッケージSOP 8 ピン

メーカー名：

ROHM

型番：

SH8MA2GZETB

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2025/5/28

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提携先在庫数：40個（2025/05/19 9:00 現在）　●仕様チャンネルタイプN, P最大連続ドレイン電流4.5 A最大ドレイン-ソース間電圧30 VパッケージタイプSOP実装タイプ表面実装ピン数8最大ドレイン-ソース間抵抗80 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧2 (Tr1) V, 2 (Tr2) V最低ゲートしきい値電圧1 (Tr1

￥121.80 税込￥133.80