FET【2SJ529(L)-E】 ※在庫限り品

FET【2SJ529(L)-E】 ※在庫限り品

メーカー名:
型番:
2SJ529(L)-E
箱番号:
環境区分:
RoHS対応
品質ランク:
S1
数量
1個以上
¥208.00(税抜)
100個以上
¥188.00(税抜)
200個以上
¥167.00(税抜)
500個以上
¥146.00(税抜)
自社在庫数
72
納期:
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商品説明

パッケージ DPAK (L)-(2)
構造 
VGDS 
VDSS -60V
ID -10A
Pc(Ta=25℃) 
Pc(Tc=25℃) 
IDSS -10μA
Vth 
Yfs(min) 4.5S
RDS(max) 
Gps(typ) 
コンプリ 
用途 高速度電力スイッチング
備考 4V駆動

● 入力抵抗が小さいのでドレイン・ソース間のON時の電力損失が小さい。

● スイッチング速度が速いので、高速度電力スイッチング用として最適です。

● 順方向アドミタンスが大きい:|Yfs|=7.5S(Typ)

● 取り扱い時の静電破壊の保護用にゲート保護ダイオードが内蔵しています。



■ダウンロード
Datasheet - Device

マルツセレクト・技術情報

MOSFETによる増幅の基礎
http://select.marutsu.co.jp/list/detail.php?id=200

MOSFETによるスイッチングの基礎
http://select.marutsu.co.jp/list/detail.php?id=199

J-FETによるソース接地増幅回路の設計例
http://select.marutsu.co.jp/list/detail.php?id=142


その他のルネサスエレクトロニクス社パッケージや製品情報はこちらからご覧いただけます→
Renesas Star Product
99532 0000000200105535 _*2541-03 2SJ529(L)-E

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MOSFETにはこちらの製品もございます。

パワーMOSFET MOSFET

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