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NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
マルツコード：
M1353-5902
DigiKey製品番号：
NTJD4401NT1GOSTR-ND
品質ランク：
S1(DigiKey)
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0個
（ 2025/09/20 20:45 現在）

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MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88【NTJD4401NT1G】

の概要
【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：630mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：375ミリオーム @ 630mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5V @ 250µA・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：3nC @ 4.5V・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：46pF @ 20V・電力 - 最大：270mW・動作温度：-55°C～150°C（TJ）・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：6-TSSOP、SC-88、SOT-363・サプライヤデバイスパッケージ：SC-88/SC70-6/SOT-363
【仕様】

ディスクリート半導体製品-トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ [NTJD4401NT1GMOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88] オンセミコンダクター製を販売します。

型商品概要
・パッケージ テープ＆リール（TR）
・シリーズ -
・技術 MOSFET（金属酸化物）
・構成 2 Nチャンネル（デュアル）
・FET機能 論理レベルゲート
・ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 20V
・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 630mA
・Id、Vgs印加時のRds On（最大） 375ミリオーム @ 630mA、4.5V
・Id印加時のVgs（th）（最大） 1.5V @ 250µA
・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 3nC @ 4.5V
・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 46pF @ 20V
・電力 - 最大 270mW
・動作温度 -55°C～150°C（TJ）
・グレード -
・認定 -
・取り付けタイプ 面実装
・パッケージ/ケース 6-TSSOP、SC-88、SOT-363
・サプライヤデバイスパッケージ SC-88/SC70-6/SOT-363

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ディスクリート半導体製品（DigiKey）にはこちらの製品もございます。

サイリスタ - DIAC、SIDAC サイリスタ - SCR サイリスタ - SCR - モジュール サイリスタ - トライアック
ダイオード - RF ダイオード - ツェナー - アレイ ダイオード - ツェナー - シングル ダイオード - ブリッジ整流器
ダイオード - 可変容量（バリキャップ、バラクタ） ダイオード - 整流器 - アレイ ダイオード - 整流器 - シングル トランジスタ - FET、MOSFET - RF
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル トランジスタ - IGBT - アレイ トランジスタ - IGBT - シングル
トランジスタ - IGBT - モジュール トランジスタ - JFET トランジスタ - バイポーラ（BJT） - RF トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス トランジスタ - プログラム可能ユニジャンクション
トランジスタ - 特殊目的 パワードライバモジュール 電流レギュレーション - ダイオード、トランジスタ

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