FET【2SJ351-E】 ※在庫限り品

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商品説明

パッケージ TO-3P
構造 
VGDS 
VDSS 
ID -8A
Pc(Ta=25℃) 
Pc(Tc=25℃) 
IDSS 
Vth 
Yfs(min) 0.7S
RDS(max) 
Gps(typ) 
コンプリ 2SK2220、2SK2221
用途 低周波・高周波電力増幅
備考 

●周波数特性が優れています。

●スイッチング速度が速いです。

●安全動作領域(ASO)が広いです。

●エンハンスメント特性

●コンプリメンタリ性が良いです。

●ゲート保護ダイオードを内蔵

●オーディオアンプ出力、モータコントロールなどに最適です。



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マルツセレクト・技術情報

MOSFETによる増幅の基礎
http://select.marutsu.co.jp/list/detail.php?id=200

MOSFETによるスイッチングの基礎
http://select.marutsu.co.jp/list/detail.php?id=199

J-FETによるソース接地増幅回路の設計例
http://select.marutsu.co.jp/list/detail.php?id=142


その他のルネサスエレクトロニクス社パッケージや製品情報はこちらからご覧いただけます→
Renesas Star Product
99534 0000000200105537 _*2540-01 2SJ351-E

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MOSFETにはこちらの製品もございます。

パワーMOSFET MOSFET

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