専任技術者がR&D(研究開発)や回路の
仕様策定・設計・試作いたします。
回路設計
研究開発R&D支援
等価回路開発
等価回路を作成することで、デバイスの動作検証及びアプリケーション開発ができるようになります。
[太陽電池を等価回路開発した場合の活用事例]
シミュレーションの活用で下記の検証ができます。
- 出力特性のシミュレーション
- パネル内部のリーク電流の影響
- 影の影響のシミュレーション
- バイパスダイオードの影響
- 日射量を反映させた出力特性の経時変化
デバイスモデリング
お客様の必要な電子部品のSPICEモデルをご提供いたします。
- 半導体部品
- 一般ダイオード/スタンダード
- 一般ダイオード/プロフェッショナル(trj+trbを表現)
- 一般ダイオード/スペシャル(電流減少率didtモデル)
- PINダイオード
- ショットキー・バリア・ダイオード/スタンダード
- ショットキー・バリア・ダイオード/プロフェッショナル(逆方向を表現)
- SiCショットキー・バリア・ダイオード
- GaNショットキー・バリア・ダイオード
- ツェナーダイオード/スタンダード
- ツェナーダイオード/スタンダード・プラス
- ツェナーダイオード/プロフェッショナル(順方向・逆方向を表現)
- 可変容量ダイオード
- 定電流ダイオード
- SiC Junction FET
- SiC SIT
- Junction FET
- MOSFET/スタンダード
- MOSFET/プロフェッショナル(ミラー容量を表現)
- MOSFET/スペシャル(スイッチング特性を完全再現)
- POWER MOSFET/スタンダード
- POWER MOSFET/プロフェッショナル(ミラー容量を表現)
- POWER MOSFET/スペシャル(スイッチング特性を完全再現)
- SiC MOSFET
- GaN MOSFET
- GaN HEMT
- ESD
- トランジスタ
- SiCトランジスタ
- パワートランジスタ
- ダーリントントランジスタ
- BRT/東芝セミコンダクター製品
- デジタルトランジスタ/ローム製品
- IGBT/PSpiceモデル
- IGBT/MOSFET+BJTモデル
- ボルテージ・リファレンス
- ボルテージ・レギュレータ
- LDO(過渡解析モデル)
- LDO(AC特性モデル)
- シャント・レギュレータ
- オペアンプ
- CMOSオペアンプ
- コンパレータ/JFETテクノロジー、BJTテクノロジー
- CMOSコンパレータ
- PWM IC
- アナログIC
- サイリスタ
- サイダック/新電元工業製品
- TRIAC
- DIAC
- パワーサーミスタ
- フォトカプラ
- フォトインタラプタ
- フォト・ダイオード
- フォト・トランジスタ
- フォトIC
- オプト・デバイス
- レーザー・ダイオード
- LED(発光ダイオード)
- 白色LEDランプ
- トスリンク(光送信モジュール)
- トスリンク(光受信モジュール)
- サージ・アブソーバ
- シリコン・サージ・クランパ
- バリスタ
- デジタルIC
- デジタル・アナログ混在IC
- 電源IC
- PFC IC
- モータドライバIC
- LEDドライバIC
- センサーIC
- PUT
- Crystal Oscillator
- TFD(Thin Film Diode)
- a-Si TFT
- Poly-Si TFT
- 受動部品
- セラミックコンデンサ
- 電解コンデンサ
- フィルムコンデンサ
- インダクタ
- インダクタ/直流重畳特性モデル
- 抵抗器
- トランス
- パルストランス
- カレントトランス
- コモン・モード・チョーク・コイル/スタンダード
- コモン・モード・チョーク・コイル/プロフェッショナル
- チョーク・コイル
- チョーク・コイル/直流重畳特性モデル
- コア
- 水晶発振子
- スピーカー
- ヒューズ
- トグルスイッチ
- ワイヤー
- バッテリー
- リチウムイオン電池/負荷抵抗一定モデル
- リチウムイオン電池/負荷抵抗可変モデル
- リチウムイオン電池/充放電特性モデル
- リチウムポリマー電池/充放電特性モデル
- リチウム電池/負荷抵抗一定モデル
- リチウム電池/負荷抵抗可変モデル
- ニッケルマンガン電池/負荷抵抗一定モデル
- ニッケルマンガン電池/負荷抵抗可変モデル
- ニッケル水素電池/負荷抵抗一定モデル
- ニッケル水素電池/負荷抵抗可変モデル
- ニッケル水素電池/充放電特性モデル
- 鉛蓄電池/負荷抵抗可変モデル
- オキシライド電池/負荷抵抗可変モデル
- アルカリ電池/負荷抵抗一定モデル
- アルカリ電池/負荷抵抗可変モデル
- マンガン電池/負荷抵抗一定モデル
- マンガン電池/負荷抵抗可変モデル
- 電気二重層電池/充放電特性モデル
- リチウムイオン・キャパシタ/充放電特性モデル
- 燃料電池
- 太陽電池
回路シミュレーション
- 再現性問題
-
実機波形とシミュレーション波形が合わない
目的に合ったSPICEモデルを採用する → 寄生素子も考慮し、回路図に反映いたします。
- 解析時間問題
-
早くシミュレーション結果を知りたいのにシミュレーションに多くの時間がかかる
タイムスケール機能の採用
- 回路設計
-
最後までシミュレーションが実行できず、途中で計算が止まってしまう
シミュレーターの設定と回路構成のアプローチから解決いたします。
導入事例【1】ESD対策回路とデバイスのモジュール化の開発
目的
ESD対策回路とデバイスのモジュール化の開発を行い、ES試験のシミュレーションを行い、ESD対策の効果があるかどうかを検証します。
シミュレーションの方法と検証結果
ESDの3種類の試験回路、ESD対策回路及びデバイスの等価回路開発を行いました。また、ESD対策回路及びデバイスをDUTとし、ESD試験のシミュレーションを行いました。結果、ESD対策回路の改善により、デバイスに印加される電流はほぼゼロになりました。実機試作前にESD試験に耐えれるかどうかを検証することができました。
導入事例【2】二次電池とキャパシタのハイブリッド回路開発
目的
リチウムイオン電池と電機二重層キャパシタを使い、負荷電流に応じて、どのような制御をすれば、エネルギー効率を最大に活用できるかをシミュレーションして見積ります。
シミュレーションの方法と検証結果
リチウムイオン電池と電機二重層キャパシタの詳細モデルを作成し、制御回路を関数で定義し、負荷電流のプロファイルを入力し、放電特性シミュレーションを行い、ハイブリッド回路の全体最適化を行いました。負荷電流のプロファイルは実機データを取り込むことで、開発期間の大幅削減に貢献しました。
導入事例【3】アバランシェ・パルサー回路
試作前に超音波素子を駆動する為のアバランシェ・パルサー回路の定数最適解を算出する為、LTspice にて、RC、RD、及びCCのパラメトリック解析を実施し、最適値を採用し、試作回路基板を製作した。
目的
ESD対策回路とデバイスのモジュール化の開発を行い、ES試験のシミュレーションを行い、ESD対策の効果があるかどうかを検証します。
特長
- 適切な回路の等価回路図を策定
- トランジスタ及びダイオードのモデリングを実施
- 試作前に回路定数の最適解を算出
- 抵抗(RC,RD) の影響度合いを把握
- コンデンサCC については、0.1u,0.33u,1u[F] の想定で検証した結果、殆ど影響度合いなし
導入事例【4】磁気センサー増幅回路
詳細回路設計前に磁気センサー(X 軸、Y 軸、Z 軸) への入力信号 回路及び幾つかのパターンについての増幅回路の動作検証を、 SPICE で検証致しました。高精度モデリング対象は、OPAMP です。
特長
- 詳細回路設計前に、回路ブロックにて概念設計をSPICE シミュレーションで検証
- キーデバイスのOPAMP について詳細デバイスモデリングを実施
- 磁気センサーに必要なパルス信号生成回路(650kHz,Duty) の動作検証
- パルス生成回路の回路定数の最適化を実施
- 複数のパターンのセンシングの入力信号幅を増幅回路でシミュレーション検証
- SPICE の活用による回路設計時間短縮及び設計確度の向上を実現
導入事例【5】アッテネータ回路(減衰器)
回路実験が困難なアッテネータ回路の回路定数の最適解を SPICE で動作検証を実施しました。今回は、Gain=5.0E-4、5.0E-7 の2条件について SPICE のパラメトリック解析を行いデザインしました。
特長
- 詳細回路設計前に、回路ブロックにて概念設計を SPICE シミュレーションで検証
- キーデバイスの OPAMP について詳細デバイスモデリングを実施
- 減衰条件は、Gain=5.0E-4、5.0E-7 の2条件で実施
- 回路定数は、SPICE のパラメトリック解析にて、最適化を実施
- 回路検証は、実際の入力信号の正弦波にて複数条件で SPICE シミュレーション検証
- SPICE の活用による回路設計時間短縮及び設計確度の向上を実現
研究開発(R&D)ものづくり導入実績
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