MOSFET 　[8デュアルPチャンネル8 ]の検索結果

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【SSM6P36TU(TE85L.F)】デュアル Pチャンネル MOSFET 330 mA 表面実装パッケージUF 6 ピン

半導体 > MOSFET > MOSFET

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10個以上: ￥96.00(税抜) 税込￥105.00

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メーカー名：: 東芝

型番：: SSM6P36TU(TE85L.F)

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環境区分：: RoHS対応

品質ランク：: S2

商品説明

【仕様】チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = UF実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 =

【SI4909DY-T1-GE3】Pチャンネル MOSFET40 V 6.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

半導体 > MOSFET > MOSFET

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20個以上: ￥178.30(税抜) 税込￥195.30

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メーカー名：: VISHAY

型番：: SI4909DY-T1-GE3

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環境区分：: RoHS対応

品質ランク：: S2

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商品説明

●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 3.2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間

【SI4564DY-T1-GE3】N Pチャンネル MOSFET40 V 7.2 A 8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

半導体 > MOSFET > MOSFET

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10個以上: ￥230.90(税抜) 税込￥253.90

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メーカー名：: VISHAY

型番：: SI4564DY-T1-GE3

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環境区分：: RoHS対応

品質ランク：: S2

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商品説明

●仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ, 28 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 Wトランジ

【SI4532DY】onsemi N Pチャンネル MOSFET30 V 3.5 A 3.9 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

半導体 > MOSFET > MOSFET

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10個以上: ￥167.50(税抜) 税込￥183.50

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メーカー名：: オンセミコンダクター

型番：: SI4532DY

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品質ランク：: S2

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●仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、3.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 95 m Ω 、 190 m Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成

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絞り込み項目 8デュアルPチャンネル8

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1

【SSM6P36TU(TE85L.F)】デュアル Pチャンネル MOSFET 330 mA 表面実装パッケージUF 6 ピン

メーカー名：

東芝

型番：

SSM6P36TU(TE85L.F)

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商品説明

【仕様】チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = UF実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 =

￥96.00 税込￥105.00
2

【SI4909DY-T1-GE3】Pチャンネル MOSFET40 V 6.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

メーカー名：

VISHAY

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SI4909DY-T1-GE3

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●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 3.2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間

￥178.30 税込￥195.30
3

【SI4564DY-T1-GE3】N Pチャンネル MOSFET40 V 7.2 A 8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

メーカー名：

VISHAY

型番：

SI4564DY-T1-GE3

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●仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ, 28 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 Wトランジ

￥230.90 税込￥253.90
4

【SI4532DY】onsemi N Pチャンネル MOSFET30 V 3.5 A 3.9 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

メーカー名：

オンセミコンダクター

型番：

SI4532DY

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●仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、3.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 95 m Ω 、 190 m Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成

￥167.50 税込￥183.50