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検索結果 6,690件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチ回路:SPDT・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:2:1・回路数:1・オン状態抵抗値(最大):5オーム(標準)・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):1オーム・電圧 - 供給、シングル(V+):2.7V~12V・電圧 - 供給、デュアル(V±):±2.7V~6V・スイッチ時間(Ton、Toff)
    478.58 税込¥526.43
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.5 V @
    984.94 税込¥1,083.43
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチ回路:-・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:8:1・回路数:1・オン状態抵抗値(最大):37オーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):5オーム・電圧 - 供給、シングル(V+):2V~5.5V・電圧 - 供給、デュアル(V±):-・スイッチ時間(Ton、Toff)(最大):12ns、12ns
    88.58 税込¥97.43
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.3A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):19ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVg
    605.56 税込¥666.11
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2
    277.15 税込¥304.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):43A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):10ミリオーム @ 26A、10V・Id印加時のVgs(th)(最
    540.00 税込¥594.00
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチ回路:SPST-NC・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:1:1・回路数:2・オン状態抵抗値(最大):900ミリオーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):40ミリオーム・電圧 - 供給、シングル(V+):1.65V~5.5V・電圧 - 供給、デュアル(V±):-・スイッチ時間(Ton、Toff
    155.72 税込¥171.29
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):72A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6.88ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs(th
    371.43 税込¥408.57
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A、60A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8.8ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時のVgs(th
    387.15 税込¥425.86
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):800mA・Id、Vgs印加時のRds On(最大):235ミリオーム @ 800mA、4.5V・Id印
    84.29 税込¥92.71
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET® Gen IV・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):25A(Ta)、73A(Tc)、41A(Ta)、158A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大
    535.72 税込¥589.29
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs(th
    475.72 税込¥523.29
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs(th
    438.58 税込¥482.43
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチ回路:-・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:8:1・回路数:1・オン状態抵抗値(最大):130オーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):5オーム・電圧 - 供給、シングル(V+):4.5V~5.5V・電圧 - 供給、デュアル(V±):±1V~5V・スイッチ時間(Ton、Toff)(最大):-
    270.00 税込¥297.00
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):82A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6.2ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs(th)
    357.15 税込¥392.86
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs(th)
    438.58 税込¥482.43
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs(th
    90.55 税込¥99.60
  • メーカー名:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2N-チャンネル(デュアル)非対称・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):55A(Tc)、 85A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5ミリオーム @ 20A、 10V、 2ミリオーム @
    462.86 税込¥509.14
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチ回路:-・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:8:1・回路数:1・オン状態抵抗値(最大):130オーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):8.5オーム・電圧 - 供給、シングル(V+):2V~6V・電圧 - 供給、デュアル(V±):±1V~5V・スイッチ時間(Ton、Toff)(最大):-・帯
    84.29 税込¥92.71
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs(th
    410.00 税込¥451.00
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチ回路:SPDT・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:2:1・回路数:2・オン状態抵抗値(最大):900ミリオーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):50ミリオーム・電圧 - 供給、シングル(V+):1.65V~5.5V・電圧 - 供給、デュアル(V±):-・スイッチ時間(Ton、Toff)(最
    152.86 税込¥168.14
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチ回路:SPDT・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:2:1・回路数:2・オン状態抵抗値(最大):900ミリオーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):50ミリオーム・電圧 - 供給、シングル(V+):1.65V~5.5V・電圧 - 供給、デュアル(V±):-・スイッチ時間(Ton、Toff)(最
    140.00 税込¥154.00
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.2A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):23ミリオーム @ 6.5A、4.5V・Id印加時のVg
    150.00 税込¥165.00
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.3A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):3V @ 2
    197.15 税込¥216.86
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs(th)(最大
    475.72 税込¥523.29
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    248.58 税込¥273.43
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs(th
    438.58 税込¥482.43
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチ回路:SPDT・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:2:1・回路数:4・オン状態抵抗値(最大):10オーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):300ミリオーム・電圧 - 供給、シングル(V+):1.65V~3.6V・電圧 - 供給、デュアル(V±):-・スイッチ時間(Ton、Toff)(最大)
    165.72 税込¥182.29
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.5ミリオーム @ 8A、10V、17ミリオーム @ 8A、10V・
    445.72 税込¥490.29
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.3A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):3V @
    197.15 税込¥216.86
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.6A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 4.8A、4.5V・Id印加時のVgs(th)(最大
    145.72 税込¥160.29
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチ回路:SP8T・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:8:1・回路数:1・オン状態抵抗値(最大):250オーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):2.5オーム・電圧 - 供給、シングル(V+):8V~44V・電圧 - 供給、デュアル(V±):±5V~22V・スイッチ時間(Ton、Toff)(最大
    1,592.78 税込¥1,752.05
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチ回路:-・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:8:1・回路数:1・オン状態抵抗値(最大):130オーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):5オーム・電圧 - 供給、シングル(V+):4.5V~5.5V・電圧 - 供給、デュアル(V±):±1V~5V・スイッチ時間(Ton、Toff)(最大):-
    92.86 税込¥102.14
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・スイッチ回路:SPDT・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:2:1・回路数:4・オン状態抵抗値(最大):10オーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):300ミリオーム・電圧 - 供給、シングル(V+):1.65V~3.6V・電圧 - 供給、デュアル(V±):-・スイッチ時間(Ton、Toff)(最大)
    52.50 税込¥57.75
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:TrenchMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    62.49 税込¥68.73
  • メーカー名:
    Terasic
    型番:
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    6個
    商品説明
    Cyclone V SXを搭載したハードウェア設計プラットフォームデュアルコアArm Cortex-A9とFPGAを組み合わせたSoCのCyclone V SXを搭載した開発ボードです。本ボードには高速DDR3メモリ、ビデオ/オーディオ機能、イーサネットなどのハードウェアを搭載し、単純な回路から大規模なマルチメディアプロジェクトまで、幅広い回路を実装するための多くの機
    96,299.00 税込¥105,928.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):91ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2
    560.00 税込¥616.00
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs(t
    475.72 税込¥523.29
  • メーカー名:
    UMW
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.3A(Ta)、5.3A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):54ミリオーム @ 6.3A、10V・Id印加時のVgs(t
    250.00 税込¥275.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):23ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs(
    305.72 税込¥336.29
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs(th)(最
    475.72 税込¥523.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.4A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs(t
    387.15 税込¥425.86
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチ回路:SPDT・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:2:1・回路数:4・オン状態抵抗値(最大):10オーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):300ミリオーム・電圧 - 供給、シングル(V+):1.65V~3.6V・電圧 - 供給、デュアル(V±):-・スイッチ時間(Ton、Toff)(最大)
    161.43 税込¥177.57
  • メーカー名:
    Goford Semiconductor
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.2A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):170ミリオーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs(th
    135.72 税込¥149.29
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・スイッチ回路:SP8T・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:8:1・回路数:1・オン状態抵抗値(最大):250オーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):2.5オーム・電圧 - 供給、シングル(V+):8V~44V・電圧 - 供給、デュアル(V±):±5V~22V・スイッチ時間(Ton、Toff)(最大)
    1,592.78 税込¥1,752.05
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチ回路:-・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:8:1・回路数:1・オン状態抵抗値(最大):130オーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):5オーム・電圧 - 供給、シングル(V+):2V~6V・電圧 - 供給、デュアル(V±):±1V~5V・スイッチ時間(Ton、Toff)(最大):-・帯域幅
    124.29 税込¥136.71
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:74LVC・スイッチ回路:SPST-NO・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:1:1・回路数:2・オン状態抵抗値(最大):10オーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):2オーム(最大)・電圧 - 供給、シングル(V+):1.65V~5.5V・電圧 - 供給、デュアル(V±):-・スイッチ時間(Ton、To
    60.00 税込¥66.00
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.3A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):19ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVgs
    605.56 税込¥666.11
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチ回路:SPST-NO・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:1:1・回路数:2・オン状態抵抗値(最大):900ミリオーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):40ミリオーム・電圧 - 供給、シングル(V+):1.65V~5.5V・電圧 - 供給、デュアル(V±):-・スイッチ時間(Ton、Toff
    155.72 税込¥171.29
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A(Ta)、6A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):31ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のV
    398.58 税込¥438.43
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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DigiReelの説明
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